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세계의 GaN 반도체 소자 시장
GaN Semiconductor Devices
상품코드 : 1650983
리서치사 : Global Industry Analysts, Inc.
발행일 : 2025년 02월
페이지 정보 : 영문 213 Pages
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한글목차

GaN 반도체 소자 세계 시장 규모는 2030년까지 177억 달러에 달할 전망

2024년에 57억 달러로 추정되는 GaN 반도체 소자 세계 시장은 2024-2030년 동안 연평균 20.9%로 성장하여 2030년에는 177억 달러에 달할 것으로 예상됩니다. 본 보고서에서 분석한 부문 중 하나인 광반도체는 CAGR 19.4%를 기록하여 분석 기간 종료 시점에 67억 달러에 도달할 것으로 예상됩니다. 전력 반도체 부문의 성장률은 분석 기간 동안 CAGR 21.1%로 추정됩니다.

미국 시장은 16억 달러, 중국은 CAGR 20.4%로 성장 전망

미국의 GaN 반도체 소자 시장 규모는 2024년 16억 달러로 추정됩니다. 세계 2위의 경제 대국인 중국은 2030년까지 28억 달러의 시장 규모에 도달할 것으로 예상되며, 2024-2030년 분석 기간 동안 20.4%의 CAGR을 기록할 것으로 예상됩니다. 다른 주목할 만한 지역 시장으로는 일본과 캐나다가 있으며, 분석 기간 동안 각각 18.1%와 17.5%의 CAGR을 기록할 것으로 예상됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 약 14.6%로 성장할 것으로 예상됩니다.

세계 GaN 반도체 소자 시장 - 주요 동향 및 촉진요인 정리

GaN 반도체 소자는 전자 및 전력 산업에 어떤 혁명을 가져올 것인가?

질화갈륨(GaN) 반도체 소자는 기존 실리콘 기반 반도체에 비해 큰 이점을 제공함으로써 전자 및 전력 산업을 변화시키고 있습니다. 넓은 밴드갭 재료인 GaN은 더 높은 효율, 더 빠른 스위칭 속도, 더 높은 전력 밀도를 가능하게 하여 파워 일렉트로닉스, RF(무선 주파수) 장치, 통신과 같은 애플리케이션에 이상적입니다. 트랜지스터, 다이오드, 앰프와 같은 GaN 소자는 실리콘보다 높은 전압과 온도에서 작동하기 때문에 성능이 향상되고 에너지 손실이 감소합니다. 이러한 특성은 전기자동차(EV), 5G 인프라, 재생에너지 시스템 등 효율성, 소형화, 전력 관리가 중요한 분야에서 특히 가치가 있습니다.

GaN 반도체 소자의 가장 영향력 있는 응용 분야 중 하나는 전력 변환 시스템으로, 실리콘 기반 부품에 대한 보다 효율적인 대안을 제공합니다. 예를 들어, GaN 트랜지스터는 훨씬 더 높은 주파수에서 스위칭할 수 있기 때문에 더 작고, 가볍고, 고효율의 전원 공급장치를 만들 수 있습니다. GaN 디바이스는 데이터센터 및 통신과 같은 고성능 애플리케이션에도 적용되어 더 빠른 데이터 전송과 낮은 전력 소비를 가능하게 하여 운영 비용과 환경 오염을 줄이고, 더 작은 크기, 더 가벼운 무게, 더 높은 효율의 전원 공급을 가능케 합니다. 운영 비용과 환경 영향 감소에 기여하고 있습니다. 전 세계가 에너지 효율이 높은 기술로 전환하는 가운데, GaN 반도체 소자는 전자 및 전력 시스템의 미래를 주도하는 중요한 역할을 할 준비가 되어 있습니다.

GaN 반도체 소자의 성능을 향상시키는 기술 발전은 무엇인가?

