GaN HEMT 에피택셜 웨이퍼 시장 : 점유율 및 순위, 총 매출 및 수요 예측(2026-2032년)
GaN HEMT Epitaxial Wafer - Global Market Share and Ranking, Overall Sales and Demand Forecast 2026-2032
상품코드:1923680
리서치사:QYResearch
발행일:2026년 01월
페이지 정보:영문
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한글목차
세계의 GaN HEMT 에피택셜 웨이퍼 시장 규모는 2025년 5억 5,490만 달러로 추정되며, 2026년부터 2032년까지 예측 기간 동안 CAGR 10.38%로 성장하여 2032년까지 11억 2,000만 달러로 확대될 것으로 예측됩니다.
세계의 GaN-on-SiC 웨이퍼 시장 규모는 2025년에 2억 7,100만 달러로 추정되며, 2026년부터 2032년까지 예측 기간 동안 CAGR 5.0%로 성장하고 2032년까지 3억 7,800만 달러로 확대될 것으로 예측됩니다.
의 GaN-on-Si 웨이퍼 시장은 2025년에 2억 5,600만 달러로 추정되며, 2026년부터 2032년까지 예측 기간 동안 14.17%의 연평균 복합 성장률(CAGR)로 성장하여 2032년까지 6억 7,800만 달러로 확대될 것으로 예측됩니다.
북미의 GaN HEMT 에피택셜 웨이퍼 시장은 2025년에 1억 7,026만 달러로 평가되었고, 2026년부터 2032년까지 예측 기간 동안 CAGR 7.32%로 추이하고, 2032년까지 2억 7,953만 달러에 이를 전망입니다.
유럽의 GaN HEMT 에피택셜 웨이퍼 시장은 2025년에 1억 465만 달러로 평가되었고, 2026년부터 2032년까지의 예측 기간 동안 CAGR 5.89%로 성장하여 2032년까지 1억 5,625만 달러에 이를 전망입니다.
중국 본토의 GaN HEMT 에피택셜 웨이퍼 시장은 2025년에 1억 9,655만 달러로 평가되었고, 2026년부터 2032년까지 예측 기간 중 CAGR 14.7%로 성장을 지속하여, 2032년까지 5억 3,321만 달러에 이를 전망입니다.
일본의 GaN HEMT 에피택셜 웨이퍼 시장은 2025년 3,246만 달러로 평가되었고, 2026년부터 2032년까지의 예측 기간 동안 CAGR 8.2%로 성장하며, 2032년까지 5,728만 달러에 이를 것으로 전망됩니다.
GaN HEMT 에피택셜 웨이퍼의 세계 주요 기업으로는 Qorvo, Wolfspeed, Inc, NTT Advanced Technology (NTT-AT) , Enkris Semiconductor Inc, IQE, CETC 55, Soitec (EpiGaN) , DOWA Electronics Materials, Sumitomo Electric Device Innovations, CETC 13, Dynax Semiconductor, NXP, Sanan Optoelectronics, Renesas Electronics (Transphorm) 등을 들 수 있습니다. 2025년 시점에서 세계 상위 6개 기업의 수익 점유율은 약 55%를 차지합니다.
GaN-on-SiC 웨이퍼의 주요 기업으로는 Qorvo, NXP, Wolfspeed, IQE, Soitec (EpiGaN), Sumitomo Electric Device Innovations, NTT Advanced Technology (NTT-AT), CETC 13, CETC 55, Dynax Semiconductor 등이 있습니다. 2025년에는 주요 10개사가 세계 시장의 80% 이상을 차지할 전망입니다.
GaN-on-Si 웨이퍼의 주요 기업으로는 Innoscience, IQE, NTT Advanced Technology (NTT-AT), DOWA Electronics Materials, Enkris Semiconductor Inc 등이 있습니다. 2025년에는 상위 4개사가 세계 시장의 70% 이상을 차지할 전망입니다.
