질화갈륨(GaN) 에피웨이퍼 : 세계 시장 점유율과 순위, 총판매량 및 수요 예측(2025-2031년)
Gallium Nitride (GaN) Epiwafers - Global Market Share and Ranking, Overall Sales and Demand Forecast 2025-2031
상품코드:1871962
리서치사:QYResearch
발행일:2025년 10월
페이지 정보:영문
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세계의 질화갈륨(GaN) 에피웨이퍼 시장 규모는 2024년에 6억 4,600만 달러로 추정되며, 2025-2031년의 예측 기간에 CAGR 16.3%로 확대하며, 2031년까지 17억 5,900만 달러로 재조정될 전망입니다.
이 보고서는 질화갈륨(GaN) 에피웨이퍼에 대한 최근 관세 조정과 국제적인 전략적 대응 조치에 대해 국경 간 산업적 발자취, 자본 배분 패턴, 지역 경제의 상호의존성, 공급망 재편 등의 관점에서 종합적인 평가를 제공합니다.
에피택셜 웨이퍼는 단결정 기판 위에 새로운 단결정 층을 성장시켜 형성된 제품을 말합니다. 에피택셜 웨이퍼는 소자 성능의 약 70%를 결정하며, 반도체 칩의 중요한 원재료입니다. 반도체 원재료인 에피택셜 웨이퍼는 반도체 산업 체인의 업스트림에 위치하여 반도체 제조 산업을 지탱하는 기반 산업입니다. 에피택셜 웨이퍼 제조업체는 CVD(화학기상증착) 장비, MBE(분자선 에피택시) 장비, HVPE 장비 등을 사용하여 기판 재료 위에 결정 에피택셜 성장을 통해 에피택셜 웨이퍼를 제조합니다. 이후 에피택셜 웨이퍼는 리소그래피, 박막 증착, 에칭 등의 제조 공정을 거쳐 웨이퍼로 가공됩니다. 웨이퍼는 베어칩으로 절단되고, 베어칩은 기판에 고정, 보호 쉘 추가, 칩 회로 핀과 외부 기판과의 와이어 연결 등의 패키징 공정과 회로 테스트, 성능 테스트 등의 검사 과정을 거쳐 최종적으로 칩이 됩니다. 위의 칩 제조 공정은 최종 제품이 설계 요구 사항을 충족시키기 위해 칩 설계 공정과 연계되어야 합니다.
질화갈륨의 특성에 따라 질화갈륨 에피택셜 웨이퍼는 주로 고전력, 고주파, 중저전압 응용에 적합하며, 구체적으로 다음과 같은 특징이 있습니다. 1, 높은 밴드갭 폭: 높은 밴드갭 폭은 질화갈륨 소자의 내전압 레벨을 향상시켜 비화갈륨 소자보다 높은 출력을 가능하게 합니다. 보다 높은 출력이 가능합니다. 특히 5G 통신 기지국, 군용 레이더 등의 분야에 적합합니다. 2, 높은 변환 효율: 질화갈륨 스위칭 전력 전자 소자의 온 저항은 실리콘 소자의 온 저항보다 세 배나 낮으며, 스위칭 전도 손실을 크게 줄일 수 있습니다. 3, 높은 열전도율: 질화갈륨의 높은 열전도율은 우수한 방열 성능을 가져와 고전력 및 고온 환경에서의 장치 제조에 적합합니다. 4, 절연 파괴 전계 강도: 질화갈륨의 절연 파괴 전계 강도는 질화규소와 비슷하지만, 반도체 기술 및 재료 격자 불일치 등의 요인에 영향을 받습니다. 질화갈륨 소자의 내압은 보통 1000V 내외이며, 안전 작동 전압은 보통 650V 이하입니다.
GaN 소자는 실리콘 소자보다 전자를 더 효율적으로 전도할 수 있고, 더 높은 전기장을 견딜 수 있습니다. 속도, 온도, 전력 측면에서 실리콘 소자의 성능을 능가하며 전력 변환 및 RF 용도에서 실리콘 기반 소자를 점차 대체하고 있습니다. GaN 기반 시스템은 효율이 높고, 크기가 크게 줄어들고, 가볍고, 방열 성능이 우수하여 시장에서 기존 실리콘 소자를 대체하기 시작했으며, 라이더 및 RF 엔벨로프 추적과 같은 새로운 응용 분야를 가능하게 하고 있습니다.
