시장보고서 | 연간정보서비스 | 맞춤형시장조사 | 메일링 | 샘플 요청 목록
세계의 GAAFET 테크놀러지 시장
GAAFET Technology
상품코드 : 1758849
리서치사 : Global Industry Analysts, Inc.
발행일 : 2025년 06월
페이지 정보 : 영문 145 Pages
 라이선스 & 가격 (부가세 별도)
US $ 5,850 ￦ 8,195,000
PDF (Single User License) help
PDF 보고서를 1명만 이용할 수 있는 라이선스입니다. 인쇄는 가능하며 인쇄물의 이용 범위는 PDF 이용 범위와 동일합니다.
US $ 17,550 ￦ 24,585,000
PDF (Global License to Company and its Fully-owned Subsidiaries) help
PDF 보고서를 동일 기업의 모든 분이 이용할 수 있는 라이선스입니다. 인쇄는 가능하며 인쇄물의 이용 범위는 PDF 이용 범위와 동일합니다.


한글목차

GAAFET 테크놀러지 세계 시장은 2030년까지 3억 2,750만 달러에 이를 전망

2024년에 7,300만 달러로 추정되는 GAAFET 테크놀러지 세계 시장은 2030년에는 3억 2,750만 달러에 이르고, 분석 기간인 2024-2030년 CAGR은 28.4%를 보일 것으로 예측됩니다. 이 보고서에서 분석한 부문 중 하나인 나노와이어는 CAGR 27.6%를 나타내고, 분석 기간 종료시에는 1억 1,830만 달러에 이를 것으로 예측됩니다. 나노시트 부문의 성장률은 분석 기간에 CAGR 30.6%로 추정됩니다.

미국 시장은 1,920만 달러로 추정, 중국은 CAGR27.0%로 성장 예측

미국의 GAAFET 테크놀러지 시장은 2024년에는 1,920만 달러로 추정됩니다. 세계 2위 경제대국인 중국은 2030년까지 4,960만 달러 규모에 이를 것으로 예측되며, 분석 기간인 2024-2030년 CAGR은 27.0%로 추정됩니다. 기타 주목해야 할 지역별 시장으로서는 일본과 캐나다가 있으며, 분석 기간중 CAGR은 각각 25.8%와 24.7%를 보일 것으로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 약 19.8%를 보일 전망입니다.

세계의 GAAFET 테크놀러지 시장 - 주요 동향과 촉진요인 정리

GAAFET 기술이 반도체 혁신의 새로운 시대를 여는 이유는 무엇일까?

게이트 주변 전계 효과 트랜지스터(GAAFET) 기술은 반도체 아키텍처의 혁신적인 발전으로, FinFET(Fin Field-Effect Transistor) 구조에서 보다 확장 가능하고 전력 효율이 높으며 성능에 최적화된 트랜지스터 설계로의 중요한 진화를 의미합니다. 의미합니다. 반도체 노드가 5nm를 넘어 3nm 및 2nm 영역으로 축소됨에 따라 기존 FinFET 설계는 단채널 효과, 누설 전류 및 정전기 무결성 제어에 있어 큰 한계에 직면하고 있으며, GAAFET은 트랜지스터 채널을 게이트로 완전히 둘러싸는 방식으로 이러한 문제를 극복합니다. 전류의 흐름을 보다 정밀하게 제어하고, 보다 엄격한 스위칭 특성을 가능하게 합니다. 이러한 향상된 정전기 제어는 전력 소비를 크게 줄이고 구동 전류를 개선하여 GAAFET은 고급 컴퓨팅, 모바일 프로세서, 인공지능(AI) 워크로드에서 고성능 및 저전력 용도에 적합합니다. 시트 및 나노와이어와 같은 GAAFET 구조는 채널 폭을 변경하여 다양한 성능 목표에 맞게 정밀하게 조정할 수 있습니다. 삼성, 인텔, TSMC 등 주요 반도체 업체들은 GAAFET의 개발과 차세대 칩 설계에의 통합에 적극적으로 투자하고 있습니다. 무어의 법칙이 느려지고 트랜지스터의 스케일링이 더욱 복잡해짐에 따라 GAAFET 기술은 미래 칩 성능의 핵심으로 부상하고 있으며, 데이터 중심의 세계에서 지속적인 혁신을 가능하게 하고 있습니다.