세계의 GaN HEMT 에피택셜 웨이퍼 산업은 '산업 규모 확대' 단계로 이동하여 명확한 플랫폼 분기를 볼 수 있습니다. GaN-on-Si는 파워 GaN의 양산 기반(200mm/8인치에 의한 비용 절감과 300mm로의 로드맵)인 반면 GaN-on-SiC는 열성능과 RF 손실이 총 소유 비용을 좌우하는 RF GaN용 프리미엄 플랫폼으로 자리매김하고 있습니다. 수요 전망은 파워 GaN 디바이스의 채택이 급속히 확대될 것으로 예상에 따라 강해지고 있습니다. 당사는 파워 GaN 디바이스 시장이 2032년까지 약 25억 달러에 달할 것으로 예측했습니다. 공급면에서 스케일링은 대형 직경 에피택시 능력과 처리량 투자에 의해 추진되고 있습니다. 중국 거점의 InnoScience는 8인치 GaN-on-Si 웨이퍼의 양산 달성을 표명하고 있으며, 200mm GaN-on-Si가 실험 단계에서 산업 단계로 이행한 것을 나타냅니다. 병행하여, 유럽의 오픈 에코시스템에서는 RF 등급 에피택시의 양산화가 진행되고 있습니다. 예를 들어 SweGaN의 설비 계획에서는 연간 최대 4만장(100/150mm)의 GaN-on-SiC 에피웨이퍼를 대량생산 목표로 하고 있으며, 150mm GaN-on-SiC 공급의 파일럿량을 넘은 산업화 추진이 반영되고 있습니다. 두 번째 구조적 동향은 제조성 향상과 더 큰 직경의 후층화 및 고전압화를 실현하는 설계 기판의 대두입니다. Shin-Etsu Chemical은 150mm 및 200mm QST 기판 및 GaN-on-QST 에피택셜 기판의 판매 실적을 명시적으로 확인하고 있으며 300mm QST의 개발도 진행하고 있습니다. 이는 파워 디바이스용 대체 플랫폼에 대한 실제 상업적 수요를 보여줍니다.
향후 성장은 시스템 수준의 전기 및 효율화(고출력화가 진행되는 급속 충전기, 데이터센터 및 통신 분야의 전력 밀도 요건, 산업용 전력 변환)에 더해 GaN-on-SiC를 고부가가치 분야에 두는 RF 인프라, 방위, 위성 통신 분야의 지속적인 수요에 의해 견인됩니다. 표준화는 채택 장벽을 줄이면서 에피택셜 디바이스의 견고성 기준을 높였습니다. JEDEC의 JEP180은 전력 변환 조건 하에서 GaN 파워 디바이스의 스위칭 신뢰성 평가에 대한 공통 기법을 수립하여 업계의 "DC 파라메트릭"에서 용도 관련 스트레스 검증으로의 전환을 강화하고 있습니다. 정책은 점점 더 1차적인 변수가 되고 있습니다. GaN 공급망은 전략적이고 자본 투자 집약적이기 때문입니다. 미국 CHIPS and Science Act는 반도체 제조 및 연구 프로그램에 대해 5년간 527억 달러를 기부하여 국내 생산 능력과 중요한 공급망 투자를 지원합니다. EU의 Chips Act도 마찬가지로 탄력성을 목표로 하고, 2030년까지 유럽의 반도체 세계 시장 점유율을 20%로 두배로 증가시킬 것을 명시적인 목표로 하고 있으며, 화합물 반도체의 파일럿 라인과 산업화의 환경 개선을 도모하고 있습니다. 중국의 14차 5개년 계획도 탄화규소, 질화갈륨, 기타 와이드밴드 갭 반도체의 개발을 명시적으로 우선시하고 있으며, 지속적인 생산능력 확대와 현지화 노력을 지원하고 있습니다.
본 보고서는 세계의 GaN HEMT 에피택셜 웨이퍼 시장에 대한 총 판매 수량, 매출, 가격, 주요 기업의 시장 점유율 및 순위에 초점을 맞추고, 지역 및 국가, 웨이퍼 유형별, 용도별 분석을 종합적으로 제시하는 것을 목적으로 하고 있습니다.
GaN HEMT 에피택셜 웨이퍼 시장 규모, 추정치, 예측치는 판매수량(개) 및 매출액(백만 달러)으로 제시되며, 2024년을 기준연도로 하며, 2020년부터 2032년까지 기간 중 과거 데이터와 예측 데이터를 포함합니다. 정량적 및 정성적 분석의 양면에서 독자가 GaN HEMT 에피택셜 웨이퍼에 관한 사업 전략 및 성장 전략의 책정, 시장 경쟁 구도의 평가, 현재의 마켓플레이스에 있어서의 자사의 위치 지정의 분석, 정보에 근거한 사업 판단을 실시하는 것을 지원합니다.