LED 칩 기술 및 공정의 지속적인 업데이트와 세대교체를 통해 LED 조명 제품의 광효율, 기술 성능, 제품 품질, 비용 대비 성능이 크게 향상되었습니다. 또한 관련 기업 증가와 산업 체인에 대한 투자 확대에 따라 LED 광원 제조 및 관련 산업의 생산 및 제조 기술이 지속적으로 고도화되어 최종 제품의 대규모 생산 비용 효율성이 더욱 향상되고 있습니다. 현재 LED 조명 제품은 가정용 조명, 야외 조명, 산업 조명, 상업용 조명, 경관 조명, 디스플레이 백라이트 등의 응용 분야에서 주류 응용 제품으로 자리 잡았습니다. 기존 조명 제품을 대체하는 LED 조명 제품 시장 보급률이 지속적으로 상승하고 있으며, 시장 수요도 지속적으로 확대되고 있습니다. 마이크로 LED 디스플레이 기술 개발 및 산업화에는 여전히 많은 과제가 있습니다. 동시에, 마이크로 LED 에피택시는 기존 LED보다 결함 및 균일성에 대한 요구가 더 엄격합니다. 앞으로 질화갈륨 기술이 LED 광전자 분야에 침투하는 범위는 점차 확대될 것입니다.
이 보고서는 세계 질화갈륨(GaN) 에피웨이퍼 시장에 대해 총판매량, 판매 매출, 가격, 주요 기업의 시장 점유율 및 순위를 중심으로 지역별, 국가별, 유형별, 용도별 분석을 종합적으로 제시하는 것을 목적으로 합니다.
이 보고서는 2024년을 기준 연도로 하여 2020-2031년의 과거 데이터와 예측 데이터를 바탕으로 갈륨 나이탈리아드(GaN) 에피웨이퍼 시장 규모와 판매량(천 단위) 및 매출액(백만 달러)을 추정-예측하여 분석했습니다. 정량적, 정성적 분석을 통해 독자들이 질화갈륨(GaN) 에피웨이퍼에 대한 비즈니스/성장 전략 수립, 시장 경쟁 평가, 현재 시장에서의 포지셔닝 분석 및 정보에 입각한 비즈니스 의사결정을 내릴 수 있도록 도와드립니다.
시장 세분화
기업별
NTT AT
Wolfspeed
SCIOCS(Sumitomo)
EpiGaN(Soitec)
DOWA Electronics Materials
IQE
Enkris Semiconductor Inc
CorEnergy
GLC
Genettice
Suzhou Nanowin
Episil-Precision Inc
Xinguan Technology
Shanxi Yuteng
유형별 부문
GaN-on-Sapphire
GaN-On-Si
GaN-on-SiC
GaN-on-GaN
기타
용도별 부문
광전
전자 파워
마이크로파 RF
지역별
북미
미국
캐나다
아시아태평양
중국
일본
한국
동남아시아
인도
호주
기타 아시아태평양
유럽
독일
프랑스
영국
이탈리아
네덜란드
북유럽 국가
기타 유럽
라틴아메리카
멕시코
브라질
기타 라틴아메리카
중동 및 아프리카
튀르키예
사우디아라비아
아랍에미리트
기타 중동 및 아프리카
KSA
영문 목차
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The global market for Gallium Nitride (GaN) Epiwafers was estimated to be worth US$ 646 million in 2024 and is forecast to a readjusted size of US$ 1759 million by 2031 with a CAGR of 16.3% during the forecast period 2025-2031.
This report provides a comprehensive assessment of recent tariff adjustments and international strategic countermeasures on Gallium Nitride (GaN) Epiwafers cross-border industrial footprints, capital allocation patterns, regional economic interdependencies, and supply chain reconfigurations.
Epitaxial wafer refers to a product formed by growing a layer of new single crystal on a single crystal substrate. Epitaxial wafer determines about 70% of the performance of the device and is an important raw material for semiconductor chips. As a semiconductor raw material, epitaxial wafer is located at the upstream of the semiconductor industry chain and is a supporting industry for the semiconductor manufacturing industry. Epitaxial wafer manufacturers use CVD (Chemical Vapor Deposition) equipment, MBE (Molecular Beam Epitaxy) equipment, HVPE equipment, etc. to perform crystal epitaxial growth on substrate materials to make epitaxial wafers. Epitaxial wafers are then made into wafers through manufacturing links such as lithography, thin film deposition, and etching. Wafers are further cut into bare chips, and bare chips are finally made into chips through packaging links such as fixing on the substrate, adding a protective shell, connecting the chip circuit pins with the external substrate with wires, and testing links such as circuit testing and performance testing. The above chip production links need to interact with the chip design link to ensure that the final chip meets the chip design requirements.
Based on the performance of gallium nitride, gallium nitride epitaxial wafers are mainly suitable for applications under high power, high frequency, medium and low voltage, which are specifically reflected in: 1) High bandgap width: The high bandgap width improves the voltage resistance level of gallium nitride devices and can output higher power than gallium arsenide devices, which is particularly suitable for 5G communication base stations, military radars and other fields; 2) High conversion efficiency: The on-resistance of gallium nitride switching power electronic devices is 3 orders of magnitude lower than that of silicon devices, which can significantly reduce switching conduction losses; 3) High thermal conductivity: The high thermal conductivity of gallium nitride gives it excellent heat dissipation performance, which is suitable for the production of devices in high power, high temperature and other fields; 4) Breakdown electric field strength: Although the breakdown electric field strength of gallium nitride is close to that of silicon nitride, it is affected by factors such as semiconductor technology and material lattice mismatch. The voltage tolerance of gallium nitride devices is usually around 1000V, and the safe operating voltage is usually below 650V.