최종 용도는 GAAFET 기술의 채택과 맞춤화를 어떻게 촉진하고 있는가?

GAAFET 기술의 채택은 성능이 중요하고 전력 소비에 민감한 최종 용도에 광범위하게 적용될 수 있기 때문에 빠르게 가속화되고 있습니다. 소비자 가전 분야에서는 차세대 스마트폰, 노트북, 웨어러블 기기에서 배터리 수명을 절약하면서 고속 컴퓨팅을 구현할 수 있는 칩셋이 요구되고 있습니다. 엄청난 병렬 처리와 빠른 데이터 처리량을 요구하는 AI 및 머신러닝(ML) 워크로드에서 GAAFET 기반 로직은 실시간 추론 및 모델 훈련에 필수적인 높은 트랜지스터 밀도와 낮은 레이턴시를 가능하게 합니다. 와트당 성능이 중요한 데이터센터에서 GAAFET은 운영 비용과 탄소 발자국을 비례적으로 증가시키지 않으면서 클라우드 컴퓨팅의 성장을 유지하는 데 필요한 에너지를 절약할 수 있습니다. 자동차 전장, 특히 자율주행차 및 첨단운전자보조시스템(ADAS)도 복잡한 차량 내 의사결정 시스템을 지원하는 GAAFET의 신뢰성과 고주파 동작의 이점을 누릴 수 있습니다. 또한, 사물인터넷(IoT) 및 엣지 컴퓨팅 환경에서는 디바이스가 최소한의 에너지 소비와 컴퓨팅 민첩성의 균형을 유지해야 하는데, GAAFET은 초소형, 고효율 SoC(System on Chip)를 가능하게 합니다. 용도의 다양성과 요구사항이 증가함에 따라 GAAFET은 초저전력 센서에서 하이엔드 프로세서에 이르기까지 다양한 성능 계층을 지원하는 데 필요한 확장성과 구성 가능성을 제공하여 새로운 디바이스 인텔리전스 및 통합의 시대를 열어가고 있습니다.

GAAFET 아키텍처의 개발 및 통합을 지원하는 기술 혁신은 무엇인가?

GAAFET 기술의 구현은 재료공학, 리소그래피 및 소자 제조 기술의 혁신의 물결에 의해 추진되고 있습니다. GAAFET의 특징 중 하나는 적층된 나노시트 또는 나노와이어를 사용하여 증착 및 에칭 공정에서 원자 단위의 정밀도가 요구되는 나노 스케일 트랜지스터 설계의 과제를 극복하는 데 필수적인 요소입니다. 첨단 극자외선(EUV) 리소그래피는 이러한 구조를 서브나노미터 수준의 정밀도로 패터닝하는 데 매우 중요한 역할을 하며, 제조업체가 3nm 이하의 노드에서도 높은 수율을 달성할 수 있게 해줍니다. 원자층 증착법(ALD)과 선택적 에칭 기술도 GAAFET의 성능을 결정하는 초박형 채널과 컨포멀 게이트 구조의 형성에 필수적이며, high-k 유전체, 실리콘-게르마늄(SiGe), 새로운 금속 게이트 스택과 같은 재료는 이동도를 높이고 기생 용량을 줄이며 장시간 사용에 견딜 수 있는 신뢰성을 유지하도록 최적화되어 있습니다. 칩렛 아키텍처 및 실리콘 관통 전극(TSV)을 포함한 3D 집적 기술은 시스템 레벨 패키지에서 GAAFET 기반 설계를 보완하기 위해 공동 개발되고 있습니다. 또한, 계산 모델링, AI 지원 설계 자동화, 전자 설계 자동화(EDA) 툴을 통해 다양한 전기적 및 열적 조건에서 GAAFET 트랜지스터의 정밀한 시뮬레이션 및 레이아웃을 가능하게 하고 있으며, III-V족 반도체 및 그래핀, MoS2와 같은 2D 재료도 포함합니다. 새로운 채널 재료에 대한 연구는 GAAFET의 향후 기능 확장을 시사하고 있습니다. 이러한 기술을 통해 GAAFET은 3nm 이하 노드에서 실현될 수 있을 뿐만 아니라, 칩 제조의 온스트롬 시대를 향해 장기적으로 진화할 준비가 되어 있습니다.

