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세계의 질화갈륨(GaN) 반도체 디바이스 시장
Gallium Nitride Semiconductor Devices
상품코드 : 1791855
리서치사 : Global Industry Analysts, Inc.
발행일 : 2025년 08월
페이지 정보 : 영문 582 Pages
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한글목차

세계의 질화갈륨(GaN) 반도체 디바이스 시장은 2030년까지 121억 달러에 이를 전망

2024년에 31억 달러로 추정되는 질화갈륨(GaN) 반도체 디바이스 세계 시장은 분석 기간인 2024-2030년 CAGR 25.2%로 성장하여 2030년에는 121억 달러에 이를 것으로 예측됩니다. 본 보고서에서 분석한 부문 중 하나인 GaN 무선 주파수 디바이스는 CAGR 24.0%를 나타내고, 분석 기간 종료시에는 69억 달러에 이를 것으로 예측됩니다. Opto-Semiconductors 분야의 성장률은 분석 기간중 CAGR 27.5%로 추정됩니다.

미국 시장은 8억 5,530만 달러로 추정, 중국은 CAGR 33.0%로 성장 예측

미국의 질화갈륨(GaN) 반도체 디바이스 시장은 2024년에 8억 5,530만 달러로 평가되었습니다. 세계 2위 경제대국인 중국은 2030년까지 29억 달러 규모에 이를 것으로 예측되며, 분석 기간인 2024-2030년 CAGR은 33.0%로 추정됩니다. 기타 주목해야 할 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있으며, 분석 기간중 CAGR은 각각 20.4%와 22.5%를 보일 것으로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 21.2%를 보일 전망입니다.

세계의 질화갈륨(GaN) 반도체 디바이스 시장 - 주요 동향과 촉진요인 정리

질화갈륨(GaN)이 반도체 산업을 변화시키는 이유는 무엇일까?

질화갈륨(GaN) 반도체 디바이스는 기존 실리콘 기반 반도체에 비해 뛰어난 성능, 효율성, 내구성을 제공함으로써 전자산업에 혁명을 일으키고 있습니다. GaN의 넓은 밴드갭 특성은 더 높은 전력 밀도, 더 빠른 스위칭 속도, 더 나은 열전도율을 가능하게 하여 고효율과 신뢰성이 요구되는 용도에 이상적인 소재입니다. 통신, 자동차, 가전, 국방 등의 산업에서 전력 관리, 신호 전송, 전체 시스템 성능을 향상시키기 위해 GaN 기반 반도체를 빠르게 채택하고 있습니다.

5G 네트워크의 보급 확대는 GaN 반도체 디바이스 채택의 큰 계기가 되고 있습니다. 또한, GaN은 전력전자 분야에서도 중요한 역할을 하고 있으며, 전기자동차(EV), 재생에너지 시스템, 고효율 전원공급장치 등에 사용되고 있습니다. GaN은 고전압 대응과 고주파수에서의 동작에서 우수한 성능을 발휘하기 때문에 차세대 파워 디바이스로 선택되고 있습니다. 산업계가 소형, 에너지 효율, 고성능 전자기기로 전환함에 따라 GaN 반도체 디바이스에 대한 수요는 지속적으로 증가하고 있습니다.

기술 발전은 GaN 반도체 디바이스의 효율을 어떻게 향상시키고 있는가?

GaN 제조 기술의 지속적인 연구개발을 통해 GaN 반도체 디바이스의 효율성, 확장성 및 비용 효율성이 크게 향상되었습니다. 유기금속화학기상증착법(MOCVD) 등 에피택셜 성장 기술의 혁신으로 결함이 적고 전기적 특성이 향상된 고품질의 GaN 웨이퍼를 생산할 수 있게 되었습니다. 또한, GaN-on-Si(GaN-on-Si) 기술의 발전으로 GaN 반도체를 기존 실리콘 제조 인프라와 통합할 수 있게 되어 제조 비용 절감과 상업적 보급이 가속화되고 있습니다.

GaN 기반 집적회로(IC) 및 시스템온칩(SoC) 솔루션의 개발로 고주파 통신, 위성 기술, 레이더 시스템에서 GaN 반도체의 적용이 더욱 확대되었습니다. 또한, 방열 기능이 강화된 GaN 파워 트랜지스터를 포함한 열 관리 솔루션의 개선으로 까다로운 환경에서 GaN 디바이스의 신뢰성과 수명이 향상되었습니다. GaN 제조 방법의 개선과 소자 성능 최적화를 위한 연구가 진행됨에 따라 GaN 반도체의 보급은 다양한 산업 분야에서 가속화될 것으로 예측됩니다.

