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세계의 탄화규소(SiC) 웨이퍼 연마 시장
Silicon Carbide (SiC) Wafer Polishing
상품코드 : 1796013
리서치사 : Market Glass, Inc. (Formerly Global Industry Analysts, Inc.)
발행일 : 2025년 08월
페이지 정보 : 영문 377 Pages
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한글목차

탄화규소(SiC) 웨이퍼 연마 세계 시장은 2030년까지 35억 달러에 달할 전망

2024년에 5억 9,730만 달러로 추정되는 탄화규소(SiC) 웨이퍼 연마 세계 시장은 분석 기간인 2024-2030년에 CAGR 34.3%로 성장하여 2030년에는 35억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 이 보고서에서 분석한 부문 중 하나인 메커니컬 프로세스는 CAGR 31.8%를 기록하며 분석 기간 종료시에는 13억 달러에 달할 것으로 예상됩니다. 케미컬 및 메커니컬 프로세스 분야의 성장률은 분석 기간 동안 CAGR 39.7%로 추정됩니다.

미국 시장은 1억 6,270만 달러로 추정·중국은 CAGR 44.0%로 성장 예측

미국의 탄화규소(SiC) 웨이퍼 연마 시장은 2024년에 1억 6,270만 달러로 추정됩니다. 세계 2위 경제 대국인 중국은 2030년까지 8억 9,490만 달러의 시장 규모에 달할 것으로 예측되며, 분석 기간인 2024-2030년 CAGR은 44.0%를 기록할 것으로 예상됩니다. 기타 주목할 만한 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있고, 분석 기간 동안 CAGR은 각각 28.1%와 30.8%로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 29.0%로 성장할 것으로 예측됩니다.

세계의 탄화규소(SiC) 웨이퍼 연마 시장 - 주요 동향과 촉진요인 정리

SiC 웨이퍼 연마가 첨단 전력 반도체 소자 제조에서 중요한 이유는 무엇인가?

탄화규소(SiC) 웨이퍼 연마는 고성능 전력 반도체 소자 제조에 필수적인 공정으로, 제조업체는 첨단 애플리케이션에 필요한 평탄도, 평활도, 결함 없는 표면을 구현할 수 있습니다. SiC는 우수한 열전도율, 높은 내압, 우수한 화학적 안정성을 가진 와이드 밴드 갭 재료로 차세대 파워 일렉트로닉스에 이상적입니다. 그러나 그 뛰어난 경도는 특히 웨이퍼의 박편화 및 표면가공에 있어 가장 가공하기 어려운 소재 중 하나이기도 합니다. 연마는 웨이퍼 슬라이싱과 그라인딩에 이어 중요한 단계로서, 표면 아래의 손상을 제거하여 디바이스 제조에 필요한 초평활 표면을 구현하는 중요한 단계입니다. 고품질 연마는 더 나은 에피택셜 성장을 보장하고, 결함을 줄이며, 장치의 수율과 신뢰성을 향상시킵니다. 전기자동차, 태양광 인버터, 고주파 전원, 5G 기지국 등 반도체의 성능과 효율이 가장 중요한 애플리케이션에서 연마된 SiC 웨이퍼는 기초적인 역할을 합니다. 제조업체는 4H 및 6H 폴리 타입 SiC 웨이퍼의 엄격한 표면 품질 요구 사항을 충족시키기 위해 정밀 연마 공정에 많은 투자를 하고 있습니다. SiC 기반 디바이스가 전기화 및 에너지 효율화를 추진하면서 주류가 되면서 웨이퍼 연마는 더 이상 부차적인 공정이 아니라 기능과 상업적 성공을 가능하게 하는 핵심 요소로 자리 잡았습니다.

기술의 발전은 SiC 웨이퍼 연마의 정확성과 효율성을 어떻게 향상시키고 있는가?

