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세계의 GaN 파워 디바이스 시장 조사 보고서 : 산업 분석, 규모, 점유율, 성장, 동향, 예측(2024-2032년)
Global GaN Power Device Market Research Report - Industry Analysis, Size, Share, Growth, Trends and Forecast 2024 to 2032
상품코드 : 1547874
리서치사 : Value Market Research
발행일 : 2024년 07월
페이지 정보 : 영문 235 Pages
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한글목차

GaN 파워 디바이스 시장의 세계 수요는 2023년 1억 1,207만 달러에서 2032년 약 31억 6,152만 달러에 달할 것으로 추정되며, 2024-2032년 연평균 39.65%의 CAGR을 기록할 것으로 예상됩니다.

질화 갈륨을 의미하는 GaN은 실리콘 기반 트랜지스터의 대체품으로 시장을 휩쓸고 있는 GaN 트랜지스터를 말하며, GaN은 출력이 크고 장치 제조가 훨씬 쉽고 복잡하지 않기 때문에 기존 실리콘 트랜지스터를 대체하는 데 이상적입니다. 또한 주어진 저항 및 내전압 값에 대해 GaN 트랜지스터는 더 컴팩트한 소자를 개발하는 데 사용할 수 있습니다. 이러한 GaN 트랜지스터는 하이브리드 전기자동차, 태양광발전 컨버터, RF 스위칭과 같은 최신 전자제품에 사용될 때 매우 유용하게 사용될 수 있습니다.

시장 역학

GaN 파워 디바이스 시장은 일상 생활에서 다양한 전자기기 사용이 증가함에 따라 꾸준히 성장하고 있습니다. 통신 장비, LIDAR, AC 어댑터, 각종 무선 장비에 대한 수요 증가는 GaN 파워 디바이스 시장의 주요 원동력이 되고 있습니다. 코로나 바이러스 전염병은 재택 근무자를 위한 모뎀과 인터넷 라우터에 대한 수요 증가로 인해 GaN 파워 디바이스 시장을 촉진하는 요인으로 작용하고 있습니다. 대부분의 최신 전자기기와 하이브리드 장치는 GaN 트랜지스터의 주요 촉진제이며, GaN 장치 시장이 직면한 유일한 억제요인은 고전압 작동과 관련하여 실리콘 기반 장치에 대한 선호도입니다.

조사 보고서는 Porter's Five Forces 모델, 시장 매력도 분석, 밸류체인 분석을 다루고 있습니다. 이러한 도구는 산업 구조를 명확하게 파악하고 세계 수준에서 경쟁의 매력을 평가하는 데 도움이됩니다. 또한 이러한 도구는 GaN 파워 디바이스 세계 시장에서 각 부문을 포괄적으로 평가할 수 있으며, GaN 파워 디바이스 산업의 성장과 동향은 이 조사에 대한 전반적인 접근 방식을 설명합니다.

시장 세분화

GaN 파워 디바이스 시장 보고서의 이 섹션에서는 국가 및 지역 수준의 부문에 대한 자세한 데이터를 제공하여 전략가들이 향후 기회와 함께 각 제품 및 서비스의 대상 고객을 식별하는 데 도움이 될 것입니다.

지역 분석

이 섹션에서는 북미, 유럽, 아시아태평양, 라틴아메리카, 중동 및 아프리카의 GaN 파워 디바이스 시장의 현재와 미래 수요를 강조하는 지역 전망을 다룹니다. 또한, 모든 주요 지역의 개별 애플리케이션 부문의 수요, 추정 및 예측에 초점을 맞추고 있습니다.

맞춤형 요구사항이 있는 경우, 저희에게 연락주시기 바랍니다. 당사의 조사팀은 고객의 요구에 따라 맞춤형 보고서를 제공할 수 있습니다.

