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세계의 질화갈륨(GaN) 파워 디바이스 시장
Gallium Nitride Power Devices
상품코드 : 1757754
리서치사 : Global Industry Analysts, Inc.
발행일 : 2025년 06월
페이지 정보 : 영문 278 Pages
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한글목차

질화갈륨(GaN) 파워 디바이스 세계 시장은 2030년까지 8억 5,710만 달러에 이를 전망

2024년에 2억 6,830만 달러로 추정되는 질화갈륨(GaN) 파워 디바이스 세계 시장은 2024-2030년의 분석 기간에 CAGR 21.4%로 성장하여 2030년에는 8억 5,710만 달러에 이를 것으로 예측됩니다. 본 보고서에서 분석한 부문 중 하나인 파워 디바이스는 CAGR 19.0%를 나타내고, 분석 기간 종료시에는 4억 8,190만 달러에 이를 것으로 예측됩니다. RF 파워 디바이스 분야의 성장률은 분석 기간에 CAGR 24.9%로 추정됩니다.

미국 시장은 7,310만 달러로 추정, 중국은 CAGR 28.2%로 성장 예측

미국의 질화갈륨(GaN) 파워 디바이스 시장은 2024년에 7,310만 달러로 추정됩니다. 세계 2위 경제대국인 중국은 분석 기간인 2024-2030년 CAGR 28.2%로 성장을 지속하여 2030년까지 예측 시장 규모 2억 50만 달러에 이를 것으로 예측됩니다. 기타 주목해야 할 지역별 시장으로서는 일본과 캐나다가 있으며, 분석 기간중 CAGR은 각각 17.4%와 19.0%를 보일 것으로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 17.9%를 보일 전망입니다.

질화갈륨(GaN) 파워 디바이스 세계 시장 - 주요 동향과 촉진요인 정리

질화갈륨(GaN) 파워 디바이스가 파워 일렉트로닉스의 미래를 재정의하는 이유는 무엇일까?

질화갈륨(GaN) 전력 소자는 기존의 실리콘 기반 반도체에 비해 큰 성능상의 이점을 제공함으로써 전력 전자공학의 전망을 빠르게 재정의하고 있습니다. 넓은 밴드갭 재료인 GaN은 높은 내전압, 빠른 스위칭 속도, 낮은 온 저항과 같은 우수한 전기적 특성을 보여 고효율 및 고주파 용도에 이상적입니다. 이러한 특성으로 인해 트랜지스터, 다이오드, 집적 전력 모듈과 같은 GaN 전력 소자는 에너지 손실을 줄이고 열 성능을 개선하면서 더 작은 패키지로 더 큰 전력을 공급할 수 있습니다. 더 높은 전압과 온도에서 작동하는 GaN의 능력은 전력 시스템의 소형화, 신뢰성 및 에너지 효율을 향상시킬 수 있으며, 이는 공간 제약이 있거나 열적으로 까다로운 환경에서 특히 중요합니다. 가전제품과 데이터센터에서부터 전기자동차(EV), 재생에너지 시스템, 산업 자동화까지, GaN으로의 전환은 차세대 소형, 경량, 고성능 전력 변환 시스템을 가능하게 하고 있습니다. 또한, 에너지 지속가능성이 강조되고 교통 및 인프라의 전기화가 진행됨에 따라 GaN 기술은 장기적인 세계 에너지 목표를 지원하는 데 필요한 확장성과 효율성을 제공합니다. 디바이스 제조업체들이 패키징, 집적화, 게이트 드라이브 최적화를 위해 혁신을 거듭하고 있는 가운데, GaN은 틈새 용도에서 주류 채택으로 전환하고 있으며, 수십년동안 실리콘의 우위에 도전하고 전 세계 전력 엔지니어들에게 새로운 설계 가능성을 열어주고 있습니다.

산업 응용 분야는 어떻게 GaN 전력 장치의 빠른 채택을 촉진하고 있는가?

