세계의 탄화규소 시장 : 기기별, 웨이퍼 크기별, 재료별, 결정구조별, 산업별, 지역별 - 예측(-2029년)
Silicon Carbide Market by Device (SiC Discrete Device, SiC Module), Wafer Size (Up to 150mm, >150mm), End-use Application (Automotive, Energy & Power, Industrial, Transportation), Material, Crystal Structure and Region - Global Forecast to 2029
상품코드:1458398
리서치사:MarketsandMarkets
발행일:2024년 03월
페이지 정보:영문 233 Pages
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한글목차
탄화규소 시장 규모는 2024년 42억 달러에서 2029년 172억 달러에 달할 것으로 예상되며, 2024년부터 2029년까지 32.6%의 CAGR을 기록할 것으로 예상됩니다.
탄화규소 시장의 성장을 촉진하는 주요 요인으로는 파워 일렉트로닉스 수요 증가, 재생에너지 시스템 수요 급증, SiC 기기 채택을 촉진하는 이니셔티브 및 투자 증가 등이 있으며, 이는 탄화규소 시장의 시장 기업에게 몇 가지 성장 기회를 제공할 것으로 예상됩니다.
조사 범위
조사 대상 연도
2020-2029년
기준 연도
2023년
예측 기간
2024-2029년
검토 단위
금액(10억 달러)
부문별
소자별, 웨이퍼 크기별, 결정구조별, 재료별, 산업별, 지역별
대상 지역
북미, 유럽, 아시아태평양 및 기타 지역
150mm 초박형 웨이퍼 시장은 예측 기간 동안 가장 높은 CAGR을 기록할 것으로 예상됩니다. 이 웨이퍼는 표준 실리콘 웨이퍼에 비해 50% 더 얇기 때문에 SiC MOSFET 및 SiC 모듈과 같은 다양한 디바이스에 사용되고 있습니다. 이 SiC 웨이퍼는 대량 생산 및 고온을 필요로 하는 애플리케이션을 위해 설계되었기 때문에 높은 열전도율, 우수한 캐리어 이동도, 뛰어난 화학적 안정성과 같은 우수한 특성을 가지고 있습니다. 따라서 150mm 이상 부문은 예측 기간 동안 가장 높은 CAGR을 기록할 것으로 예상됩니다.
아시아태평양에서는 고출력 용도의 범위가 확대됨에 따라 전력 반도체 디바이스에 큰 수익 기회가 생겨나고 있으며, 많은 기업들이 다양한 전력 애플리케이션을 위해 탄화규소 반도체 디바이스를 상용화하기 위해 노력하고 있습니다. 이러한 확장은 이 지역 시장 진입 기업의 수익을 증가시킬 것입니다.
이 보고서는 세계 탄화규소 시장을 조사하여 디바이스별, 웨이퍼 크기별, 재료별, 결정구조별, 산업별, 지역별 동향, 시장 진입 기업 개요 등을 정리하여 전해드립니다.
목차
제1장 소개
제2장 조사 방법
제3장 주요 요약
제4장 주요 인사이트
제5장 시장 개요
소개
시장 역학
공급망 분석
생태계 분석
투자와 자금 조달 시나리오
고객의 비즈니스에 영향을 미치는 동향/혼란
기술 분석
가격 분석
주요 이해관계자와 구입 기준
Porter's Five Forces 분석
사례 연구 분석
무역 분석
특허 분석
규제 상황
2024-2025년의 주요 회의와 이벤트
제6장 탄화규소(SIC) 시장, 디바이스별
소개
SIC 디스크리트 디바이스
SIC 모듈
제7장 SIC 시장, 웨이퍼 사이즈별
소개
150mm 미만
150mm 이상
제8장 SIC 디바이스 시장, 결정 구조별
소개
ZINC BLENDE (3C-SIC)
WURTZITE (4H-SIC)
WURTZITE (6H-SIC)
RHOMBOHEDRAL (15R-SIC)
제9장 SIC 시장, 재료 유형별
소개
그린 SIC
블랙 SIC
제10장 SIC 시장, 업계별
소개
자동차
에너지와 전력
산업용
수송
통신
기타
제11장 SIC 시장, 지역별
소개
북미
유럽
아시아태평양
기타 지역
제12장 경쟁 상황
개요
주요 기업이 채용하는 전략, 2020-2024년
시장 점유율 분석, 2023년
기업 가치 평가와 재무 지표
브랜드/제품 비교
2019-2023년의 주요 5개사 매출 분석
기업 평가 매트릭스 : 주요 진출 기업, 2023년
기업 평가 매트릭스 : 스타트업/중소기업, 2023년
경쟁 시나리오와 동향
제13장 기업 개요
소개
주요 진출 기업
STMICROELECTRONICS
INFINEON TECHNOLOGIES AG
SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC
WOLFSPEED, INC.
ROHM CO., LTD.
FUJI ELECTRIC CO., LTD.
TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION
MICROCHIP TECHNOLOGY INC.
MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
COHERENT CORP.