몇 가지 기술 발전으로 GaN 반도체 소자의 성능과 확장성이 크게 향상되어 다양한 첨단 기술 응용 분야에서 사용이 더욱 현실화되었습니다. 주요 발전 중 하나는 GaN-on-Si(GaN-on-Si) 기술의 개발로, 표준 실리콘 기판을 사용하여 GaN 소자를 제조할 수 있게 되었습니다. GaN-on-Si 기술은 기존 실리콘 기반 시스템과의 통합을 용이하게 하여 산업계가 제조 공정을 크게 변경하지 않고도 GaN 디바이스를 쉽게 채택할 수 있게 해줍니다. 쉽게 채택할 수 있습니다.

또 다른 큰 발전은 GaN 디바이스의 열 관리 기술의 개선으로, GaN은 실리콘보다 높은 온도와 전력 밀도에서 작동하기 때문에 효과적인 열 방출은 디바이스의 신뢰성과 성능을 유지하는 데 필수적이며, GaN 디바이스의 열 전도도를 개선하여 과열 없이 높은 전력 부하를 처리할 수 있도록 새로운 패키징 기술과 재료가 개발되고 있습니다. 과열 없이 높은 전력부하에 대응할 수 있도록 새로운 패키징 기술 및 재료가 개발되고 있습니다. 이는 GaN 소자가 열악한 환경에서 사용되는 전기자동차, 항공우주, 산업 자동화와 같은 고전력 애플리케이션에서 특히 중요합니다. 이러한 발전으로 GaN 반도체 소자의 응용 범위가 확대되어 가전제품에서 중공업 장비에 이르기까지 모든 응용 분야에 적합하게 되었습니다.

또한, 제조 공정의 발전으로 더 작고 효율적인 GaN 트랜지스터, 다이오드, 앰프의 제조가 가능해졌습니다. 예를 들어, GaN 기술 기반의 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)는 현재 100GHz 이상의 주파수에서 작동이 가능하여 5G 네트워크 및 위성통신을 포함한 차세대 통신 시스템에 적합합니다. 고성능을 유지하면서 GaN 소자를 소형화할 수 있게 됨에 따라 컴팩트하고 고효율적인 파워 일렉트로닉스 및 RF 시스템에 새로운 가능성을 열어 다양한 산업 분야에서 혁신이 일어나고 있습니다. 이러한 기술 발전으로 GaN 반도체 소자는 에너지 효율이 높은 고성능 전자제품을 선도하고 있습니다.

GaN 반도체 소자는 전기자동차, 5G, 재생에너지의 성장을 어떻게 지원하고 있는가?

GaN 반도체 소자는 전기자동차(EV), 5G 인프라 및 재생에너지 기술의 성장을 지원하기 위해 빠르게 발전하는 이 분야에 필요한 고효율, 전력 밀도 및 성능을 제공함으로써 중요한 역할을 하고 있습니다. 인버터, 전력 관리 시스템에서 보다 효율적인 전력 변환을 가능하게 하고 있습니다. 기존 실리콘 부품에 비해 스위칭 속도가 빠르고 에너지 손실이 적어 에너지 효율이 향상되고, 더 가볍고 컴팩트한 시스템을 구현할 수 있어 주행거리 연장 및 충전 시간 단축으로 이어질 수 있습니다. 전자장치의 소형화 및 경량화에 기여하여 차량 전체의 효율과 성능 향상에 기여하고, EV 시스템의 비용과 복잡성을 감소시키고 있습니다.

통신 분야에서 GaN 반도체 소자는 고주파 및 고출력 RF 부품이 필요한 5G 네트워크 구축에 필수적입니다. 밀리미터파 주파수(30-300GHz)에서 높은 전력 효율로 작동하는 GaN의 능력은 5G 기지국, RF 증폭기, 스몰셀 네트워크에 적합합니다. GaN 기술은 5G 통신의 고속, 저지연 요구사항에 필수적인 고속 데이터 전송, 저지연, 대역폭 확대를 지원하며, GaN 기술은 5G 네트워크가 전 세계적으로 확대되는 과정에서 중요한 요소인 통신 인프라의 에너지 소비 감소에도 기여하고 있습니다. 에도 기여하고 있습니다.

