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세계의 GaN 산업용 디바이스 시장
GaN Industrial Devices
상품코드 : 1797306
리서치사 : Global Industry Analysts, Inc.
발행일 : 2025년 08월
페이지 정보 : 영문 282 Pages
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한글목차

세계의 GaN 산업용 디바이스 시장은 2030년까지 34억 달러에 달할 전망

2024년에 18억 달러로 추정되는 세계의 GaN 산업용 디바이스 시장은 분석 기간인 2024-2030년에 CAGR 11.4%로 성장하며, 2030년에는 34억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 이 리포트에서 분석한 부문의 하나인 옵토일렉트로닉스 GaN 디바이스는 CAGR 9.5%를 기록하며, 분석 기간 종료시에는 17억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 파워 GaN 디바이스 분야의 성장률은 분석 기간에 CAGR 14.1%로 추정됩니다.

미국 시장은 4억 7,840만 달러, 중국은 CAGR 15.1%로 성장 예측

미국의 GaN 산업용 디바이스 시장은 2024년에 4억 7,840만 달러로 추정됩니다. 세계 2위의 경제대국인 중국은 분석 기간2024-2030년 CAGR 15.1%로 추이하며, 2030년에는 6억 8,630만 달러의 시장 규모에 달할 것으로 예측됩니다. 기타 주목할 만한 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있으며, 분석 기간 중 CAGR은 각각 8.5%와 10.0%로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 약 9.0%로 성장할 것으로 예측됩니다.

세계의 GaN 산업용 디바이스 시장 - 주요 동향과 촉진요인 정리

GaN 디바이스가 산업용 전력 시스템을 변화시키는 이유

질화갈륨(GaN) 소자는 기존 실리콘 기반 파워 일렉트로닉스에 비해 스위칭 속도, 열효율, 컴팩트한 설계가 우수하여 산업 용도 전반에 걸쳐 성장세를 보이고 있습니다. GaN 트랜지스터와 다이오드는 산업용 컨버터, 모터 구동 장치, 전력 인버터, 무선 전력 전송 시스템 등에 널리 사용됩니다. 낮은 전력 손실로 더 높은 전압과 주파수에서 작동할 수 있는 능력은 에너지 집약적이고 공간 제약이 많은 환경에 이상적입니다.

산업 시스템, 특히 로봇 공학, 공장 자동화, 중장비, 산업 조명 등의 분야에서 더 높은 효율과 전력 밀도가 점점 더 요구되고 있습니다. GaN 기반 부품은 고속 스위칭을 지원하고, 수동 부품 크기를 줄이고, 열 관리를 간소화하기 위해 GaN 기반 부품이 채택되었습니다. 산업 부문 전반에 걸쳐 전기화가 진행됨에 따라 GaN 디바이스는 설치 면적 감소, 에너지 절약, 시스템 신뢰성 향상을 달성하는 데 필수적인 요소로 자리 잡고 있습니다.

기기의 능력을 향상시키는 기술 혁신이란?

GaN-on-silicon 기판이 지배적인 플랫폼으로, 기존의 실리콘 제조 공정을 사용하여 GaN 기술을 확장할 수 있는 비용 효율적인 경로를 제공합니다. 에피택셜 성장과 포장 기술의 강화로 인해 소자의 일관성, 열전도율, 표준 제어 회로와의 통합이 향상되고 있습니다. 표면 패시베이션과 견고한 게이트 보호 구조도 산업적 내구성 기준을 충족시키기 위해 개선되었습니다.

디자인 통합은 또 다른 중점 분야입니다. GaN 디바이스는 게이트 드라이버와 보호 회로를 통합한 하프 브리지 또는 풀 브리지 구성으로 제공되고 있습니다. 이러한 통합 전력 모듈은 기판 설계를 간소화하고 전자기 간섭을 줄입니다. PQFN과 같은 소형 표면 실장 포장 포맷은 제한된 산업용 인클로저에서 더 높은 전력 밀도를 가능하게 합니다. 또한 GaN 부품은 자동차 및 에너지 시스템에서 온도 및 진동에 대한 내성 등 가혹한 작동 조건에 맞게 조정됩니다.