기타 기업
HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD.
SEMIKRON DANFOSS
QORVO, INC
GENESIC SEMICONDUCTOR INC.
TT ELECTRONICS
VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC.
WEEN SEMICONDUCTORS
SOLITRON DEVICES, INC.
SANAN IC
BYD SEMICONDUCTOR.
LITTELFUSE, INC.
TYCO TIANRUN , INC.
NEXPERIA
INVENTCHIP TECHNOLOGY CO., LTD.
DIODES INCORPORATED
제14장 부록
ksm
영문 목차
영문목차
The silicon carbide market is projected to reach USD 17.2 billion by 2029 from USD 4.2 billion in 2024, at a CAGR of 32.6% from 2024 to 2029. The major factors driving the growth of silicon carbide market includes the increasing demand for power electronics, surging demand for renewable energy systems and growing number of initiatives and investments to encourage the adoption of SiC devices which is expected to provide several growth opportunities for market players in the silicon carbide market.
Scope of the Report
Years Considered for the Study
2020-2029
Base Year
2023
Forecast Period
2024-2029
Units Considered
Value (USD Billion)
Segments
By Device, Wafer Size, End-use Application, Crystal Structure and Region
Regions covered
North America, Europe, APAC, RoW
>150 mm segment is expected to witness the highest CAGR in the silicon carbide market during the forecast period
The >150 mm wafer size market is poised to exhibit the highest CAGR during the forecast period. These wafers are used across a spectrum of devices such as SiC MOSFETs and SiC modules, due to their 50% thinner profile as compared to standard silicon wafers. As these SiC wafers are engineered for high-volume production and applications that require elevated temperatures, they boast remarkable attributes such as high thermal conductivity, superior carrier mobility, and exceptional chemical stability. Therefore, >150 mm segment is expected to witness the highest CAGR during the forecast period.
Asia Pacific is expected to register the highest CAGR in the silicon carbide market during the forecast period
The presence of regional expanding scope of high-power applications presents significant revenue opportunities for power semiconductor devices in Asia Pacific, attracting numerous companies to commercialize silicon carbide semiconductor devices for various power applications. This expansion boosts the revenues of regional market players. Leading companies in the silicon carbide sector, such as ROHM Co., Ltd., Fuji Electric Co., Ltd., Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, and TanKeBlue Semiconductor Co. Ltd., are headquartered in Asia Pacific. Therefore, Asia Pacific is expected to register the highest CAGR in the silicon carbide market during the forecast period.
The break-up of profile of primary participants in the silicon carbide market-
By Company Type: Tier 1 - 35%, Tier 2 - 45%, Tier 3 - 20%
By Designation Type: C Level - 40%, Director Level - 30%, Others - 30%
By Region Type: North America - 30%, Europe - 20%, Asia Pacific - 40%, Rest of the World (RoW) - 10%
The major players of silicon carbide market are STMicroelectronics N.V. (Switzerland), Infineon Technologies AG (Germany), Semiconductor Components Industries, LLC (US), WOLFSPEED, INC. (US), and ROHM Co., Ltd. (Japan) among others.
Research Coverage
The report segments the silicon carbide market and forecasts its size based on device, wafer size, end-use application and region. The report also provides a comprehensive review of drivers, restraints, opportunities, and challenges influencing market growth. The report also covers qualitative aspects in addition to the quantitative aspects of the market.
Reasons to buy the report:
The report will help the market leaders/new entrants in this market with information on the closest approximate revenues for the overall silicon carbide market and related segments. This report will help stakeholders understand the competitive landscape and gain more insights to strengthen their position in the market and plan suitable go-to-market strategies. The report also helps stakeholders understand the pulse of the market and provides them with information on key market drivers, restraints, opportunities, and challenges.
The report provides insights on the following pointers:
Analysis of key drivers (increasing demand for power electronics, surging demand for renewable energy systems, growing number of initiatives and investments to encourage the adoption of SiC devices), restraints (high efficacy of alternative technologies for power electronics), opportunities (ongoing advancements towards the quality of SiC substrate and epitaxy), and challenges (material defects and designing and packaging issues in SiC devices) influencing the growth of the silicon carbide market.
Product Development/Innovation: Detailed insights on upcoming technologies, research & development activities, and new product launches in the silicon carbide market.
Market Development: Comprehensive information about lucrative markets - the report analyses the silicon carbide market across varied regions.
Market Diversification: Exhaustive information about new products, untapped geographies, recent developments, and investments in the silicon carbide market
Competitive Assessment: In-depth assessment of market shares, growth strategies and product offerings of leading players like STMicroelectronics N.V. (Switzerland), Infineon Technologies AG (Germany), Semiconductor Components Industries, LLC (US), WOLFSPEED, INC. (US), and ROHM Co., Ltd. (Japan)
*Business Overview, Products/Services/Solutions Offered, MnM View, Key Strengths and Right to Win, Strategic Choices Made, Weaknesses and Competitive Threats, Recent Developments might not be captured in case of unlisted companies.