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자기 저항 RAM 시장 규모, 점유율, 동향 분석 보고서 : 재료별, 용도별, 지역별, 부문별 예측(2025-2030년)
Magneto Resistive RAM Market Size, Share & Trends Analysis Report By Material (Toggle MRAM, STT-MRAM), By Application (Consumer Electronics, Robotics, Automotive), By Region, And Segment Forecasts, 2025 - 2030
상품코드 : 1588672
리서치사 : Grand View Research, Inc.
발행일 : 2024년 10월
페이지 정보 : 영문 80 Pages
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한글목차

자기 저항 RAM 시장 성장과 동향:

자기 저항 RAM 세계 시장 규모는 2030년 211억 4,000만 달러에 달할 것으로 예상되며, 2025년부터 2030년까지 38.3%의 CAGR로 성장할 것으로 예측됩니다.

MRAM, 저항성 랜덤 액세스 메모리(RRAM/ReRAM)와 같은 비휘발성 메모리는 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM), 정적 랜덤 액세스 메모리(Static RAM 또는 SRAM)와 같은 기존 휘발성 메모리를 대체할 것으로 예상됩니다. 대체할 것으로 예상됩니다. 이러한 교체가 가능한 이유는 첨단 비휘발성 메모리가 제공하는 다양한 장점 때문입니다. 기존 플래시 메모리는 기술적 한계에 직면해 있고, 더 이상의 발전은 비용 증가로 이어질 것으로 예상되기 때문에 방전 시 데이터 손실을 방지할 수 있는 비휘발성 메모리의 발명으로 이어집니다.

웨어러블, 임베디드 MCU(Multipoint Control Unit), 스마트 카드, 엔터프라이즈 스토리지용 스토리지 클래스 메모리와 같은 독립형 시장은 시장에 엄청난 기회를 제공할 것으로 예상됩니다.

1세대 MRAM과 2세대 스핀 인젝션 자화 반전 MRAM(STT-MRAM)은 기존 DRAM과 SRAM을 대체할 것으로 예상됩니다. 초기에는 이들 메모리와 관련된 가격이 높을 것으로 예상되지만, 개발 속도가 빨라짐에 따라 가격이 하락할 것으로 예상됩니다.

또한, 이러한 메모리에 대한 수요 증가는 메모리 제조에 사용되는 장비에 대한 수요를 촉진할 것으로 예상됩니다. 이러한 메모리 제조에는 자기 판독 센서에 사용되는 것과 유사한 특수 제조 장비가 필요합니다. 따라서 비휘발성 메모리 제조에 필요한 자본 장비의 성장이 촉진될 것입니다.

이 시장은 복잡한 구조와 높은 메모리 제조 비용으로 인해 도전에 직면할 수 있습니다. 그러나 이러한 문제는 기술 발전과 생산량 증가를 통해 극복할 수 있습니다.

자기 저항 RAM 시장 보고서 하이라이트

목차

제1장 조사 방법과 범위

제2장 주요 요약

제3장 자기 저항 RAM 시장 변수, 동향, 범위

제4장 자기 저항 RAM 시장 : 재료 추정·동향 분석

제5장 자기 저항 RAM 시장 : 용도 추정·동향 분석

제6장 자기 저항 RAM 시장 : 지역 추정·동향 분석

제7장 경쟁 상황

ksm
영문 목차

영문목차

Magneto Resistive RAM Market Growth & Trends:

The global magneto resistive ram market size is expected to reach USD 21.14 billion in 2030 and is projected to grow at a CAGR of 38.3% from 2025 to 2030. Non-volatile memories, such as MRAM and Resistive random Access Memory (RRAM/ReRAM), are expected to replace the existing volatile memories such as Dynamic Random Access Memory (DRAM) and Static Random-Access Memory (static RAM or SRAM). The replacement would be possible due to different benefits offered by the advance non-volatile memories. The existing flash memories are facing technological limits; and their further advancements are expected to increase their costs, thus, leading to the invention of non-volatile memories that are capable of avoiding data loss on power discharge.

The standalone markets, such as wearables, embedded Multipoint Control Unit (MCU)s, smart cards, and storage class memories for enterprise storage, are expected to offer immense opportunities to the market.

The first generation MRAM and second generation Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM) are expected to replace traditional DRAMs and SRAMs. Initially, the prices associated with these memories are expected to be high, which would reduce with the increasing rates of developments.

Moreover, the increasing demand of these memories is predicted to promote the demand for equipment, used in their manufacturing. The manufacturing of these memories require specialized fabrication equipment, similar to those used in magnetic read sensors. Thus, promoting the growth of capital equipment required for manufacturing of non-volatile memories equipment.

The market may face challenges due to its complex structure and high costs of manufacturing of memories. However, these challenges can be circumvented by technological advancements and increased production.

Magneto Resistive RAM Market Report Highlights:

Table of Contents

Chapter 1. Methodology and Scope

Chapter 2. Executive Summary

Chapter 3. Magneto Resistive RAM Market Variables, Trends, & Scope

Chapter 4. Magneto Resistive RAM Market: Material Estimates & Trend Analysis

Chapter 5. Magneto Resistive RAM Market: Application Estimates & Trend Analysis

Chapter 6. Magneto Resistive RAM Market: Regional Estimates & Trend Analysis

Chapter 7. Competitive Landscape

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