산업용 이용 사례와 전력 시스템 설계는 어떻게 진화하고 있는가?

GaN 디바이스는 모터 제어 장치, 역률 개선(PFC) 회로, 자동화 및 로봇 시스템용 DC-DC 컨버터 등 다양한 산업 용도에 적용되고 있습니다. 고주파 작동은 자기 회로의 감소와 소형 냉각 시스템을 가능하게 하며, 이는 특히 이동식 및 모듈식 산업 장비에 유용합니다. 재생에너지 분야에서 GaN 인버터는 보다 컴팩트하고 효율적인 태양광발전 최적화 장치와 에너지 저장 인터페이스를 가능하게 하고 있습니다.

전기자동차(EV) 충전 인프라도 GaN의 빠른 스위칭과 소형화의 혜택을 누리고 있습니다. 충전소, 차량용 충전기, 양방향 컨버터는 GaN 스위치를 사용하여 효율 목표를 충족하도록 재설계되었습니다. 산업용 무정전 전원장치(UPS) 시스템 및 통신용 전원 모듈은 GaN을 채택하여 더 높은 부하 응답 속도와 우수한 열 성능을 달성하고 있습니다. 이러한 용도에서는 확장 가능하고 고효율의 전력 변환이 필요하며, GaN 소재가 적합합니다.

GaN 산업용 장치 시장의 성장은 몇 가지 요인에 의해 주도됩니다.

GaN 산업용 디바이스 시장의 성장은 높은 에너지 효율에 대한 수요, 산업용 전력 시스템의 소형화, 고주파 스위칭 아키텍처의 채택 등 여러 요인에 의해 주도되고 있습니다. 산업 자동화, 로봇, 에너지 관리 시스템에서 전기화 증가는 GaN 기반 전력 장치의 통합을 지원합니다. GaN-on-silicon 생산, 포장, 통합 모듈 설계의 개선으로 비용을 절감하고 채택을 촉진할 수 있습니다. EV 충전, 태양광 인버터, 공장용 전원장치의 용도 확대가 수요를 더욱 증가시킬 것입니다. 산업계의 설계 요구사항이 더 높은 전력 밀도, 열 제어, 디지털 통합을 향해 진화하고 있는 가운데, GaN 디바이스는 여러 용도에서 시장 성장을 가속할 수 있는 성능상의 이점을 제공합니다.

부문

유형(옵토일렉트로닉스 GaN 디바이스, 파워 GaN 디바이스, RF GaN 디바이스), 용도(RF 파워 앰프 용도, 마이크로파·밀리미터파 회로 용도, 레이더 센싱 기기 용도, 전술 무선 용도, 통신위성 기기 용도, 기타 용도), 최종 용도(항공우주·방위 최종 용도, 자동차 최종 용도, IT·통신 최종 용도, 기타 최종 용도).

조사 대상 기업의 예

AI 통합

당사는 유효한 전문가용 컨텐츠와 AI 툴에 의해 시장 정보와 경쟁 정보를 변혁하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 일반적인 LLM나 업계별 SLM 쿼리에 따르는 대신에, 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 대량 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등, 전 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사 소재지, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기준으로 기업의 경쟁력 변화를 예측했습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 수입원가(COGS) 증가, 수익성 하락, 공급망 재편 등 미시적, 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예측됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 개요

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

KSA
영문 목차

영문목차

Global GaN Industrial Devices Market to Reach US$3.4 Billion by 2030

The global market for GaN Industrial Devices estimated at US$1.8 Billion in the year 2024, is expected to reach US$3.4 Billion by 2030, growing at a CAGR of 11.4% over the analysis period 2024-2030. Optoelectronics GaN Devices, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 9.5% CAGR and reach US$1.7 Billion by the end of the analysis period. Growth in the Power GaN Devices segment is estimated at 14.1% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$478.4 Million While China is Forecast to Grow at 15.1% CAGR

The GaN Industrial Devices market in the U.S. is estimated at US$478.4 Million in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$686.3 Million by the year 2030 trailing a CAGR of 15.1% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 8.5% and 10.0% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 9.0% CAGR.

