파워 일렉트로닉스 시장 : 시장 점유율 분석, 산업 동향 및 통계, 성장 예측(2025-2030년)
Power Electronics - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts (2025 - 2030)
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리서치사 : Mordor Intelligence
발행일 : 2025년 03월
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한글목차

파워 일렉트로닉스 시장은 예측 기간 동안 CAGR 4.53%를 기록할 전망

Power Electronics-Market-IMG1

주요 하이라이트

파워 일렉트로닉스 시장 동향

전자 분야에서 고에너지 절전 장치 수요 증가가 시장 성장의 원동력이 될 전망

아시아태평양 급성장 전망

파워 일렉트로닉스 산업 개요

파워 일렉트로닉스 시장에 있어서의 경쟁기업간의 적대 관계의 격렬함은 높아, 예측 기간 중에도 변하지 않을 것으로 예상됩니다. 이 시장에는, ON Semiconductor, Infinon, ROHM, ST Microelectronics NV 등, 세계의 인기 기업이 복수 존재합니다. 이 시장은 신규 참가 기업에 있어서 중간 정도로 높은 참가 장벽을 부과하고 있지만, 복수의 신규 참가 기업이 견인역이 되고 있습니다.

2023년 5월 Infineon은 XHP 2포장의 3.3kV MOSFET을 사용한 트랙션용 CoolSiC 파워 모듈을 출시했습니다. FF2,000UXTR33T2M1과 FF2600UXTR33T2M1 파워모듈은 신개발 3.3kV CoolSiC MOSFET와 Infinon의 XT 상호접속 기술을 사용하고 있습니다. 이 모듈은 트랙션용으로 특별히 설계된 XHP 2 포장에 들어 있습니다.

Mitsubishi Electric Corporation은 2023년 5월, 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)를 통합한 탄화규소 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(SiC-MOSFET)의 신구조를 개발해, 철도나 직류 전원 시스템 등의 대형 산업 기기용의 3.3 kV 풀 SiC 파워 모듈 'FMF800DC-66BEW'에 채용했습니다.

르네사스 일렉트로닉스는 2023년 1월 전기자동차(EV)용 인버터용 IGBT(절연 게이트형 트랜지스터)나 SiC(탄화규소) MOSFET 등 고전압 파워 디바이스를 구동하도록 설계된 새로운 게이트 드라이버 IC를 발표했습니다. 또한 전기자동차의 저가격화에 따라 자동차용 파워 반도체 수요는 급속히 증가하고 있습니다. 이 사업은 수요를 충족시키는 다양한 제품을 제공함으로써 지속적으로 시장 점유율을 확대하고 있습니다.

기타 혜택

목차

제1장 서론

제2장 조사 방법

제3장 주요 요약

제4장 시장 인사이트

제5장 시장 역학

제6장 시장 세분화

제7장 경쟁 구도

제8장 벤더의 시장 점유율 분석

제9장 투자 분석

제10장 투자 분석 시장의 미래

AJY
영문 목차

영문목차

The Power Electronics Market is expected to register a CAGR of 4.53% during the forecast period.

Power Electronics - Market - IMG1

Key Highlights

Power Electronics Market Trends

Rising Demand for High-energy and Power-efficient Devices in the Electronics Segment is Expected to Drive the Market Growth

Asia-Pacific Expected to be the Fastest Growing Region

Power Electronics Industry Overview

The intensity of competitive rivalry in the power electronics market is expected to be high and remain unchanged over the forecast period. The market comprises several global and popular players, such as ON Semiconductor, Infineon, ROHM, STMicroelectronics NV, and others. Although the market poses moderately high barriers to entry for new players, several new entrants have gained traction.

In May 2023, Infineon launched CoolSiC power modules using 3.3 kV MOSFETs in the XHP 2 package for traction applications. The FF2000UXTR33T2M1 and FF2600UXTR33T2M1 power modules use newly developed 3.3 kV CoolSiC MOSFETs and Infineon's XT interconnection technology. The modules come in an XHP 2 package specifically tailored for traction applications.

In May 2023, Mitsubishi Electric Corporation developed a new structure for a silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SiC-MOSFET) embedded with a Schottky barrier diode (SBD), which the company has applied in a 3.3 kV full SiC power module, the FMF800DC-66BEW for large industrial equipment such as railways and DC power systems.

In January 2023, Renesas Electronics announced a new gate driver IC designed to drive high-voltage power devices such as IGBTs (insulated gate transistors) and SiC (silicon carbide) MOSFETs for electric vehicle (EV) inverters. Moreover, As electric vehicles become more affordable, demand for automotive power semiconductors is increasing rapidly. The business continually increases its market share by providing various products to meet demand.

Additional Benefits:

TABLE OF CONTENTS

1 INTRODUCTION

2 RESEARCH METHODOLOGY

3 EXECUTIVE SUMMARY

4 MARKET INSIGHTS

5 MARKET DYNAMICS

6 MARKET SEGMENTATION

7 COMPETITIVE LANDSCAPE

8 VENDORS MARKET SHARE ANALYSIS

9 INVESTMENT ANALYSIS

10 FUTURE OF THE MARKET

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