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세계의 갈륨비소(GaAs) RF 반도체 시장
Gallium Arsenide (GaAs) RF Semiconductors
상품코드 : 1757753
리서치사 : Market Glass, Inc. (Formerly Global Industry Analysts, Inc.)
발행일 : 2025년 06월
페이지 정보 : 영문 285 Pages
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한글목차

갈륨비소(GaAs) RF 반도체 세계 시장은 2030년까지 12억 달러에 달할 전망

2024년에 7억 6,680만 달러로 추정되는 갈륨비소(GaAs) RF 반도체 세계 시장은 2024년부터 2030년까지 CAGR 7.3%로 성장하여 2030년에는 12억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 이 보고서에서 분석한 부문 중 하나인 필터는 CAGR 6.5%를 기록하며 분석 기간 종료시에는 4억 5,210만 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 파워 앰프 부문의 성장률은 분석 기간 동안 CAGR 6.2%로 추정됩니다.

미국 시장은 추정 2억 890만 달러, 중국은 CAGR 11.2%로 성장 예측

미국의 갈륨비소(GaAs) RF 반도체 시장은 2024년에 2억 890만 달러로 추정됩니다. 세계 2위 경제 대국인 중국은 2024년부터 2030년 분석 기간 동안 CAGR 11.2%로 성장하여 2030년에는 2억 4,410만 달러의 시장 규모에 달할 것으로 예측됩니다. 기타 주목할 만한 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있고, 분석 기간 동안 CAGR은 각각 3.7%와 7.0%로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 4.8%로 성장할 것으로 예측됩니다.

세계의 갈륨비소(GaAs) RF 반도체 시장 - 주요 동향과 촉진요인 정리

GaAs RF 반도체가 고주파 및 고출력 무선 시스템의 중추인 이유는 무엇인가?

갈륨비소(GaAs) RF 반도체는 기존 실리콘을 능가하는 우수한 재료 특성으로 인해 고주파 및 고전력 무선 시스템 설계 및 구축에 있어 핵심 요소로 자리 잡고 있습니다. 실리콘에 비해 전자 이동도가 6배 가까이 높은 GaAs는 위성통신, 레이더, 항공우주 시스템, 최신 무선 인프라 등의 애플리케이션에 필수적인 고속 신호 전송과 우수한 고주파 성능을 가능하게 합니다. 실리콘과 달리 GaAs는 직접적인 밴드갭을 가지고 있고 전자기 방사선의 방출과 흡수에 더 효율적이기 때문에 광 기반 및 RF 장치에 사용하기에 이상적입니다. 또한, GaAs 반도체는 낮은 노이즈 지수와 높은 선형성을 가지고 있어 다중 대역, 고속 무선 환경에서 신호 무결성을 유지하는 데 필수적입니다. 또한 방사선과 열에 강하기 때문에 우주 및 군사 활동과 같은 열악한 환경에서 사용하기에 매우 적합하며, GaAs 기판으로 만든 전력 증폭기, 스위치, 저잡음 증폭기는 휴대폰, 기지국, 무선 액세스 포인트의 RF 프론트엔드에 널리 사용됩니다. 인터넷, 첨단 국방 통신 시스템의 보급으로 더 빠르고 안정적인 무선 통신에 대한 전 세계의 욕구가 높아지는 가운데, GaAs RF 반도체는 신뢰성이 높고 성능이 최적화된 차세대 전자제품의 기반을 지속적으로 제공하고 있습니다.

세계 주요 산업은 GaAs RF 반도체 수요를 어떻게 견인하고 있는가?

일상 생활과 핵심 산업에서 고주파 통신의 역할이 확대됨에 따라 GaAs RF 반도체의 수요는 점점 더 다양해지고 있습니다. 통신 분야에서 GaAs 기반 전력 증폭기 및 스위치는 4G LTE, 5G 및 곧 출시될 5G 연결을 지원하는 데 필수적이며, 사용자 기기와 네트워크 인프라 모두에서 높은 처리량의 데이터 전송에 필요한 성능을 제공합니다. 특히 스마트폰과 태블릿과 같은 소비자 전자제품은 배터리 수명을 절약하고 장치 설치 면적을 최소화하면서 여러 주파수 대역을 관리하기 위해 GaAs RF 부품에 크게 의존하고 있습니다. 항공우주 및 방위 분야에서 GaAs RF 반도체는 레이더, 위성통신, 미사일 유도, 전자전 시스템에 필수적이며, 가혹한 환경 조건에서 견고성, 고이득, 신호 충실도가 필수적입니다. 자동차 산업 또한 용도가 확대되고 있는 분야로, V2X(Vehicle-to-Everything) 통신 시스템 및 레이더 기반 운전 보조 기술의 통합은 고속, 저간섭 성능의 GaAs에 의존하고 있습니다. 또한, GaAs 반도체는 광대역 위성 서비스를 가능하게 하는 핵심 요소로, 특히 지방 및 원격지 연결 개념에서 중요한 역할을 합니다. 산업용 IoT(IIoT), LiDAR 시스템, 차세대 웨어러블 의료기기 등의 신기술도 GaAs 반도체의 고주파 특성 및 저소음 특성을 활용하고 있습니다. 급속한 디지털 혁신과 함께 GaAs RF 솔루션에 대한 수요의 지속적인 성장은 예측 가능한 미래에도 지속될 것으로 보입니다.