Global GaN Industrial Devices Market - Key Trends & Drivers Summarized

Why Are GaN Devices Transforming Industrial Power Systems?

Gallium nitride (GaN) devices are gaining momentum across industrial applications due to their superior switching speed, thermal efficiency, and compact design compared to traditional silicon-based power electronics. GaN transistors and diodes are widely used in industrial converters, motor drives, power inverters, and wireless power transfer systems. Their ability to operate at higher voltages and frequencies with lower power loss makes them ideal for energy-intensive and space-constrained environments.

Industrial systems increasingly demand higher efficiency and power density, especially in segments such as robotics, factory automation, heavy machinery, and industrial lighting. GaN-based components are being adopted to support high-speed switching, reduce passive component size, and enable simplified thermal management. As electrification advances across industrial sectors, GaN devices are becoming critical to achieving reduced footprint, improved energy savings, and increased system reliability.

What Technological Innovations Are Advancing Device Capabilities?

GaN-on-silicon substrates are the dominant platform, offering a cost-effective path to scale GaN technology using established silicon manufacturing processes. Enhancements in epitaxial growth and packaging technologies are improving device consistency, thermal conductivity, and integration with standard control circuits. Surface passivation and robust gate protection structures are also being refined to meet industrial durability standards.

Design integration is another focus area. GaN devices are increasingly available in half-bridge or full-bridge configurations with embedded gate drivers and protection circuitry. These integrated power modules simplify board design and reduce electromagnetic interference. Compact surface-mount packaging formats such as PQFN are enabling higher power density in confined industrial enclosures. GaN components are also being tailored for harsh operating conditions, including temperature and vibration resilience in automotive and energy systems.

How Are Industrial Use Cases and Power System Designs Evolving?

GaN devices are being deployed across a broad spectrum of industrial applications, including motor control units, power factor correction (PFC) circuits, and DC-DC converters for automation and robotics systems. High-frequency operation allows for reduced magnetics and compact cooling systems, which is especially beneficial in mobile or modular industrial equipment. In renewable energy, GaN inverters are enabling more compact and efficient solar power optimizers and energy storage interfaces.

Electric vehicle (EV) charging infrastructure also benefits from GaN’s fast switching and compact size. Charging stations, onboard chargers, and bidirectional converters are being redesigned to meet efficiency targets using GaN switches. Industrial uninterruptible power supply (UPS) systems and telecommunications power modules are adopting GaN to achieve higher load response rates and better thermal performance. These applications require scalable, high-efficiency power conversion that GaN materials are well-suited to deliver.

Growth in the GaN Industrial Devices Market Is Driven by Several Factors…

Growth in the GaN industrial devices market is driven by several factors including demand for higher energy efficiency, miniaturization of industrial power systems, and adoption of high-frequency switching architectures. Increasing electrification in industrial automation, robotics, and energy management systems supports integration of GaN-based power devices. Improvements in GaN-on-silicon production, packaging, and integrated module design reduce costs and facilitate adoption. Expanding use in EV charging, solar inverters, and factory power supply units further boosts demand. As industrial design requirements evolve toward greater power density, thermal control, and digital integration, GaN devices offer performance advantages that continue to drive market growth across multiple application domains.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the GaN Industrial Devices market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Type (Optoelectronics GaN Devices, Power GaN Devices, RF GaN Devices); Application (RF Power Amplifier Application, Microwave & Millimeter Wave Circuits Application, Radar Sensing Equipment Application, Tactical Radios Application, Communications Satellite Equipment Application, Other Applications); End-Use, Aerospace & Defense End-Use, Automotive End-Use, IT & Telecommunications End-Use, Other End-Uses)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; Spain; Russia; and Rest of Europe); Asia-Pacific (Australia; India; South Korea; and Rest of Asia-Pacific); Latin America (Argentina; Brazil; Mexico; and Rest of Latin America); Middle East (Iran; Israel; Saudi Arabia; United Arab Emirates; and Rest of Middle East); and Africa.

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TABLE OF CONTENTS

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II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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