시장 세분화
기업별
Innoscience
Qorvo
Wolfspeed, Inc
NTT Advanced Technology(NTT-AT)
Enkris Semiconductor Inc
IQE
CETC 55
Soitec(EpiGaN)
DOWA Electronics Materials
Sumitomo Electric Device Innovations
CETC 13
Dynax Semiconductor
NXP
Sanan Optoelectronics
Renesas Electronics(Transphorm)
Northrop Grumman
IVWorks
Episil-Precision Inc
China Resources Microelectronics
Suzhou Nanowin Science and Technology
MACOM
CorEnergy
Shaanxi Yuteng Electronic Technology
Shin-Etsu Chemical
SweGaN
Centrasky Crystal Science(닝보)
Sino Nitride Semiconductor
Qingdao Cohenius Microelectronics
GaNcool
BTOZ
Epistar Corp.
GaN Asia Semiconductor
A-PRO Semicon
웨이퍼 유형별 부문
GaN-on-SiC 웨이퍼
GaN-on-Si 웨이퍼
GaN-on-Sapphire 웨이퍼
기타
용도별 부문
GaN HEMT RF 디바이스
GaN HEMT 파워 디바이스
지역별 부문
북미
유럽
중국
일본
한국
동남아시아
인도
JHS
영문 목차
영문목차
The global market for GaN HEMT Epitaxial Wafer was estimated to be worth US$ 554.9 million in 2025 and is forecast to a readjusted size of US$ 1,120 million by 2032 with a CAGR of 10.38% during the forecast period 2026-2032.
The global market for GaN-on-SiC Wafer was estimated to be worth US$ 271 million in 2025 and is forecast to a readjusted size of US$ 378 million by 2032 with a CAGR of 5.0% during the forecast period 2026-2032.
The global market for GaN-on-Si Wafer was estimated to be worth US$ 256 million in 2025 and is forecast to a readjusted size of US$ 678 million by 2032 with a CAGR of 14.17% during the forecast period 2026-2032.
North American market for GaN HEMT Epitaxial Wafer was valued at $ 170.26 million in 2025 and will reach $ 279.53 million by 2032, at a CAGR of 7.32 % during the forecast period of 2026 through 2032.
Europe market for GaN HEMT Epitaxial Wafer was valued at $ 104.65 million in 2025 and will reach $ 156.25 million by 2032, at a CAGR of 5.89 % during the forecast period of 2026 through 2032.
China Mainland market for GaN HEMT Epitaxial Wafer was valued at $ 196.55 million in 2025 and will reach $ 533.21 million by 2032, at a CAGR of 14.7 % during the forecast period of 2026 through 2032.
Japan market for GaN HEMT Epitaxial Wafer was valued at $ 32.46 million in 2025 and will reach $ 57.28 million by 2032, at a CAGR of 8.2% during the forecast period of 2026 through 2032.
The global key companies of GaN HEMT Epitaxial Wafer include Innoscience, Qorvo, Wolfspeed, Inc, NTT Advanced Technology (NTT-AT) , Enkris Semiconductor Inc, IQE, CETC 55, Soitec (EpiGaN) , DOWA Electronics Materials, Sumitomo Electric Device Innovations, CETC 13, Dynax Semiconductor, NXP, Sanan Optoelectronics and Renesas Electronics (Transphorm), etc. In 2025, the global six largest players hold a share approximately 55 % in terms of revenue.
The key players of GaN-on-SiC wafers include Qorvo, NXP, Wolfspeed, IQE, Soitec (EpiGaN), Sumitomo Electric Device Innovations, NTT Advanced Technology (NTT-AT), CETC 13, CETC 55 and Dynax Semiconductor, etc. In 2025, top ten players hold over 80% of global market.
The key players of GaN-on-Si wafers include Innoscience, IQE, NTT Advanced Technology (NTT-AT), DOWA Electronics Materials, and Enkris Semiconductor Inc, etc. In 2025, top four players hold over 70% of global market.