GaN 파워 디바이스의 채택이 가속화되고 있는 이유는 고성능, 에너지에 민감한 다양한 산업 분야에서 GaN의 적용 범위가 확대되고 있기 때문입니다. 소비자 전자기기에서 GaN은 스마트폰, 태블릿, 노트북, 웨어러블 기기를 위한 초소형, 고출력 고속 충전기를 구현하여 실리콘보다 훨씬 더 작고 효율적인 충전기 및 어댑터 시장을 변화시키고 있습니다. 자동차 분야도 주요 촉진요인으로, GaN 디바이스는 전기자동차의 차량용 충전기, DC-DC 컨버터, 트랙션 인버터에 전력을 공급하여 더 빠른 충전, 더 높은 전력 밀도, 더 긴 주행거리를 실현합니다. 데이터센터 및 클라우드 컴퓨팅 인프라에서는 에너지 효율을 높이고 냉각 비용을 절감하며 고성능 컴퓨팅에 대한 수요 증가에 대응하기 위해 GaN을 전원 공급 장치에 통합하는 움직임이 가속화되고 있습니다. 재생 에너지 분야에서 GaN은 태양광 마이크로 인버터 및 전력 최적화 장치에 사용되어 에너지 수확량을 높이고 시스템 손실을 최소화합니다. 또한, 산업 자동화 및 모터 제어 시스템에서 GaN은 보다 정확한 제어, 빠른 스위칭 및 에너지 소비 감소를 실현하기 위해 채택되고 있습니다. 항공우주 및 방위 응용 분야는 GaN의 방사선 경도와 고온 저항의 이점을 활용하여 위성, 레이더 시스템, 항공 전자 장비에 이상적입니다. 이러한 산업별 장점으로 인해 전 세계적으로 수요가 증가하고 있으며, 시스템 설계자들은 차세대 전자제품의 까다로운 성능, 크기 및 효율성 목표를 충족할 수 있는 능력으로 GaN을 채택하고 있습니다.

어떤 기술 혁신이 GaN 파워 디바이스의 가능성과 성능을 향상시키고 있는가?

재료 과학, 패키징 및 회로 집적 분야의 지속적인 혁신은 GaN 전력 소자의 성능, 제조 가능성 및 신뢰성을 크게 향상시켜 GaN 전력 소자가 시장에서 널리 수용될 수 있는 원동력이 되고 있습니다. 주요 발전 중 하나는 강화 모드(e-mode) GaN 트랜지스터의 개발로, 전력 용도의 안전과 시스템 통합에 필수적인 노멀리 오프 동작을 제공합니다. 개선된 에피택셜 성장 기술, 특히 실리콘과 같은 비용 효율적인 기판에서 고품질 GaN 층을 유지하면서 제조 비용을 절감하고 있으며, GaN-on-silicon 기술은 현재 상업적으로 성숙해져 성능과 가격의 격차를 해소하는 데 도움이 되고 있습니다. 이전에는 650V 이하로 제한되었던 고전압 GaN 디바이스는 현재 900V 이상에서 작동하도록 개발되고 있으며, 산업 및 그리드 레벨 전력 시스템에서 사용이 확대되고 있습니다. GaN 시스템 인 패키지(SiP) 및 표면 실장 파워 스테이지와 같은 첨단 패키징 기술은 기생 인덕턴스를 최소화하고, 더 높은 스위칭 주파수를 가능하게 하며, 수동 부품의 소형화와 전체 시스템의 소형화로 이어지고 있습니다. 코패키지 드라이버 IC는 게이트 구동 요건을 단순화하여 설계의 복잡성을 줄였습니다. 한편, 디지털 컨트롤러 및 실시간 모니터링 기능과의 통합은 시스템의 신뢰성과 보호 기능을 향상시키고 있습니다. 열 관리도 발전하고 있으며, 히트스프레더, 기판, 냉각 기술의 혁신으로 고출력 밀도에서도 안정적인 성능을 보장하고 있습니다. 이러한 기술적 진보를 통해 GaN은 유망한 대체 기술에서 전 세계 최신 전력 변환 시스템의 까다로운 요구 사항을 충족시킬 수 있는 성숙하고 파괴적인 기술로 발전하고 있습니다.

GaN 파워 디바이스의 세계 성장을 주도하는 시장 동력은 무엇인가?