최근 기술 혁신은 보다 정밀하고 제어 가능하며 확장 가능한 기술을 도입하여 SiC 웨이퍼 연마의 능력과 효과를 크게 향상시켰습니다. 기존의 기계적 연마 방법은 재료 손실과 표면 아래 손상을 최소화하면서 SiC의 경도를 효과적으로 관리할 수 있는 고급 슬러리 화학제품, 연마재 및 패드 재료로 개선되었습니다. 화학적 기계적 연마(CMP)는 기계적 연마와 화학적 반응을 결합하여 높은 재료 제거율과 낮은 결함률로 원자 수준에서 평탄한 표면을 구현하는 표준으로 자리 잡았습니다. 나노 크기의 연마재 사용 및 맞춤형 pH 배합과 같은 CMP 슬러리의 혁신은 스크래치를 줄이고, 6인치 및 8인치 SiC 웨이퍼로의 전환을 포함하여 더 큰 웨이퍼 직경에 걸쳐 균일한 연마를 가능하게 합니다. 실시간 모니터링 시스템을 갖춘 초정밀 연마 도구는 압력, 속도, 온도를 최적화하여 안정적인 표면 품질을 달성하기 위해 도입되었습니다. 자동화와 인공지능의 통합은 공정의 재현성을 더욱 향상시키고, 제조업체는 품질 저하 없이 사이클 시간을 단축하고 처리량을 늘릴 수 있습니다. 또한, 환경 문제와 물 사용량을 해결하기 위해 건식 연마 기술이나 하이브리드 방식도 등장하고 있습니다. 자동차, 항공우주 및 산업 분야에서 SiC의 채택이 가속화됨에 따라 웨이퍼 연마의 이러한 기술적 진보는 성능 벤치마크와 대량 생산 목표를 모두 달성하는 데 필수적인 요소입니다.

고정밀 SiC 웨이퍼 연마에 대한 수요를 주도하는 산업 및 응용 분야는 무엇인가?

고품질 SiC 웨이퍼 연마에 대한 수요는 고전압, 고온, 높은 스위칭 주파수 조건에서 작동할 수 있는 전력 장치에 의존하는 산업이 증가함에 따라 주도되고 있습니다. 전기자동차 산업은 가장 두드러진 촉진요인 중 하나이며, SiC 기반 파워 일렉트로닉스는 트랙션 인버터, 차량용 충전기, DC-DC 컨버터에 사용되어 전력 밀도를 향상시키고 주행 거리를 연장하는 데 사용됩니다. 태양전지 및 풍력 인버터와 같은 재생에너지 시스템에서 연마된 SiC 웨이퍼는 에너지 손실을 최소화하고 변환 효율을 최대화하기 위해 필수적입니다. 항공우주 및 방위 분야에서도 SiC 디바이스는 신뢰성과 열 성능으로 인해 레이더 시스템 및 고고도 애플리케이션에 활용되고 있습니다. 통신 인프라, 특히 5G 네트워크는 무선 주파수 장비 및 전력 증폭기의 전력 관리에 SiC 기술을 활용하고 있습니다. 또한, 데이터센터와 고성능 컴퓨팅 시설은 에너지 효율을 높이고 발열을 줄이기 위해 SiC 부품을 채택하기 시작했습니다. 철도 운송, 스마트 제조, 전력망 인프라 등의 분야에서 산업 자동화 및 전기화가 광범위하게 추진되면서 신뢰성이 높고 결함이 적은 SiC 웨이퍼에 대한 수요가 더욱 증가하고 있습니다. 각 산업 분야에서는 디바이스 수율, 성능의 일관성, 신뢰성이 중요하기 때문에 SiC 기반 솔루션을 전 세계로 확장하기 위해서는 고정밀 웨이퍼 연마가 기본 요건입니다.

SiC 웨이퍼 연마의 성장을 뒷받침하는 시장 세력과 세계 동향은?

SiC 웨이퍼 연마 시장은 에너지 효율, 소형화, 지속가능성을 중시하는 거시경제, 규제, 기술 동향의 조합에 힘입어 빠르게 성장하고 있습니다. 전기 모빌리티와 재생에너지로의 전환은 SiC 파워 디바이스에 대한 수요를 창출하고 있으며, 이는 고품질 웨이퍼 기판과 정밀 연마 서비스에 대한 필요성을 불러일으키고 있습니다. 이산화탄소 배출량을 줄이고 에너지 자립을 달성하기 위한 정책 이니셔티브는 제조업체들이 운송, 에너지, 산업 분야에서 SiC 기술에 투자할 수 있는 동기를 부여하고 있습니다. 동시에 결정 성장 기술의 발전과 SiC 웨이퍼의 직경이 커짐에 따라 연마 업체는 혁신과 적응을 위한 새로운 도전과 기회를 창출하고 있습니다. 수직 통합 반도체 제조업체의 부상도 시장에 영향을 미치고 있으며, 기업들은 연마를 포함한 장치 제조의 모든 단계를 관리하여 품질 향상과 비용 절감을 위해 노력하고 있습니다. 세계 공급망의 혼란은 국내 제조 및 고수율 공정의 중요성을 강조하고 연마 기술에 대한 투자를 더욱 증가시키고 있습니다. 또한, 지속가능성에 대한 관심으로 친환경 슬러리 배합, 재활용 시스템, 물 절약형 공정 설계 개발도 진행 중입니다. 이러한 진화하는 역학으로 인해 SiC 웨이퍼 연마는 더 넓은 반도체 생태계에서 전략적이고 빠르게 성장하는 분야로 자리매김하고 있으며, 에너지에 대한 인식이 높은 세계에서 파워 일렉트로닉스의 발전에 필수적인 요소로 자리매김하고 있습니다.