The global GaN HEMT epitaxial wafer industry has moved into an "industrial scaling" phase with a clear platform bifurcation: GaN-on-Si is the volume engine for power GaN (cost-down via 200 mm/8-inch and a roadmap toward 300 mm), while GaN-on-SiC remains the premium platform for RF GaN where thermal performance and RF loss dominate total cost of ownership. Demand visibility is strengthening because power GaN device adoption is forecast to expand rapidly-we projects the power GaN device market reaching ~$2.5 B by 2032, which translates into much higher wafer-start requirements for GaN-on-Si epi stacks. On the supply side, scaling is increasingly driven by large-diameter epitaxy capability and throughput investment: China-based InnoScience states it achieved mass production of 8-inch GaN-on-Si wafers, signaling that 200 mm GaN-on-Si is now industrial rather than experimental. In parallel, Europe's merchant (open) ecosystem is scaling RF-grade epi, for example SweGaN's facility planning references up to 40,000 (100/150 mm) GaN-on-SiC epiwafers per year as a high-volume target, reflecting a push to industrialize 150 mm GaN-on-SiC supply beyond pilot volumes. A second structural trend is the rise of engineered substrates to improve manufacturability and enable thicker/higher-voltage stacks at larger diameters; Shin-Etsu Chemical explicitly confirms it has sold 150 mm and 200 mm QST substrates and GaN-on-QST epitaxial substrates, and is developing 300 mm QST, indicating real commercial pull for alternative platforms aimed at power devices.
Looking forward, growth is driven by system-level electrification and efficiency (fast chargers moving up in power, data-center/telecom power density requirements, and industrial power conversion) plus sustained RF infrastructure/defense/satcom demand that keeps GaN-on-SiC a high-value lane. Standardization is also lowering adoption friction while raising the bar for epi/device robustness: JEDEC's JEP180 establishes a common approach for switching-reliability evaluation of GaN power devices in power-conversion conditions, reinforcing the industry shift from "DC parametrics" to application-relevant stress validation. Policy is increasingly a first-order variable because GaN supply chains are strategic and capex-intensive: the U.S. CHIPS and Science Act provides $52.7B over five years for semiconductor manufacturing/research programs, supporting onshore capacity and critical supply-chain investments. The EU's Chips Act similarly targets resilience and explicitly aims to double Europe's global semiconductor market share to 20% by 2030, improving the environment for compound-semiconductor pilot lines and industrialization. China's 14th Five-Year Plan also explicitly prioritizes developing silicon carbide, gallium nitride, and other wide-bandgap semiconductors, underpinning continued capacity buildout and localization efforts.
This report aims to provide a comprehensive presentation of the global market for GaN HEMT Epitaxial Wafer, focusing on the total sales volume, sales revenue, price, key companies market share and ranking, together with an analysis of GaN HEMT Epitaxial Wafer by region & country, by Wafer Type, and by Application.
The GaN HEMT Epitaxial Wafer market size, estimations, and forecasts are provided in terms of sales volume (Pieces) and sales revenue ($ millions), considering 2024 as the base year, with history and forecast data for the period from 2020 to 2032. With both quantitative and qualitative analysis, to help readers develop business/growth strategies, assess the market competitive situation, analyze their position in the current marketplace, and make informed business decisions regarding GaN HEMT Epitaxial Wafer.
Market Segmentation
By Company
Innoscience
Qorvo
Wolfspeed, Inc
NTT Advanced Technology (NTT-AT)
Enkris Semiconductor Inc
IQE
CETC 55
Soitec (EpiGaN)
DOWA Electronics Materials
Sumitomo Electric Device Innovations
CETC 13
Dynax Semiconductor
NXP
Sanan Optoelectronics
Renesas Electronics (Transphorm)
Northrop Grumman
IVWorks
Episil-Precision Inc
China Resources Microelectronics
Suzhou Nanowin Science and Technology
MACOM
CorEnergy
Shaanxi Yuteng Electronic Technology
Shin-Etsu Chemical
SweGaN
Centrasky Crystal Science (Ningbo)
Sino Nitride Semiconductor
Qingdao Cohenius Microelectronics
GaNcool
BTOZ
Epistar Corp.