세계 GaN 전력 소자 시장은 거시경제, 환경 및 기술력의 융합으로 인해 파워 일렉트로닉스의 미래를 재편하고 있습니다. 주요 시장 성장 촉진요인 중 하나는 에너지 효율과 탈탄소화 추세로, 정부, 기업, 소비자들은 보다 친환경적이고 컴팩트하며 효율적인 전자 시스템을 요구하고 있습니다. 이산화탄소 배출량 감소, 전력 변환 효율 향상, 전자 폐기물 감소에 초점을 맞춘 규제 프레임워크는 GaN과 같은 광대역 갭 반도체의 채택을 촉진하고 있습니다. 전기자동차, 충전 인프라, 전기 항공을 포함한 운송의 전기화가 진행됨에 따라 GaN이 독자적으로 제공할 수 있는 소형 및 경량 전력 솔루션에 대한 전례 없는 수요가 창출되고 있습니다. 이와 함께 데이터 트래픽, 엣지 컴퓨팅, AI 기반 워크로드의 폭발적인 증가로 인해 데이터센터는 보다 효율적인 운영을 요구하고 있으며, GaN은 서버 전원 및 냉각 시스템에서 각광을 받고 있습니다. 주요 반도체 제조업체의 투자, 벤처기업 지원, OEM과 GaN 주조의 전략적 제휴를 통해 생산능력이 확대되고, 규모의 경제를 통한 비용절감이 진행되고 있습니다. 설계 툴, 평가 키트, 용도에 특화된 GaN 모듈 생태계가 성숙해지면서 새로운 설계 시장 출시 시간이 빨라지고 있습니다. 또한, 공급망 현지화 노력과 지정학적 변화로 인해 GaN 제조 및 R&D 허브에 대한 지역적 투자가 가속화되고 있습니다. 에너지가 기술 경쟁력의 중요한 차별화 요소로 떠오르면서, GaN 전력 디바이스는 모든 주요 부문에서 효율적이고 내결함성이 뛰어나며 미래 지향적인 전자 시스템을 구축하기 위한 핵심 요소로 부상하고 있습니다.

부문

디바이스 유형(파워 디바이스, RF 파워 디바이스); 업계별(통신, 산업, 자동차, 재생에너지, 소비자 및 기업, 군/방위/항공우주, 의료)

조사 대상 기업 예(총 32개사)

AI 통합

우리는 유효한 전문가 컨텐츠와 AI툴에 의해서, 시장 정보와 경쟁 정보를 변혁하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 일반적인 LLM나 업계별 SLM 쿼리에 따르는 대신에, 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 방대한 양의 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등, 전 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사의 국가, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기반으로 기업의 경쟁력 변화를 예측했습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 수익원가(COGS) 증가, 수익성 감소, 공급망 재편 등 미시적 및 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예측됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

LSH
영문 목차

영문목차

Global Gallium Nitride Power Devices Market to Reach US$857.1 Million by 2030

The global market for Gallium Nitride Power Devices estimated at US$268.3 Million in the year 2024, is expected to reach US$857.1 Million by 2030, growing at a CAGR of 21.4% over the analysis period 2024-2030. Power Device, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 19.0% CAGR and reach US$481.9 Million by the end of the analysis period. Growth in the RF Power Device segment is estimated at 24.9% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$73.1 Million While China is Forecast to Grow at 28.2% CAGR

The Gallium Nitride Power Devices market in the U.S. is estimated at US$73.1 Million in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$200.5 Million by the year 2030 trailing a CAGR of 28.2% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 17.4% and 19.0% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 17.9% CAGR.

Global Gallium Nitride (GaN) Power Devices Market - Key Trends & Drivers Summarized

Why Are Gallium Nitride Power Devices Redefining the Future of Power Electronics?

Gallium Nitride (GaN) power devices are rapidly redefining the power electronics landscape by offering significant performance advantages over traditional silicon-based semiconductors. As a wide bandgap material, GaN exhibits superior electrical properties, including higher breakdown voltage, faster switching speeds, and lower on-resistance, making it ideal for high-efficiency and high-frequency applications. These attributes allow GaN power devices-such as transistors, diodes, and integrated power modules-to deliver more power in smaller packages, while reducing energy losses and improving thermal performance. GaN’s ability to operate at higher voltages and temperatures enables power systems to be more compact, reliable, and energy-efficient, which is especially critical in space-constrained or thermally demanding environments. From consumer electronics and data centers to electric vehicles (EVs), renewable energy systems, and industrial automation, the shift to GaN is enabling the next generation of compact, lightweight, and high-performance power conversion systems. Moreover, with the growing emphasis on energy sustainability and the electrification of transport and infrastructure, GaN technology provides the scalability and efficiency needed to support long-term global energy goals. As device manufacturers continue to innovate in packaging, integration, and gate drive optimization, GaN is transitioning from niche applications into mainstream adoption, challenging the decades-long dominance of silicon and unlocking new design possibilities for power engineers worldwide.

How Are Industry Applications Driving the Rapid Adoption of GaN Power Devices?

