세계의 저항성 RAM 시장(2024-2028년)
Global Resistive RAM Market 2024-2028
상품코드 : 1601990
리서치사 : TechNavio
발행일 : 2024년 11월
페이지 정보 : 영문 157 Pages
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한글목차

저항성 RAM 시장(2024-2028년)

저항성 RAM 시장은 2023-2028년간 4억 480만 달러 확대되고, 예측 기간 동안 19.2%의 연평균 복합 성장률(CAGR)을 나타낼 전망입니다. 이 보고서는 저항성 RAM 시장에 대한 전반적인 분석, 시장 규모와 예측, 동향, 성장 촉진요인, 과제, 약 25개 벤더에 대한 벤더 분석 등의 정보를 전해드립니다.

현재의 시장 시나리오, 최신 동향 및 성장요인, 전체 시장 환경에 대한 최신 분석을 제공합니다. 시장은 센서 기술의 채택 증가, 가전 및 자동차 산업의 급격한 성장, 연구 개발 활동 및 신제품 출시 증가에 의해 주도되고 있습니다.

시장 범위
기준 연도 2024년
종료 연도 2028년
예측 기간 2024-2028년
성장 모멘텀 가속
YOY 2004 15.1%
CAGR 19.2%
증분 금액 4억 480만 달러

이 보고서는 향후 몇 년동안 저항성 RAM 시장의 성장을 주도할 주요 요인 중 하나로 사물인터넷(IoT) 기기 설치 증가를 꼽았습니다. 또한, 기업용 스토리지 용도에 대한 수요 증가와 헬스케어 인프라의 부상도 시장 수요를 견인할 것으로 보입니다.

목차

제1장 주요 요약

제2장 Technavio의 분석

제3장 시장 구도

제4장 시장 규모

제5장 시장 규모 실적

제6장 Five Forces 분석

제7장 시장 세분화 : 유형별

제8장 고객 상황

제9장 지역별 상황

제10장 성장 촉진요인, 과제, 기회 및 성장 억제요인

제11장 경쟁 구도

제12장 경쟁 분석

제13장 부록

LSH
영문 목차

영문목차

Resistive Ram Market 2024-2028

The resistive ram market is forecasted to grow by USD 404.8 mn during 2023-2028, accelerating at a CAGR of 19.2% during the forecast period. The report on the resistive ram market provides a holistic analysis, market size and forecast, trends, growth drivers, and challenges, as well as vendor analysis covering around 25 vendors.

The report offers an up-to-date analysis regarding the current market scenario, the latest trends and drivers, and the overall market environment. The market is driven by rising adoption of sensors technology, burgeoning consumer electronics and automotive industry, and growing research and development activities and new product launches.

Market Scope
Base Year2024
End Year2028
Series Year2024-2028
Growth MomentumAccelerate
YOY 202415.1%
CAGR19.2%
Incremental Value$404.8 mn

Technavio's resistive ram market is segmented as below:

By Type

By Geographical Landscape

This study identifies the rising installation of internet of things (IoT) devices as one of the prime reasons driving the resistive ram market growth during the next few years. Also, increasing demand for enterprise storage applications and rising healthcare infrastructure will lead to sizable demand in the market.

The report on the resistive ram market covers the following areas:

The robust vendor analysis is designed to help clients improve their market position, and in line with this, this report provides a detailed analysis of several leading resistive ram market vendors that include 4DS Memory Ltd., CrossBar Inc., Fujitsu Ltd., Intel Corp., Panasonic Holdings Corp., Rambus Inc., Renesas Electronics Corp., SK hynix Co. Ltd., SPIN MEMORY INC., Toshiba Corp., Viking Technology, and Weebit. Also, the resistive ram market analysis report includes information on upcoming trends and challenges that will influence market growth. This is to help companies strategize and leverage all forthcoming growth opportunities.

The study was conducted using an objective combination of primary and secondary information including inputs from key participants in the industry. The report contains a comprehensive market and vendor landscape in addition to an analysis of the key vendors.

The publisher presents a detailed picture of the market by the way of study, synthesis, and summation of data from multiple sources by an analysis of key parameters such as profit, pricing, competition, and promotions. It presents various market facets by identifying the key industry influencers. The data presented is comprehensive, reliable, and a result of extensive primary and secondary research. The market research reports provide a complete competitive landscape and an in-depth vendor selection methodology and analysis using qualitative and quantitative research to forecast accurate market growth.

Table of Contents

1 Executive Summary

2 Technavio Analysis

3 Market Landscape

4 Market Sizing

5 Historic Market Size

6 Five Forces Analysis

7 Market Segmentation by Type

8 Customer Landscape

9 Geographic Landscape

10 Drivers, Challenges, and Opportunity/Restraints

11 Competitive Landscape

12 Competitive Analysis

13 Appendix

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