재생에너지 시스템에서 GaN 디바이스는 전력 변환기 및 인버터의 효율을 향상시키는 데 사용되며, 태양전지 패널 및 풍력 터빈과 같은 에너지 원에서 사용 가능한 전력으로 변환하는 데 필수적입니다. 낭비를 줄이고 전체 재생에너지 시스템의 출력을 증가시킵니다. 따라서 GaN 반도체 소자는 태양광 인버터, 풍력발전 컨버터, 에너지 저장 시스템의 성능을 최적화하는 데 매우 중요합니다. 세계가 친환경 에너지원으로 전환하는 가운데, GaN 기술은 재생에너지 인프라의 효율성과 신뢰성을 극대화하는 데 도움을 주고 있습니다.

GaN 반도체 소자 시장의 성장 원동력은?

에너지 효율 기술에 대한 수요 증가, 전기자동차의 확대, 5G 네트워크 구축 등 여러 가지 요인이 GaN 반도체 소자 시장의 급격한 성장을 촉진하고 있습니다. 주요 촉진요인 중 하나는 에너지 효율과 지속가능성을 향한 전 세계적인 추진력입니다. 산업계, 정부 및 소비자가 에너지 소비를 줄이고 환경에 미치는 영향을 최소화하기 위해 노력하는 가운데, GaN 소자는 기존 실리콘 부품보다 효율이 높고 전력 손실이 적기 때문에 중요한 솔루션으로 부상하고 있습니다. 가전, 자동차, 통신 등의 분야에서는 보다 에너지 효율이 높은 전력 변환 시스템이 요구되고 있으며, GaN 디바이스의 채택이 증가하고 있습니다.

전기자동차(EV)의 부상도 GaN 시장 성장에 기여하는 주요 요인 중 하나입니다. 자동차 제조업체들이 EV 개발 및 인프라에 대한 투자를 지속함에 따라 보다 효율적인 파워 일렉트로닉스에 대한 수요가 증가하고 있으며, GaN 소자는 크기, 무게, 에너지 효율성 측면에서 실리콘을 크게 능가하는 장점을 가지고 있어 EV의 파워트레인, 충전 시스템, 전력 관리에 이상적인 선택이 되고 있습니다. 이상적인 선택이 되고 있습니다. 세계 각국 정부가 전기자동차 보급에 대한 야심찬 목표를 설정함에 따라 GaN 기반 파워 일렉트로닉스에 대한 수요는 향후 몇 년 동안 급증할 것으로 예상됩니다.

5G 네트워크의 세계 확산도 GaN 반도체 소자 시장의 주요 촉진요인입니다. 통신 사업자들이 5G의 더 높은 주파수와 더 빠른 데이터 속도를 지원하는 데 필요한 인프라를 구축함에 따라, RF 애플리케이션에서 우수한 성능을 가진 GaN 디바이스가 널리 채택되고 있습니다. 전력 손실을 최소화하면서 고주파에서 작동하는 GaN의 능력은 5G 기지국, 안테나, RF 증폭기에 필수적인 부품이 되고 있으며, 5G의 확대는 통신 사업자들이 차세대 무선 통신 네트워크를 지속적으로 구축함에 따라 GaN 반도체 소자에 대한 지속적인 수요를 촉진할 것으로 예상됩니다.

GaN 반도체 소자 개발을 좌우할 향후 동향은?

GaN과 실리콘의 통합 발전, 패키징 기술의 발전, 소비자 전자제품에서의 GaN의 부상 등 몇 가지 새로운 트렌드가 GaN 반도체 소자의 미래 발전을 형성하고 있습니다. 가장 주목할 만한 트렌드 중 하나는 실리콘의 비용 효율성과 확장성과 GaN의 우수한 성능을 결합한 GaN-on-Si(GaN-on-Si) 기술의 활용이 증가하고 있다는 점입니다. 이러한 하이브리드 접근 방식은 GaN 디바이스의 가격을 낮추고 기존 실리콘 기반 시스템에 쉽게 통합할 수 있도록함으로써 산업 전반에 걸쳐 폭넓은 채택을 촉진하고 있으며, GaN-on-Si 기술은 비용과 성능의 균형을 신중하게 고려해야 하는 가전제품과 같은 대량 생산 시장에서 특히 매력적입니다. 대량 생산 시장에서 특히 매력적입니다.