GAAFET 기술의 세계 보급을 촉진하는 시장 역학은 무엇인가?

GAAFET 기술 시장의 성장은 FinFET에서 보다 진보된 트랜지스터 아키텍처로의 전환을 촉진하는 시장 압력, 지정학적 변화, 업계 로드맵, 경쟁 역학의 결합에 의해 촉진되고 있습니다. 가장 큰 원동력 중 하나는 기존 방법으로는 트랜지스터 수와 전력 효율을 개선하기 어려운 포스트 무어의 법칙 시대에 반도체 업계가 지속적으로 성능을 미세화해야 한다는 점이며, GAAFET의 뛰어난 확장성과 에너지 효율은 이러한 목표에 완벽하게 부합합니다. 실리콘 진화의 다음 단계가 될 수 있습니다. 칩 제조업체들이 더 작고, 더 빠르고, 더 전력 소모가 적은 칩을 제공해야 한다는 압박에 직면한 가운데, GAAFET은 최첨단 노드의 요구사항을 충족하는 적시성 있는 솔루션을 제공합니다. 한편, 공급망 혼란과 지정학적 긴장으로 인해 악화되고 있는 기술 주권을 확보하려는 세계적인 움직임은 국가와 기업들이 국내 반도체 연구개발 및 주조 능력에 대한 막대한 투자를 유도하고 있으며, GAAFET은 이러한 차세대 팹의 중심에 위치하는 경우가 많습니다. 인텔, 삼성, TSMC와 같은 반도체 대기업 간의 경쟁 관계도 GAAFET 기반 상용 칩을 가장 먼저 시장에 출시하여 기술적 우위를 확보하려는 움직임을 가속화하고 있습니다. 고성능 컴퓨팅(HPC)에 대한 설비 투자 증가는 GAAFET 수준의 성능을 대규모로 요구하고 있습니다. 비용, 전력 소비, 성능이 계속해서 설계 고려사항을 지배하는 가운데, GAAFET 기술은 첨단 노드 반도체의 결정적인 아키텍처가 되어 업계를 혁신과 시장 성장의 새로운 단계로 이끌 것입니다.

부문

유형(나노와이어, 나노시트, Hexagonal FETs, Nano-Ring FET, Nanoslab FET), 최종 용도(에너지 및 전력, 소비자 일렉트로닉스, 산업 시스템, 자동차, 기타 최종 용도)

조사 대상 기업 예

AI 통합

당사는 유효한 전문가 컨텐츠와 AI툴에 의해 시장 정보와 경쟁 정보를 변혁하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 LLM나 업계 고유 SLM를 조회하는 일반적인 규범에 따르는 대신에, 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 방대한 양의 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등, 전 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사의 국가, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기반으로 기업의 경쟁력 변화를 예측했습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 수익원가(COGS) 증가, 수익성 감소, 공급망 재편 등 미시적 및 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예측됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