목차

제1장 서문

제2장 주요 요약

제3장 GaN 파워 디바이스 - 산업 분석

제4장 밸류체인 분석

제5장 GaN 파워 디바이스 세계 시장 분석 : 디바이스 유형별

제6장 GaN 파워 디바이스 세계 시장 분석 : 전압별

제7장 GaN 파워 디바이스 세계 시장 분석 : 최종 이용 산업별

제8장 GaN 파워 디바이스 세계 시장 분석 : 지역별

제9장 GaN 파워 디바이스 기업 경쟁 상황

제10장 기업 개요

ksm
영문 목차

영문목차

The global demand for GaN Power Device Market is presumed to reach the market size of nearly USD 3161.52 Million by 2032 from USD 112.07 Million in 2023 with a CAGR of 39.65% under the study period 2024-2032.

GaN, which is the symbol for gallium nitride is referred for the GaN transistors which have taken over the market as the substitute of the silicon-based transistors. They have more power output and can be used for far more easy and complicated device fabrication, which makes them ideal for use instead of the older silicon transistors. Also, for the given resistance and breakdown voltage values, the GaN transistors can be used for developing more compact devices. These GaN transistors become extremely useful when used for modern electronics like hybrid electric vehicles, photovoltaic converters, and RF switching.

MARKET DYNAMICS

The market for GaN power devices has been growing steadily since the increase in the use of various electronics for our daily activities. The increase in demand for telecommunication devices, LIDAR, AC adaptors, and various wireless devices has been acting as the main catalyst for the GaN power devices market. The coronavirus outbreak has also acted as a market driver for the GaN power devices due to the increase in demand for modems and internet routers for people working from home. Most of the modern electronic devices and the hybrid devices act as the main driving factor for the GaN transistors. The only restraint being faced by the market for GaN devices is the preference towards silicon-based devices when it comes to operating at high voltages.

The research report covers Porter's Five Forces Model, Market Attractiveness Analysis, and Value Chain analysis. These tools help to get a clear picture of the industry's structure and evaluate the competition attractiveness at a global level. Additionally, these tools also give an inclusive assessment of each segment in the global market of GaN Power Device. The growth and trends of GaN Power Device industry provide a holistic approach to this study.

MARKET SEGMENTATION

This section of the GaN Power Device market report provides detailed data on the segments at country and regional level, thereby assisting the strategist in identifying the target demographics for the respective product or services with the upcoming opportunities.

By Device Type

By Voltage

By End-use Industry

REGIONAL ANALYSIS

This section covers the regional outlook, which accentuates current and future demand for the GaN Power Device market across North America, Europe, Asia-Pacific, Latin America, and Middle East & Africa. Further, the report focuses on demand, estimation, and forecast for individual application segments across all the prominent regions.

The research report also covers the comprehensive profiles of the key players in the market and an in-depth view of the competitive landscape worldwide. The major players in the GaN Power Device market include Efficient Power Conversion Corporation Inc., Fujitsu Limited, GaN Power Inc., GaN Systems, Infineon Technologies, Navitas Semiconductor, NexGen Power Systems, On Semiconductors, Panasonic Corporation, Power Integrations Inc., ROHM CO LTD., SOITEC, Texas Instruments Incorporated, Transphorm Inc., VisIC Technologies. This section consists of a holistic view of the competitive landscape that includes various strategic developments such as key mergers & acquisitions, future capacities, partnerships, financial overviews, collaborations, new product developments, new product launches, and other developments.

In case you have any custom requirements, do write to us. Our research team can offer a customized report as per your need.

TABLE OF CONTENTS

1. PREFACE

2. EXECUTIVE SUMMARY

3. GAN POWER DEVICE - INDUSTRY ANALYSIS

4. VALUE CHAIN ANALYSIS

5. GLOBAL GAN POWER DEVICE MARKET ANALYSIS BY DEVICE TYPE

6. GLOBAL GAN POWER DEVICE MARKET ANALYSIS BY VOLTAGE

7. GLOBAL GAN POWER DEVICE MARKET ANALYSIS BY END-USE INDUSTRY

8. GLOBAL GAN POWER DEVICE MARKET ANALYSIS BY GEOGRAPHY

9. COMPETITIVE LANDSCAPE OF THE GAN POWER DEVICE COMPANIES

10. COMPANY PROFILES OF GAN POWER DEVICE INDUSTRY

Note - In company profiling, financial details and recent developments are subject to availability or might not be covered in the case of private companies

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