또 다른 중요한 트렌드는 GaN 디바이스의 첨단 패키징 기술로, GaN은 실리콘보다 높은 전력 밀도와 온도에서 작동하기 때문에 신뢰성과 성능을 유지하기 위해서는 효과적인 열 관리와 패키징이 필수적입니다. 칩 스케일 패키징(CSP) 및 첨단 열 소재와 같은 패키징 혁신을 통해 GaN 디바이스는 크기와 무게를 줄이면서 더 높은 전력 부하를 처리할 수 있게 되었습니다. 이러한 발전은 공간 및 열 제약이 중요한 전기자동차, 항공우주, 산업 자동화 등의 애플리케이션에 매우 중요합니다. 패키징 솔루션의 개선으로 까다로운 환경에서 GaN 디바이스의 사용은 더욱 확대될 것입니다.

소비자 전자기기에서 GaN의 사용 증가는 이 시장의 미래를 형성하는 또 다른 추세입니다. 예를 들어, GaN 기반 전원 어댑터와 충전기는 컴팩트한 크기와 높은 효율로 인해 널리 보급되고 있으며, GaN 트랜지스터는 노트북, 스마트폰 및 기타 휴대용 기기에 적합한 고속, 저온, 소형 전원 공급을 가능케 합니다. 소비자들이 더 작고 효율적인 전자기기를 찾는 가운데, GaN 기술은 소비자 전자기기 시장의 표준이 될 준비가 되어 있습니다. 이러한 추세에 따라 GaN 반도체 소자는 광범위한 산업의 혁신과 효율을 촉진하는 데 있어 점점 더 중요한 역할을 하게 될 것입니다.

부문

부문(광반도체, 전력반도체, GaN 고주파 디바이스), 최종사용자(자동차, 가전, 항공우주/방위 산업, 헬스케어, 정보통신기술, 기타 최종사용자)

조사 대상 기업 사례(주목 17개사)

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

ksm
영문 목차

영문목차

Global GaN Semiconductor Devices Market to Reach US$17.7 Billion by 2030

The global market for GaN Semiconductor Devices estimated at US$5.7 Billion in the year 2024, is expected to reach US$17.7 Billion by 2030, growing at a CAGR of 20.9% over the analysis period 2024-2030. Opto-Semiconductors, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 19.4% CAGR and reach US$6.7 Billion by the end of the analysis period. Growth in the Power Semiconductors segment is estimated at 21.1% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$1.6 Billion While China is Forecast to Grow at 20.4% CAGR

The GaN Semiconductor Devices market in the U.S. is estimated at US$1.6 Billion in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$2.8 Billion by the year 2030 trailing a CAGR of 20.4% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 18.1% and 17.5% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 14.6% CAGR.

Global GaN Semiconductor Devices Market - Key Trends and Drivers Summarized

How Are GaN Semiconductor Devices Revolutionizing the Electronics and Power Industry?

Gallium Nitride (GaN) semiconductor devices are transforming the electronics and power industry by offering significant advantages over traditional silicon-based semiconductors. GaN, a wide bandgap material, allows for higher efficiency, faster switching speeds, and greater power density, making it ideal for applications in power electronics, RF (radio frequency) devices, and telecommunications. GaN devices, such as transistors, diodes, and amplifiers, operate at higher voltages and temperatures than silicon, which leads to enhanced performance and reduced energy losses. These qualities are particularly valuable in sectors where efficiency, miniaturization, and power management are critical, such as electric vehicles (EVs), 5G infrastructure, and renewable energy systems.