GaN Asia Semiconductor
A-PRO Semicon
Segment by Wafer Type
GaN-on-SiC Wafer
GaN-on-Si Wafer
GaN-on-Sapphire Wafer
Others
Segment by Application
GaN HEMT RF Devices
GaN HEMT Power Devices
Segment by Region
North America
Europe
China
Japan
South Korea
Southeast Asia
India
Chapter Outline
Chapter 1: Introduces the report scope of the report, global total market size (valve, volume and price). This chapter also provides the market dynamics, latest developments of the market, the driving factors and restrictive factors of the market, the challenges and risks faced by manufacturers in the industry, and the analysis of relevant policies in the industry.
Chapter 2: Detailed analysis of GaN HEMT Epitaxial Wafer manufacturers competitive landscape, price, sales and revenue market share, latest development plan, merger, and acquisition information, etc.
Chapter 3: Provides the analysis of various market segments by Wafer Type, covering the market size and development potential of each market segment, to help readers find the blue ocean market in different market segments.
Chapter 4: Provides the analysis of various market segments by Application, covering the market size and development potential of each market segment, to help readers find the blue ocean market in different downstream markets.
Chapter 5: Sales, revenue of GaN HEMT Epitaxial Wafer in regional level. It provides a quantitative analysis of the market size and development potential of each region and introduces the market development, future development prospects, market space, and market size of each country in the world.
Chapter 6: Sales, revenue of GaN HEMT Epitaxial Wafer in country level. It provides sigmate data by Wafer Type, and by Application for each country/region.
Chapter 7: Provides profiles of key players, introducing the basic situation of the main companies in the market in detail, including product sales, revenue, price, gross margin, product introduction, recent development, etc.
Chapter 8: Analysis of industrial chain, including the upstream and downstream of the industry.
Chapter 9: Conclusion.
Table of Contents
1 Market Overview
1.1 GaN HEMT Epitaxial Wafer Product Introduction
1.2 Global GaN HEMT Epitaxial Wafer Market Size Forecast
1.2.1 Global GaN HEMT Epitaxial Wafer Sales Value (2020-2032)
1.2.2 Global GaN HEMT Epitaxial Wafer Sales Volume (2020-2032)
1.2.3 Global GaN HEMT Epitaxial Wafer Sales Price (2020-2032)
1.3 GaN HEMT Epitaxial Wafer Market Trends & Drivers
1.3.1 GaN HEMT Epitaxial Wafer Industry Trends
1.3.2 GaN HEMT Epitaxial Wafer Market Drivers & Opportunity
1.3.3 GaN HEMT Epitaxial Wafer Market Challenges
1.3.4 GaN HEMT Epitaxial Wafer Market Restraints
1.4 Assumptions and Limitations
1.5 Study Objectives
1.6 Years Considered
2 Competitive Analysis by Company
2.1 Global GaN HEMT Epitaxial Wafer Players Revenue Ranking (2025)
2.2 Global GaN HEMT Epitaxial Wafer Revenue by Company (2020-2025)
2.3 Global GaN HEMT Epitaxial Wafer Players Sales Volume Ranking (2025)
2.4 Global GaN HEMT Epitaxial Wafer Sales Volume by Company Players (2020-2025)
2.5 Global GaN HEMT Epitaxial Wafer Average Price by Company (2020-2025)
2.6 Key Manufacturers GaN HEMT Epitaxial Wafer Manufacturing Base and Headquarters
2.7 Key Manufacturers GaN HEMT Epitaxial Wafer Product Offered
2.8 GaN HEMT Epitaxial Wafer Company Type
2.9 GaN HEMT Epitaxial Wafer Market Competitive Analysis
2.9.1 GaN HEMT Epitaxial Wafer Market Concentration Rate (2020-2025)
2.9.2 Global 3 and 5 Largest Manufacturers by GaN HEMT Epitaxial Wafer Revenue in 2025
2.9.3 Global Top Manufacturers by Company Type (Tier 1, Tier 2, and Tier 3) & (based on the Revenue in GaN HEMT Epitaxial Wafer as of 2024)
2.10 Mergers & Acquisitions, Expansion
2.11 Global GaN-on-SiC Wafer Market Share by Company
2.11.1 Global GaN-on-SiC Wafer Revenue by Company
2.11.2 Global GaN-on-SiC Wafer Sales Volume by Company
2.12 Global GaN-on- Si Wafer Market Share by Company
2.12.1 Global GaN-on- Si Wafer Revenue by Company
2.12.2 Global GaN-on- Si Wafer Sales Volume by Company