The accelerating adoption of GaN power devices is being fueled by their growing applicability across a broad spectrum of high-performance and energy-sensitive industries. In consumer electronics, GaN is transforming the market for chargers and adapters, enabling ultra-compact, high-power fast chargers for smartphones, tablets, laptops, and wearable devices that are significantly smaller and more efficient than their silicon counterparts. The automotive sector is another major growth driver, with GaN devices powering onboard chargers, DC-DC converters, and traction inverters in electric vehicles-delivering faster charging, higher power density, and longer driving ranges. Data centers and cloud computing infrastructures are increasingly integrating GaN in their power supply units to enhance energy efficiency, reduce cooling costs, and support the growing demand for high-performance computing. In renewable energy, GaN is being used in solar microinverters and power optimizers to increase energy harvest and minimize system losses. Additionally, industrial automation and motor control systems are adopting GaN to achieve more precise control, faster switching, and reduced energy consumption. Aerospace and defense applications benefit from GaN's radiation hardness and high-temperature resilience, making it ideal for satellites, radar systems, and avionics. These industry-specific benefits are propelling global demand, with system designers embracing GaN for its ability to meet rigorous performance, size, and efficiency targets in next-generation electronics.

What Technological Innovations Are Enhancing the Viability and Performance of GaN Power Devices?

Ongoing technological innovations in materials science, packaging, and circuit integration are significantly enhancing the performance, manufacturability, and reliability of GaN power devices, driving their broader market acceptance. One major advancement has been the development of enhancement-mode (e-mode) GaN transistors, which offer normally-off behavior essential for safety and system integration in power applications. Improved epitaxial growth techniques, particularly on cost-effective substrates like silicon, are reducing manufacturing costs while maintaining high-quality GaN layers. GaN-on-silicon technology is now reaching commercial maturity, helping bridge the gap between performance and affordability. High-voltage GaN devices, previously limited to below 650V, are now being developed to operate beyond 900V, expanding their use in industrial and grid-level power systems. Advanced packaging innovations-such as GaN system-in-package (SiP) and surface-mount power stages-are minimizing parasitic inductance and enabling higher switching frequencies, which translate to smaller passive components and overall system miniaturization. Co-packaged driver ICs are simplifying gate drive requirements and reducing design complexity. Meanwhile, integration with digital controllers and real-time monitoring features is improving system reliability and protection. Thermal management is also advancing, with innovations in heat spreaders, substrates, and cooling technologies ensuring stable performance under high power densities. These technological breakthroughs are helping GaN move from a promising alternative to a mature and disruptive technology that can meet the rigorous demands of modern power conversion systems across the globe.

What Market Forces Are Driving the Global Growth of GaN Power Devices?

The global GaN power device market is being propelled by a convergence of macroeconomic, environmental, and technological forces that are reshaping the future of power electronics. One of the primary market drivers is the worldwide push for energy efficiency and decarbonization, with governments, corporations, and consumers demanding greener, more compact, and efficient electronic systems. Regulatory frameworks focused on lowering carbon emissions, improving power conversion efficiency, and reducing electronic waste are encouraging the adoption of wide bandgap semiconductors like GaN. The ongoing electrification of transportation-encompassing electric vehicles, charging infrastructure, and electric aviation-is creating unprecedented demand for compact, lightweight power solutions that GaN is uniquely equipped to provide. In parallel, the explosive growth in data traffic, edge computing, and AI-driven workloads is forcing data centers to operate more efficiently, placing GaN in the spotlight for server power supplies and cooling systems. Investment from major semiconductor players, venture-backed startups, and strategic collaborations between OEMs and GaN foundries are expanding production capacity and driving down costs through economies of scale. The maturing ecosystem of design tools, evaluation kits, and application-specific GaN modules is also accelerating time-to-market for new designs. Additionally, supply chain localization efforts and geopolitical shifts are encouraging regional investments in GaN manufacturing and R&D hubs. As energy becomes a critical differentiator in technology competitiveness, GaN power devices are emerging as a linchpin for building efficient, resilient, and future-ready electronic systems across every major sector.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the Gallium Nitride Power Devices market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Device Type (Power Device, RF Power Device); Vertical (Telecommunications, Industrial, Automotive, Renewables, Consumer & Enterprise, Military / Defense / Aerospace, Medical)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; Spain; Russia; and Rest of Europe); Asia-Pacific (Australia; India; South Korea; and Rest of Asia-Pacific); Latin America (Argentina; Brazil; Mexico; and Rest of Latin America); Middle East (Iran; Israel; Saudi Arabia; United Arab Emirates; and Rest of Middle East); and Africa.

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TABLE OF CONTENTS

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II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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