One of the most impactful uses of GaN semiconductor devices is in power conversion systems, where they offer a more efficient alternative to silicon-based components. GaN transistors, for instance, can switch at much higher frequencies, allowing for smaller, lighter, and more efficient power supplies. This is especially beneficial in industries like consumer electronics, where the demand for more compact, energy-efficient devices is constantly growing. GaN devices are also being adopted in high-performance applications, such as data centers and telecommunications, where they enable faster data transmission and lower power consumption, contributing to reduced operational costs and environmental impact. As the world shifts towards more energy-efficient technologies, GaN semiconductor devices are poised to play a key role in driving the future of electronics and power systems.

What Technological Advancements Are Enhancing the Performance of GaN Semiconductor Devices?

Several technological advancements are significantly enhancing the performance and scalability of GaN semiconductor devices, making them more viable for widespread use in various high-tech applications. One of the key advancements is the development of GaN-on-silicon (GaN-on-Si) technology, which allows GaN devices to be manufactured using standard silicon substrates. This innovation reduces production costs while maintaining the high-performance characteristics of GaN, enabling mass production of GaN devices at a lower price point. GaN-on-Si technology also facilitates integration with existing silicon-based systems, making it easier for industries to adopt GaN devices without significant changes to their manufacturing processes.

Another major advancement is the improvement in thermal management techniques for GaN devices. Since GaN operates at higher temperatures and power densities than silicon, effective heat dissipation is critical to maintaining device reliability and performance. New packaging technologies and materials are being developed to improve the thermal conductivity of GaN devices, allowing them to handle higher power loads without overheating. This is particularly important in high-power applications such as electric vehicles, aerospace, and industrial automation, where GaN devices are used in demanding environments. These advancements are helping to expand the range of applications for GaN semiconductor devices, making them suitable for everything from consumer electronics to heavy industrial equipment.

Additionally, advancements in fabrication processes are enabling the production of smaller and more efficient GaN transistors, diodes, and amplifiers. High-electron-mobility transistors (HEMTs) based on GaN technology, for example, are now capable of operating at frequencies beyond 100 GHz, making them ideal for next-generation telecommunications systems, including 5G networks and satellite communications. The ability to miniaturize GaN devices while maintaining high performance is opening up new possibilities for compact, high-efficiency power electronics and RF systems, driving innovation across multiple industries. These technological advancements are ensuring that GaN semiconductor devices continue to lead the way in energy-efficient, high-performance electronics.

How Are GaN Semiconductor Devices Supporting the Growth of Electric Vehicles, 5G, and Renewable Energy?

GaN semiconductor devices are playing a crucial role in supporting the growth of electric vehicles (EVs), 5G infrastructure, and renewable energy technologies by offering the high efficiency, power density, and performance needed for these rapidly evolving sectors. In the EV industry, GaN devices are enabling more efficient power conversion in onboard chargers, inverters, and power management systems. Their higher switching speeds and lower energy losses compared to traditional silicon components allow for lighter, more compact systems with improved energy efficiency, which in turn leads to longer driving ranges and faster charging times. GaN technology is helping automakers reduce the size and weight of power electronics in EVs, contributing to overall vehicle efficiency and performance, while also reducing the cost and complexity of EV systems.

In the telecommunications sector, GaN semiconductor devices are integral to the rollout of 5G networks, which require higher-frequency, higher-power RF components. GaN’s ability to operate at millimeter-wave frequencies (30-300 GHz) with high power efficiency makes it a perfect fit for 5G base stations, RF amplifiers, and small cell networks. These devices support faster data transmission, lower latency, and increased bandwidth, all of which are critical for the high-speed, low-latency requirements of 5G communication. GaN technology is also helping to reduce energy consumption in telecom infrastructure, a key factor as 5G networks expand globally.

In renewable energy systems, GaN devices are used to improve the efficiency of power converters and inverters, which are essential for converting energy from sources like solar panels and wind turbines into usable electricity. GaN’s high efficiency and low power loss enable more effective energy conversion, reducing waste and increasing the overall output of renewable energy systems. This makes GaN semiconductor devices crucial for optimizing the performance of solar inverters, wind power converters, and energy storage systems. As the world continues to transition to greener energy sources, GaN technology is helping to maximize the efficiency and reliability of renewable energy infrastructure.

