세계의 질화갈륨(GaN) 파워 디바이스 시장 : 디바이스 유형별, 전압 범위별, 최종사용자별, 업계별, 지역별
Gallium Nitride Power Device Market, By Device Type, By Voltage Range, By End User, By Vertical, By Region
상품코드 : 1789464
리서치사 : Coherent Market Insights
발행일 : 2025년 07월
페이지 정보 : 영문
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한글목차

질화갈륨(GaN) 파워 디바이스 시장은 2025년에 3억 4,480만 달러, 2032년에는 16억 1,220만 달러에 이르고, 2025-2032년 CAGR은 24.65%를 보일 것으로 예측됩니다.

보고서 범위 보고서 상세
기준 연도 2024년 2025년 시장 규모 3억 4,480만 달러
실적 데이터 2020-2024년 예측 기간 2025-2032년
예측 기간 : 2025-2032년 24.65% 2032년 금액 예측 16억 1,220만 달러

세계 질화갈륨(GaN) 파워 디바이스 시장에는 파워 드라이브(전기자동차 드라이브, 산업용 드라이브, 광 검출), 인버터, 전원 공급 장치, 무선 충전, RF 프론트엔드 모듈, 레이더, 우주 위성 등에서 주요 용도를 찾는 질화갈륨 파워 및 RF 파워 디바이스가 포함됩니다. 광범위한 응용 분야와 기존 실리콘 반도체 시장과의 캐니발라이제이션 가능성으로 인해 GaN 전력 소자 세계 시장은 예측 기간 동안 큰 성장 기회를 창출할 것으로 예측됩니다.

시장 역학

갈륨 재료는 넓은 에너지 밴드갭(3.4eV), 높은 열용량, 열전도율, 낮은 소자 저항, 온-오프 전이 속도로 작동할 수 있는 능력 등 다양한 특징을 가지고 있어 GaN 전력 소자 시장의 성장을 부수적으로 촉진하고 있습니다. 실리콘 대체품 등 대체품에 비해 온 상태에서의 높은 전도성은 배전 및 제어 시스템의 에너지 효율을 향상시킬 수 있는 큰 기회가 될 수 있습니다. 그러나 사용 가능한 재료가 제한적이고 상대적으로 비싸다는 점이 가까운 미래에 전체 시장의 성장을 저해할 것으로 예측됩니다.

본 조사의 주요 특징

목차

제1장 조사 목적과 전제조건

제2장 시장 전망

제3장 시장 역학, 규제, 동향 분석

제4장 세계의 질화갈륨(GaN) 파워 디바이스 시장, 디바이스 유형별, 2020-2032년

제5장 세계의 질화갈륨(GaN) 파워 디바이스 시장, 전압 범위별, 2020-2032년

제6장 세계의 질화갈륨(GaN) 파워 디바이스 시장, 최종사용자별, 2020-2032년

제7장 세계의 질화갈륨(GaN) 파워 디바이스 시장, 업계별, 2020-2032년

제8장 세계의 질화갈륨(GaN) 파워 디바이스 시장, 지역별, 2020-2032년

제9장 경쟁 구도

제10장 섹션

LSH
영문 목차

영문목차

Gallium Nitride Power Device Market is estimated to be valued at USD 344.8 Mn in 2025 and is expected to reach USD 1,612.2 Mn by 2032, growing at a compound annual growth rate (CAGR) of 24.65% from 2025 to 2032.

Report Coverage Report Details
Base Year: 2024 Market Size in 2025: USD 344.8 Mn
Historical Data for: 2020 To 2024 Forecast Period: 2025 To 2032
Forecast Period 2025 to 2032 CAGR: 24.65% 2032 Value Projection: USD 1,612.2 Mn

The global gallium nitride power device market includes the gallium nitride power and RF power devices that find predominant applications in power drives (electric vehicle drives, industrial drives, light detection), inverters, supplies, wireless charging, RF front end module, radars and space satellites. Extensive range of applications and the potential to cannibalize the existing silicon semiconductor market are expected to create immense opportunity for growth of the global GaN power devices market over the forecast period.

Market Dynamics

Gallium materials include a wide range of features such as wide energy band gap (3.4eV), high heat capacity, thermal conductivity, low device resistance, and ability to operate at transition speeds from on to off and vice versa, are among the prominent benefits, inadvertently driving growth of the GaN power devices market. High conductivity in on state in comparison to alternatives such as silicon substitutes present high opportunity to improve the energy efficiency in power distribution and control systems. However, limited availability and relatively high cost of the material is expected to hinder the overall growth of the market in the near future.

Key features of the study

Market Segmentation

Table of Contents

1. Research Objectives and Assumptions

2. Market Purview

3. Market Dynamics, Regulations, and Trends Analysis

4. Global Gallium Nitride Power Device Market, By Device Type, 2020-2032, (USD Mn)

5. Global Gallium Nitride Power Device Market, By Voltage Range, 2020-2032, (USD Mn)

6. Global Gallium Nitride Power Device Market, By End User, 2020-2032, (USD Mn)

7. Global Gallium Nitride Power Device Market, By Vertical, 2020-2032, (USD Mn)

8. Global Gallium Nitride Power Device Market, By Region, 2020-2032, (USD Mn)

9. Competitive Landscape

10. Section

(주)글로벌인포메이션 02-2025-2992 kr-info@giikorea.co.kr
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