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자기저항 RAM(MRAM) 시장 보고서 : 유형별, 제공별, 용도별, 지역별(2025-2033년)
Magneto Resistive RAM Market Report by Type (Toggle MRAM, Spin-Transfer Torque MRAM ), Offering, Application, and Region 2025-2033
상품코드 : 1702052
리서치사 : IMARC
발행일 : 2025년 04월
페이지 정보 : 영문 144 Pages
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한글목차

자기저항 RAM(MRAM) 세계 시장 규모는 2024년 8억 4,600만 달러에 달했습니다. 향후 IMARC Group은 2033년까지 134억 7,400만 달러에 달하고, 2025-2033년 36%의 연평균 성장률(CAGR)을 보일 것으로 전망하고 있습니다. 이 시장은 고속성, 에너지 효율성, 비휘발성, 기술 발전, 연구개발(R&D) 투자 증가, 사물인터넷(IoT) 및 인공지능(AI)에서의 용도 확대 등이 주요한 동인으로 작용하고 있습니다.

자기저항 랜덤 액세스 메모리(MRAM) 또는 자기 RAM은 전하를 사용하여 정보를 저장하는 비휘발성 메모리입니다. 스핀 전송 토크 MRAM과 토글 MRAM은 일반적으로 사용 가능한 유형 중 일부입니다. 이들은 유전체 또는 절연층을 통해 분리된 두 개의 자성층으로 구성된 자기 터널 접합(MTJ)을 이용합니다. 이는 고밀도 RAM이며, 커패시터와 트랜지스터를 포함합니다. 기존의 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)에 비해 MRAM은 전원 없이도 메모리에 저장된 정보를 유지할 수 있고, 비용 효율적이며, 큰 에너지를 소비하는 펄스를 필요로 하지 않아 비용 효율적입니다. 그 결과, 로봇공학, 자동차, 가전제품, 기업용 스토리지 시스템 등에 널리 활용되고 있습니다.

자기저항 RAM(MRAM) 시장 동향 :

민수용 전자제품 산업의 괄목할만한 성장은 시장 전망을 밝게 하는 중요한 요인 중 하나이며, MRAM은 워크스테이션, 스마트 웨어러블, 스마트폰, 디지털 카메라 등 다양한 전자기기에 널리 사용되고 있습니다. 또한, 고온 데이터 저장에 대한 항공우주 및 방위산업 분야의 제품 수요 증가가 시장 성장을 견인하고 있습니다. 또한, 내방사선 마이크로칩용 저전력 소비 MRAM의 개발과 같은 다양한 제품 혁신이 시장 성장을 가속하고 있습니다. 이 제품들은 전력 효율이 높고, 방사선에 강하며, 온도 변화에서도 작동할 수 있습니다. 이에 따라 사물인터넷(IoT) 지원 기기에 대한 수요 증가와 첨단 센서 및 스마트 로봇의 보급이 시장 성장에 긍정적인 영향을 미치고 있습니다. 기타 소형화 및 맞춤형 집적회로(IC)의 제품 활용 증가, 다양한 의료 질환의 비침습적 진단 검사를 위한 MRAM 내장형 의료용 센서의 광범위한 채택 등이 시장 성장의 원동력이 될 것으로 예측됩니다.

본 보고서에서 다룬 주요 질문

목차

제1장 서문

제2장 조사 범위와 조사 방법

제3장 주요 요약

제4장 서론

제5장 세계의 자기저항 RAM(MRAM) 시장

제6장 시장 분석 : 유형별

제7장 시장 분석 : 제공별

제8장 시장 분석 : 용도별

제9장 시장 분석 : 지역별

제10장 SWOT 분석

제11장 밸류체인 분석

제12장 Porter의 Five Forces 분석

제13장 가격 분석

제14장 경쟁 구도

LSH
영문 목차

영문목차

The global magneto resistive RAM (MRAM) market size reached USD 846 Million in 2024. Looking forward, IMARC Group expects the market to reach USD 13,474 Million by 2033, exhibiting a growth rate (CAGR) of 36% during 2025-2033. The market is expanding rapidly, driven by its high speed, energy efficiency, and non-volatility, with key trends including technological advancements, increased research and development (R&D) investments, and expanding applications in the Internet of Things (IoT) and artificial intelligence (AI).

Magneto resistive random access memory (MRAM), or magnetic RAM, is a non-volatile memory that uses magnetic charges to store information. Spin-transfer torque and toggle MRAM are some of the commonly available variants. They utilize magnetic tunnel junction (MTJ) that comprises two magnetic layers separated through a dielectric or insulation layer. It is a high-density RAM and it includes a capacitor and a transistor. In comparison to the traditionally used dynamic random-access memory (DRAM), MRAM can retain the information stored in the memory without a power source, is more cost-effective and does not require a large energy-consuming pulse. As a result, it is widely used in robotics, automobiles, consumer electronics and enterprise storage systems.

Magneto Resistive RAM (MRAM) Market Trends:

Significant growth in the consumer electronics industry is one of the key factors creating a positive outlook for the market. MRAM is widely used in various electronic gadgets, such as workstations, smart wearables, smartphones and digital cameras. Additionally, the increasing product demand in the aerospace and defense industries for high-temperature data storage is favoring the market growth. Moreover, various product innovations, such as the development of low-power MRAM variants for radiation-hardened microchips, are providing thrust to the market growth. They are power-efficient, resistant to radiations and can operate under temperature fluctuations. In line with this, the increasing demand for Internet of Things (IoT)-enabled devices and the widespread utilization of advanced sensors and smart robots are positively impacting the market growth. Other factors, including the increasing product utilization in miniaturized and customized integrated circuits (ICs), along with the widespread adoption of MRAM-embedded medical sensors for non-invasive diagnostic testing of medical various disorder, are anticipated to drive the market toward growth.

Key Market Segmentation:

Breakup by Type:

Breakup by Offering:

Breakup by Application:

Breakup by Region:

Competitive Landscape:

The competitive landscape of the industry has also been examined along with the profiles of the key players being Avalanche Technology Inc., Crocus Nano Electronics LLC, Everspin Technologies Inc., Honeywell International Inc., Infineon Technologies AG, Intel Corporation, NVE Corporation, Qualcomm Incorporated, Samsung Electronics Co. Ltd., Spin Memory Inc., Toshiba Corporation and Tower Semiconductor Ltd.

Key Questions Answered in This Report

Table of Contents

1 Preface

2 Scope and Methodology

3 Executive Summary

4 Introduction

5 Global Magneto Resistive RAM (MRAM) Market

6 Market Breakup by Type

7 Market Breakup by Offering

8 Market Breakup by Application

9 Market Breakup by Region

10 SWOT Analysis

11 Value Chain Analysis

12 Porters Five Forces Analysis

13 Price Analysis

14 Competitive Landscape

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