What’s Driving the Growth of the GaN Semiconductor Device Market?

Several factors are driving the rapid growth of the GaN semiconductor device market, including the increasing demand for energy-efficient technologies, the expansion of electric vehicles, and the rollout of 5G networks. One of the primary drivers is the global push towards energy efficiency and sustainability. As industries, governments, and consumers seek to reduce energy consumption and minimize environmental impact, GaN devices are emerging as a key solution due to their ability to operate with higher efficiency and lower power losses than traditional silicon components. In sectors such as consumer electronics, automotive, and telecommunications, the demand for more energy-efficient power conversion systems is fueling the adoption of GaN semiconductor devices.

The rise of electric vehicles (EVs) is another major factor contributing to the growth of the GaN market. As automakers continue to invest in EV development and infrastructure, the need for more efficient power electronics is increasing. GaN devices offer significant advantages over silicon in terms of size, weight, and energy efficiency, making them an ideal choice for EV powertrains, charging systems, and power management. With governments worldwide setting ambitious targets for the adoption of electric vehicles, the demand for GaN-based power electronics is expected to surge in the coming years.

The global rollout of 5G networks is also a key driver of the GaN semiconductor device market. As telecom providers build out the infrastructure needed to support 5G’s higher frequencies and faster data rates, GaN devices are being widely adopted for their superior performance in RF applications. GaN’s ability to operate at high frequencies with minimal power loss makes it a vital component in 5G base stations, antennas, and RF amplifiers. The expansion of 5G is expected to drive sustained demand for GaN semiconductor devices as telecom operators continue to deploy the next generation of wireless communication networks.

What Future Trends Are Shaping the Development of GaN Semiconductor Devices?

Several emerging trends are shaping the future development of GaN semiconductor devices, including the growing integration of GaN with silicon, advancements in packaging technologies, and the rise of GaN in consumer electronics. One of the most notable trends is the increasing use of GaN-on-silicon (GaN-on-Si) technology, which combines the cost-effectiveness and scalability of silicon with the superior performance of GaN. This hybrid approach is making GaN devices more affordable and easier to integrate into existing silicon-based systems, driving broader adoption across industries. GaN-on-Si technology is particularly attractive in high-volume markets such as consumer electronics, where cost and performance need to be carefully balanced.

Another key trend is the advancement in packaging technologies for GaN devices. As GaN operates at higher power densities and temperatures than silicon, effective thermal management and packaging are essential for maintaining reliability and performance. Innovations in packaging, such as chip-scale packaging (CSP) and advanced thermal materials, are allowing GaN devices to handle higher power loads while reducing size and weight. These advancements are crucial for applications in electric vehicles, aerospace, and industrial automation, where space and thermal constraints are critical. Improved packaging solutions will further expand the use of GaN devices in demanding environments.

The increasing use of GaN in consumer electronics is another trend shaping the future of this market. GaN-based power adapters and chargers, for example, are becoming popular due to their compact size and high efficiency. GaN transistors allow for faster, cooler, and smaller power supplies, making them ideal for laptops, smartphones, and other portable devices. As consumers demand more compact and efficient electronics, GaN technology is poised to become a standard in the consumer electronics market. As these trends continue to develop, GaN semiconductor devices will play an increasingly important role in driving innovation and efficiency across a wide range of industries.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the GaN Semiconductor Devices market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Segment (Opto-Semiconductors, Power Semiconductors, GaN Radio Frequency Devices); End-Use (Automotive, Consumer Electronics, Aerospace & Defense, Healthcare, Information & Communication Technology, Other End-Uses)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; and Rest of Europe); Asia-Pacific; Rest of World.

Select Competitors (Total 17 Featured) -

TABLE OF CONTENTS

I. METHODOLOGY

II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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