LSH
영문 목차

영문목차

Global GAAFET Technology Market to Reach US$327.5 Million by 2030

The global market for GAAFET Technology estimated at US$73.0 Million in the year 2024, is expected to reach US$327.5 Million by 2030, growing at a CAGR of 28.4% over the analysis period 2024-2030. Nano Wires, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 27.6% CAGR and reach US$118.3 Million by the end of the analysis period. Growth in the Nano Sheets segment is estimated at 30.6% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$19.2 Million While China is Forecast to Grow at 27.0% CAGR

The GAAFET Technology market in the U.S. is estimated at US$19.2 Million in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$49.6 Million by the year 2030 trailing a CAGR of 27.0% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 25.8% and 24.7% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 19.8% CAGR.

Global GAAFET Technology Market - Key Trends & Drivers Summarized

Why Is GAAFET Technology Heralding a New Era in Semiconductor Innovation?

Gate-All-Around Field-Effect Transistor (GAAFET) technology represents a transformative advancement in semiconductor architecture, marking a critical evolution from FinFET (Fin Field-Effect Transistor) structures to a more scalable, power-efficient, and performance-optimized transistor design. As semiconductor nodes shrink beyond 5nm into the 3nm and 2nm territory, traditional FinFET designs face significant limitations in controlling short-channel effects, leakage currents, and electrostatic integrity. GAAFET overcomes these challenges by completely surrounding the transistor channel with the gate, allowing for superior control over current flow and enabling tighter switching characteristics. This enhanced electrostatic control results in significantly reduced power consumption and improved drive current, making GAAFETs ideal for high-performance, low-power applications in advanced computing, mobile processors, and artificial intelligence (AI) workloads. Unlike FinFETs, GAAFET structures-such as nanosheets or nanowires-can be precisely tuned for different performance targets by varying the width of the channel, a flexibility that empowers foundries to offer multiple performance-power tradeoffs within a single process node. Leading semiconductor manufacturers like Samsung, Intel, and TSMC are aggressively investing in GAAFET development and integration into their next-generation chip designs. As Moore’s Law slows and transistor scaling becomes more complex, GAAFET technology is emerging as a cornerstone of future chip performance, enabling continued innovation in an increasingly data-driven world.

How Are End-Use Applications Driving Adoption and Customization of GAAFET Technology?

The adoption of GAAFET technology is being rapidly accelerated by its applicability across a wide spectrum of performance-critical and power-sensitive end-use applications. In the consumer electronics sector, next-generation smartphones, laptops, and wearables require chipsets that can deliver high-speed computing while conserving battery life-objectives that GAAFETs address with their superior power efficiency and thermal behavior. For AI and machine learning (ML) workloads, which demand vast parallel processing and fast data throughput, GAAFET-based logic enables higher transistor density and lower latency, critical for real-time inferencing and training models. In data centers, where performance per watt is a key metric, GAAFETs offer the energy savings necessary to sustain growth in cloud computing without proportionally increasing operational costs or carbon footprint. Automotive electronics, particularly in autonomous vehicles and advanced driver-assistance systems (ADAS), are also benefitting from the reliability and high-frequency operation of GAAFETs, which support complex onboard decision-making systems. Additionally, in the Internet of Things (IoT) and edge computing environments, where devices must balance minimal energy consumption with computational agility, GAAFETs allow for ultra-compact, high-efficiency SoCs (systems on chips). As applications grow more diverse and demanding, GAAFETs provide the scalability and configurability needed to serve multiple performance tiers-from ultra-low power sensors to high-end processors-ushering in a new era of device intelligence and integration.

What Technological Innovations Are Powering the Development and Integration of GAAFET Architectures?