GaN 반도체 디바이스 수요를 주도하는 산업 및 시장 세분화는?

통신 분야는 특히 5G 인프라, RF 증폭기, 위성 통신에서의 역할로 인해 GaN 반도체 디바이스 채택의 가장 큰 촉진제 중 하나입니다. 자동차 업계도 전기차(EV) 배터리 충전기, 인버터, 드라이브트레인 시스템에 GaN 기반 파워 일렉트로닉스를 빠르게 통합하여 에너지 효율과 성능을 향상시키고 있습니다. 또한, 항공우주 및 방위산업은 레이더 시스템, 고주파 센서, 차세대 통신 네트워크에 GaN 반도체를 활용하고 있습니다.

GaN 기술의 활용은 가전기기 시장에서도 증가하고 있으며, 특히 급속 충전 전원 어댑터, 고효율 LED 조명, 고급 오디오 앰프 등에 활용되고 있습니다. 데이터센터 및 클라우드 컴퓨팅 인프라의 확장은 고효율 및 에너지 소비 감소를 가능하게 하는 GaN 기반 전원 관리 솔루션에 대한 수요를 더욱 증가시키고 있습니다. 여러 고성장 산업에서 채택이 증가함에 따라 GaN 반도체 디바이스는 현대 전자 및 전력 시스템의 초석이 되고 있습니다.

시장 성장을 이끄는 주요 요인은?

질화갈륨(GaN) 반도체 디바이스 시장의 성장을 견인하는 것은 고속 통신의 발전, 전기자동차의 채택 확대, GaN 제조 기술의 개선입니다. 5G 네트워크와 차세대 무선 통신 시스템의 급속한 확장은 GaN RF 부품에 대한 수요를 촉진하고, 에너지 효율적인 전력 솔루션으로의 전환은 파워 일렉트로닉스 분야에서의 사용을 가속화하고 있습니다. 또한, 전자 부품의 소형화와 GaN 기술의 가전제품에의 통합이 시장 성장에 기여하고 있습니다. GaN의 연구개발에 대한 지속적인 투자로 시장은 더욱 확대될 것이며, 차세대 반도체 응용 분야에서 GaN의 역할이 더욱 강화될 것입니다.

부문

제품(GaN 고주파 디바이스, 광반도체, 파워 반도체), 부품(파워 IC부품, 트랜지스터 부품, 정류기 부품, 다이오드 부품, 기타 부품), 웨이퍼 사이즈(2인치 사이즈, 4인치 사이즈, 6인치 사이즈, 8인치 사이즈), 용도(조명·레이저 용도, 파워 드라이브 용도, 전력·인버터 용도, 고주파 용도), 최종 용도(자동차 최종 용도, 가전 최종 용도, 방위 및 항공우주 최종 용도, 헬스케어 최종 용도, 산업·전력 최종 용도, 정보·통신기술 최종 용도, 기타 최종 용도)

조사 대상 기업 예

AI 통합

Global Industry Analysts는 유효한 전문가 컨텐츠와 AI툴에 의해서, 시장 정보와 경쟁 정보를 변혁하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 일반적인 LLM나 업계별 SLM 쿼리에 따르는 대신에, 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 대량 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등, 전 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사 소재지, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기준으로 기업의 경쟁력 변화를 예측했습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 수익원가(COGS) 증가, 수익성 하락, 공급망 재편 등 미시적, 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예측됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

LSH
영문 목차

영문목차

Global Gallium Nitride Semiconductor Devices Market to Reach US$12.1 Billion by 2030

The global market for Gallium Nitride Semiconductor Devices estimated at US$3.1 Billion in the year 2024, is expected to reach US$12.1 Billion by 2030, growing at a CAGR of 25.2% over the analysis period 2024-2030. GaN Radio Frequency Devices, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 24.0% CAGR and reach US$6.9 Billion by the end of the analysis period. Growth in the Opto-Semiconductors segment is estimated at 27.5% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$855.3 Million While China is Forecast to Grow at 33.0% CAGR

The Gallium Nitride Semiconductor Devices market in the U.S. is estimated at US$855.3 Million in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$2.9 Billion by the year 2030 trailing a CAGR of 33.0% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 20.4% and 22.5% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 21.2% CAGR.

Global Gallium Nitride Semiconductor Devices Market - Key Trends & Drivers Summarized

Why is Gallium Nitride (GaN) Transforming the Semiconductor Industry?