GaN devices can conduct electrons more efficiently than silicon devices and can withstand higher electric fields. It exceeds the performance of silicon devices in terms of speed, temperature and power, and has gradually replaced silicon-based devices in power conversion and RF applications. Due to the higher efficiency, significantly reduced size, lighter weight and better heat dissipation performance of GaN-based systems, it has begun to replace traditional silicon devices on the market and has enabled new applications such as lidar and RF envelope tracking.
With the continuous update and generation of LED chip technology and process, the luminous efficiency, technical performance, product quality and cost-effectiveness of LED lighting products have been greatly improved; coupled with the increasing number of related enterprises and investments in the industrial chain, the production and manufacturing technology of LED light source manufacturing and supporting industries has been continuously upgraded, and the cost-effectiveness of large-scale production of terminal products has been further improved. At present, LED lighting products have become the mainstream application in application fields such as home lighting, outdoor lighting, industrial lighting, commercial lighting, landscape lighting, backlight display, etc. The market penetration rate of LED lighting products replacing traditional lighting products continues to increase, and market demand continues to grow. There are still many difficulties in the development and industrialization of Micro-LED display technology. At the same time, Micro-LED epitaxy has stricter requirements on defects and uniformity than traditional LEDs. In the future, the penetration of gallium nitride technology in the LED optoelectronic field will gradually expand.
This report aims to provide a comprehensive presentation of the global market for Gallium Nitride (GaN) Epiwafers, focusing on the total sales volume, sales revenue, price, key companies market share and ranking, together with an analysis of Gallium Nitride (GaN) Epiwafers by region & country, by Type, and by Application.
The Gallium Nitride (GaN) Epiwafers market size, estimations, and forecasts are provided in terms of sales volume (K Units) and sales revenue ($ millions), considering 2024 as the base year, with history and forecast data for the period from 2020 to 2031. With both quantitative and qualitative analysis, to help readers develop business/growth strategies, assess the market competitive situation, analyze their position in the current marketplace, and make informed business decisions regarding Gallium Nitride (GaN) Epiwafers.
Market Segmentation
By Company
NTT AT
Wolfspeed
SCIOCS (Sumitomo)
EpiGaN (Soitec)
DOWA Electronics Materials
IQE
Enkris Semiconductor Inc
CorEnergy
GLC
Genettice
Suzhou Nanowin
Episil-Precision Inc
Xinguan Technology
Shanxi Yuteng
Segment by Type
GaN-on-Sapphire
GaN-On-Si
GaN-On-SiC
GaN-on-GaN
Others
Segment by Application
Photoelectric
Electronic Power
Microwave RF
By Region
North America
United States
Canada
Asia-Pacific
China
Japan
South Korea
Southeast Asia
India
Australia
Rest of Asia-Pacific
Europe
Germany
France
U.K.
Italy
Netherlands
Nordic Countries
Rest of Europe
Latin America
Mexico
Brazil
Rest of Latin America
Middle East & Africa
Turkey
Saudi Arabia
UAE
Rest of MEA
Chapter Outline
Chapter 1: Introduces the report scope of the report, global total market size (value, volume and price). This chapter also provides the market dynamics, latest developments of the market, the driving factors and restrictive factors of the market, the challenges and risks faced by manufacturers in the industry, and the analysis of relevant policies in the industry.
Chapter 2: Detailed analysis of Gallium Nitride (GaN) Epiwafers manufacturers competitive landscape, price, sales and revenue market share, latest development plan, merger, and acquisition information, etc.
Chapter 3: Provides the analysis of various market segments by Type, covering the market size and development potential of each market segment, to help readers find the blue ocean market in different market segments.
Chapter 4: Provides the analysis of various market segments by Application, covering the market size and development potential of each market segment, to help readers find the blue ocean market in different downstream markets.
Chapter 5: Sales, revenue of Gallium Nitride (GaN) Epiwafers in regional level. It provides a quantitative analysis of the market size and development potential of each region and introduces the market development, future development prospects, market space, and market size of each country in the world.
Chapter 6: Sales, revenue of Gallium Nitride (GaN) Epiwafers in country level. It provides sigmate data by Type, and by Application for each country/region.
Chapter 7: Provides profiles of key players, introducing the basic situation of the main companies in the market in detail, including product sales, revenue, price, gross margin, product introduction, recent development, etc.
Chapter 8: Analysis of industrial chain, including the upstream and downstream of the industry.