The implementation of GAAFET technology is being propelled by a wave of innovations in materials engineering, lithography, and device fabrication techniques, all of which are essential for overcoming the challenges of nanoscale transistor design. One of the defining features of GAAFETs is their use of stacked nanosheets or nanowires, which require atomic-level precision during the deposition and etching processes. Advanced extreme ultraviolet (EUV) lithography plays a pivotal role in patterning these structures with sub-nanometer accuracy, enabling manufacturers to achieve high yields even at nodes below 3nm. Atomic layer deposition (ALD) and selective etching techniques are also critical in forming the ultra-thin channels and conformal gate structures that define GAAFET performance. Materials such as high-k dielectrics, silicon-germanium (SiGe), and new metal gate stacks are being optimized to enhance mobility, reduce parasitic capacitance, and maintain reliability over extended use. 3D integration techniques, including chiplet architectures and through-silicon vias (TSVs), are being co-developed to complement GAAFET-based designs in system-level packages. Furthermore, computational modeling, AI-assisted design automation, and electronic design automation (EDA) tools are enabling precise simulation and layout of GAAFET transistors under varied electrical and thermal conditions. Research into new channel materials, including III-V semiconductors and 2D materials like graphene and MoS2, hints at the future expansion of GAAFET capabilities. These technology enablers are ensuring that GAAFETs are not only viable at sub-3nm nodes but also poised for long-term evolution well into the angstrom era of chipmaking.

What Market Dynamics Are Driving the Global Adoption of GAAFET Technology?

The growth of the GAAFET technology market is being fueled by a confluence of market pressures, geopolitical shifts, industry roadmaps, and competitive dynamics that collectively favor the transition from FinFETs to more advanced transistor architectures. One of the foremost drivers is the semiconductor industry’s need to continue performance scaling in the post-Moore’s Law era, where gains in transistor count and power efficiency are harder to achieve through conventional means. GAAFET’s superior scalability and energy efficiency align perfectly with this goal, making it the next logical step in silicon evolution. As chipmakers face increasing pressure to deliver smaller, faster, and more power-conscious chips, GAAFET offers a timely solution that meets the demands of leading-edge nodes. Meanwhile, the global push for technological sovereignty-exacerbated by supply chain disruptions and geopolitical tensions-is prompting nations and corporations to invest heavily in domestic semiconductor R&D and foundry capabilities, with GAAFET often positioned at the heart of these next-generation fabs. Competitive rivalry among semiconductor giants like Intel, Samsung, and TSMC is also driving accelerated adoption, with each aiming to gain a technological edge by bringing commercial GAAFET-based chips to market first. Rising capital investment in AI, quantum computing, 5G infrastructure, and high-performance computing (HPC) is amplifying the need for GAAFET-level performance at scale. As cost, power, and performance continue to dominate design considerations, GAAFET technology is set to become the defining architecture of advanced node semiconductors, guiding the industry into a new phase of innovation and market growth.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the GAAFET Technology market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Type (Nano Wires, Nano Sheets, Hexagonal FETs, Nano-Ring FETs, Nanoslab FETs); End-Use (Energy & Power, Consumer Electronics, Industrial Systems, Automotive, Other End-Uses)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; and Rest of Europe); Asia-Pacific; Rest of World.

Select Competitors (Total 37 Featured) -

AI INTEGRATIONS

We're transforming market and competitive intelligence with validated expert content and AI tools.

Instead of following the general norm of querying LLMs and Industry-specific SLMs, we built repositories of content curated from domain experts worldwide including video transcripts, blogs, search engines research, and massive amounts of enterprise, product/service, and market data.

TARIFF IMPACT FACTOR

Our new release incorporates impact of tariffs on geographical markets as we predict a shift in competitiveness of companies based on HQ country, manufacturing base, exports and imports (finished goods and OEM). This intricate and multifaceted market reality will impact competitors by increasing the Cost of Goods Sold (COGS), reducing profitability, reconfiguring supply chains, amongst other micro and macro market dynamics.

TABLE OF CONTENTS

I. METHODOLOGY

II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

(주)글로벌인포메이션 02-2025-2992 kr-info@giikorea.co.kr
ⓒ Copyright Global Information, Inc. All rights reserved.
PC버전 보기