Gallium nitride (GaN) semiconductor devices are revolutionizing the electronics industry by offering superior performance, efficiency, and durability compared to traditional silicon-based semiconductors. GaN’s wide-bandgap properties enable higher power density, faster switching speeds, and better thermal conductivity, making it an ideal material for applications requiring high efficiency and reliability. Industries such as telecommunications, automotive, consumer electronics, and defense are rapidly adopting GaN-based semiconductors to improve power management, signal transmission, and overall system performance.

The increasing deployment of 5G networks has been a major catalyst for the adoption of GaN semiconductor devices, as they enable faster and more efficient RF (radio frequency) signal transmission. Additionally, GaN is playing a crucial role in power electronics, where it is being used in electric vehicles (EVs), renewable energy systems, and high-efficiency power supplies. The superior performance of GaN in handling high voltages and operating at higher frequencies has made it the preferred choice for next-generation power devices. As industries transition toward more compact, energy-efficient, and high-performance electronics, the demand for GaN semiconductor devices continues to rise.

How are Technological Advancements Enhancing the Efficiency of GaN Semiconductor Devices?

Continuous research and development in GaN fabrication technologies have significantly improved the efficiency, scalability, and cost-effectiveness of GaN semiconductor devices. Innovations in epitaxial growth techniques, such as metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), have enabled the production of high-quality GaN wafers with fewer defects and enhanced electrical properties. Additionally, advancements in GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) technology have made it possible to integrate GaN semiconductors with existing silicon manufacturing infrastructure, reducing production costs and accelerating commercial adoption.

The development of GaN-based integrated circuits (ICs) and system-on-chip (SoC) solutions has further expanded the application of GaN semiconductors in high-frequency communications, satellite technology, and radar systems. Furthermore, improvements in thermal management solutions, including GaN power transistors with enhanced heat dissipation capabilities, have increased the reliability and longevity of GaN devices in demanding environments. As research continues to refine GaN production methods and optimize device performance, the widespread adoption of GaN semiconductors is expected to accelerate across various industries.

Which Industries and Market Segments Are Driving Demand for GaN Semiconductor Devices?

The telecommunications sector is one of the biggest drivers of GaN semiconductor device adoption, particularly for its role in 5G infrastructure, RF amplifiers, and satellite communications. The automotive industry is also rapidly integrating GaN-based power electronics into electric vehicle (EV) battery chargers, inverters, and drivetrain systems, enhancing energy efficiency and performance. Additionally, the aerospace and defense industries utilize GaN semiconductors in radar systems, high-frequency sensors, and next-generation communication networks.

The consumer electronics market has also seen increased use of GaN technology, particularly in fast-charging power adapters, high-efficiency LED lighting, and advanced audio amplifiers. The expansion of data centers and cloud computing infrastructure has further boosted demand for GaN-based power management solutions, as they enable higher efficiency and reduced energy consumption. With increasing adoption across multiple high-growth industries, GaN semiconductor devices are becoming a cornerstone of modern electronic and power systems.

What Key Factors Are Driving Market Growth?

The growth in the gallium nitride semiconductor devices market is driven by advancements in high-speed communication, increasing adoption in electric vehicles, and improvements in GaN fabrication techniques. The rapid expansion of 5G networks and next-generation wireless communication systems has fueled demand for GaN RF components, while the shift toward energy-efficient power solutions has accelerated its use in power electronics. Additionally, the miniaturization of electronic components and the integration of GaN technology in consumer electronics have contributed to market growth. With continued investment in GaN research and development, the market is set to expand further, reinforcing its role in next-generation semiconductor applications.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the Gallium Nitride Semiconductor Devices market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Product (GaN Radio Frequency Devices, Opto-Semiconductors, Power Semiconductors); Component (Power IC Component, Transistor Component, Rectifier Component, Diode Component, Other Components); Wafer Size (2-Inch Size, 4-Inch Size, 6-Inch Size, 8-Inch Size); Application (Lighting & Lasers Application, Power Drives Application, Supplies & Inverters Application, Radio Frequency Application); End-Use (Automotive End-Use, Consumer Electronics End-Use, Defense & Aerospace End-Use, Healthcare End-Use, Industrial & Power End-Use, Information & Communication Technology End-Use, Other End-Uses)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; Spain; Russia; and Rest of Europe); Asia-Pacific (Australia; India; South Korea; and Rest of Asia-Pacific); Latin America (Argentina; Brazil; Mexico; and Rest of Latin America); Middle East (Iran; Israel; Saudi Arabia; United Arab Emirates; and Rest of Middle East); and Africa.

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II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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