부문

프로세스 유형(메커니컬 프로세스, 케미컬 및 메커니컬 프로세스, 전해 연마 프로세스, 케미컬 프로세스, 플라즈마 어시스트 프로세스), 제품 유형(연마 파우더, 연마 패드, 다이아몬드 슬러리, 콜로이달 실리카 현탁액), 용도(파워 일렉트로닉스 용도, LED 용도, 센서 및 검출기 용도, RF 및 마이크로파 디바이스 용도)

조사 대상 기업 사례

AI 통합

Global Industry Analysts는 검증된 전문가 컨텐츠와 AI 툴을 통해 시장과 경쟁 정보를 혁신하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 LLM 및 업계 고유의 SLM을 조회하는 일반적인 규범을 따르는 대신 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 방대한 양의 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사 소재지, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기준으로 기업의 경쟁력 변화를 예측하고 있습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 매출원가(COGS) 증가, 수익성 하락, 공급망 재편 등 미시적, 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예상됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

KSM
영문 목차

영문목차

Global Silicon Carbide (SiC) Wafer Polishing Market to Reach US$3.5 Billion by 2030

The global market for Silicon Carbide (SiC) Wafer Polishing estimated at US$597.3 Million in the year 2024, is expected to reach US$3.5 Billion by 2030, growing at a CAGR of 34.3% over the analysis period 2024-2030. Mechanical Process, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 31.8% CAGR and reach US$1.3 Billion by the end of the analysis period. Growth in the Chemical & Mechanical Process segment is estimated at 39.7% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$162.7 Million While China is Forecast to Grow at 44.0% CAGR

The Silicon Carbide (SiC) Wafer Polishing market in the U.S. is estimated at US$162.7 Million in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$894.9 Million by the year 2030 trailing a CAGR of 44.0% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 28.1% and 30.8% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 29.0% CAGR.

Global Silicon Carbide (SiC) Wafer Polishing Market - Key Trends & Drivers Summarized

Why Is SiC Wafer Polishing Crucial in the Fabrication of Advanced Power Semiconductor Devices?

Silicon carbide (SiC) wafer polishing has become an essential process in the fabrication of high-performance power semiconductor devices, enabling manufacturers to achieve the flatness, smoothness, and defect-free surfaces required for advanced applications. SiC is a wide-bandgap material with superior thermal conductivity, high breakdown voltage, and excellent chemical stability, making it ideal for next-generation power electronics. However, its exceptional hardness also makes it one of the most challenging materials to process, particularly in wafer thinning and surface finishing. Polishing is a critical step following wafer slicing and grinding, as it removes subsurface damage and achieves the ultra-smooth surfaces necessary for device fabrication. High-quality polishing ensures better epitaxial growth, reduces defects, and improves device yield and reliability. In applications such as electric vehicles, solar inverters, high-frequency power supplies, and 5G base stations, where the performance and efficiency of semiconductors are paramount, polished SiC wafers play a foundational role. Manufacturers are investing heavily in precision polishing processes to meet the stringent surface quality demands of both 4H and 6H polytypes of SiC wafers. As SiC-based devices become more mainstream in the push toward electrification and energy efficiency, wafer polishing is no longer a secondary process but a key enabler of functional and commercial success.

How Are Technological Advances Improving the Precision and Efficiency of SiC Wafer Polishing?

Recent technological innovations are significantly enhancing the capabilities and effectiveness of SiC wafer polishing by introducing more precise, controlled, and scalable techniques. Traditional mechanical polishing methods have been refined with advanced slurry chemistries, abrasives, and pad materials that can effectively manage SiC’s hardness while minimizing material loss and sub-surface damage. Chemical mechanical polishing (CMP) has become the gold standard, combining both mechanical abrasion and chemical reaction to achieve atomically flat surfaces with high material removal rates and low defectivity. Innovations in CMP slurries, such as the use of nano-sized abrasives and customized pH formulations, are reducing scratching and enabling uniform polishing across larger wafer diameters, including the industry’s shift toward 6-inch and 8-inch SiC wafers. Ultra-precision polishing tools equipped with real-time monitoring systems are being deployed to optimize pressure, speed, and temperature for consistent surface quality. The integration of automation and artificial intelligence is further improving process repeatability, enabling manufacturers to reduce cycle times and boost throughput without sacrificing quality. Dry polishing techniques and hybrid methods are also emerging to address environmental concerns and water usage. As SiC adoption accelerates across automotive, aerospace, and industrial sectors, these technological advances in wafer polishing are proving critical to meeting both performance benchmarks and volume production targets.

Which Industries and Applications Are Driving Demand for High-Precision SiC Wafer Polishing?

The demand for high-quality SiC wafer polishing is being driven by a growing list of industries that rely on power devices capable of operating under high voltage, high temperature, and high switching frequency conditions. The electric vehicle industry is one of the most prominent drivers, as SiC-based power electronics are being used in traction inverters, onboard chargers, and DC-DC converters to improve power density and extend driving range. In renewable energy systems such as solar and wind inverters, polished SiC wafers are vital for minimizing energy loss and maximizing conversion efficiency. Aerospace and defense sectors also utilize SiC devices in radar systems and high-altitude applications due to their reliability and thermal performance. Telecommunications infrastructure, particularly 5G networks, relies on SiC technology to manage power in radio frequency equipment and power amplifiers. Additionally, data centers and high-performance computing facilities are beginning to adopt SiC components to enhance energy efficiency and reduce heat generation. The broader push for industrial automation and electrification in sectors like rail transport, smart manufacturing, and grid infrastructure is further amplifying demand for reliable, low-defect SiC wafers. Each of these industries places a premium on device yield, performance consistency, and reliability, making high-precision wafer polishing a foundational requirement for scaling SiC-based solutions globally.

What Market Forces and Global Trends Are Supporting Growth in SiC Wafer Polishing?

The SiC wafer polishing market is expanding rapidly, supported by a combination of macroeconomic, regulatory, and technological trends that emphasize energy efficiency, miniaturization, and sustainability. The global shift toward electric mobility and renewable power generation is generating robust demand for SiC power devices, which in turn fuels the need for high-quality wafer substrates and precise polishing services. Policy initiatives aimed at reducing carbon emissions and achieving energy independence are incentivizing manufacturers to invest in SiC technology across transportation, energy, and industrial domains. At the same time, advances in crystal growth technologies and the scaling of SiC wafer production to larger diameters are creating new challenges and opportunities for polishing providers to innovate and adapt. The rise of vertically integrated semiconductor manufacturers is also impacting the market, as companies look to control every stage of device fabrication, including polishing, to improve quality and reduce costs. Global supply chain disruptions have emphasized the importance of domestic manufacturing and high-yield processes, further increasing investment in polishing technologies. Additionally, sustainability concerns are prompting the development of eco-friendly slurry formulations, recycling systems, and water-saving process designs. These evolving dynamics are positioning SiC wafer polishing as a strategic and fast-growing segment within the wider semiconductor ecosystem, essential for the advancement of power electronics in an energy-conscious world.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the Silicon Carbide (SiC) Wafer Polishing market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Process Type (Mechanical Process, Chemical & Mechanical Process, Electropolishing Process, Chemical Process, Plasma-Assisted Process); Product Type (Abrasive Powders, Polishing Pads, Diamond Slurries, Colloidal Silica Suspensions); Application (Power Electronics Application, LED Application, Sensors & Detectors Application, RF & Microwave Devices Application)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; Spain; Russia; and Rest of Europe); Asia-Pacific (Australia; India; South Korea; and Rest of Asia-Pacific); Latin America (Argentina; Brazil; Mexico; and Rest of Latin America); Middle East (Iran; Israel; Saudi Arabia; United Arab Emirates; and Rest of Middle East); and Africa.

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II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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