GaAs RF 디바이스의 성능과 확장성을 향상시키는 기술 발전은 무엇인가?

재료 가공, 소자 설계 및 제조 분야의 혁신은 GaAs RF 반도체의 성능과 확장성을 지속적으로 향상시켜 최첨단 애플리케이션에 대한 관련성을 보장하고 있습니다. 분자선 에피택시(MBE)와 유기 금속 화학 기상 성장(MOCVD)의 발전으로 도핑과 층 구조를 고도로 제어할 수 있는 초순수 GaAs 웨이퍼를 제조할 수 있게 되었습니다. 이는 고성능 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터(HBT) 및 유사 고전자 이동도 트랜지스터(pHEMT)의 제조에 필수적입니다. 이러한 소자 유형은 마이크로파 및 밀리미터파 주파수에서 우수한 선형성, 이득 및 전력 효율을 제공하며, MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 설계의 개선으로 증폭, 필터링 및 믹싱과 같은 여러 RF 기능을 하나의 GaAs 칩에 통합하여 부품 수, 크기 및 전력 소비를 줄일 수 있습니다. 크기, 소비전력을 줄일 수 있습니다. 첨단 방열판 소재와 열 비아를 포함한 열 관리 기술을 강화하여 고전력 디바이스의 열로 인한 성능 저하를 완화합니다. 플립칩 및 웨이퍼 레벨 패키징과 같은 웨이퍼 본딩 및 패키징의 혁신은 신뢰성 향상, 기생 소자 감소, 집적도 증가를 가능하게 합니다. 또한, AI 기반 전자 설계 자동화(EDA) 툴의 발전으로 복잡한 GaAs RF 회로의 설계 및 시뮬레이션을 간소화하여 개발 주기를 단축하고 시장 출시 시간을 단축하고 있습니다. 이러한 발전은 GaAs RF 반도체의 기능과 신뢰성을 향상시키면서 제조 비용을 낮추고, 기존 및 신흥 기술 시장 모두에서 보다 광범위한 애플리케이션에 대한 접근을 가능하게 하고 있습니다.

세계 GaAs RF 반도체 산업의 확장을 촉진하는 시장 역학은 무엇인가?

세계 GaAs RF 반도체 시장은 데이터 연결에 대한 수요 증가, 기술 융합, 첨단 통신 인프라에 대한 전략적 투자로 인해 빠르게 성장하고 있습니다. 주요 시장 촉진요인 중 하나는 5G의 출시와 6G를 향한 진행 중인 진화이며, 이를 위해서는 기가헤르츠와 밀리미터파 주파수 대역에서 효율적으로 작동할 수 있는 고주파 부품이 필요합니다. 고주파 성능이 우수한 GaAs RF 반도체는 이러한 전환을 실현하는 데 핵심적인 역할을 할 것입니다. 이와 함께 세계 광대역 커버리지를 위한 저궤도(LEO) 위성 별자리의 등장은 우주급 통신 시스템에서 고신뢰성 GaAs RF 부품에 대한 새로운 기회를 창출하고 있습니다. 국가 안보의 요구와 현대 전쟁에서 전자적 우위의 필요성으로 인해 각국 정부는 GaAs 기반 솔루션을 포함한 국내 반도체 생산에 많은 투자를 하고 있습니다. 또한, 팬데믹과 지정학적 긴장에 힘입어 안전하고 주권적인 반도체 공급망을 개발하려는 전 세계적인 노력은 미국, 중국, EU 및 기타 지역에서 R&D 자금의 증가와 생산능력의 확대로 이어지고 있습니다. 주조업체, 디바이스 제조업체, OEM 간의 합병, 인수, 제휴를 통해 전문 지식을 통합하고 제품 혁신 파이프라인을 간소화하고 있습니다. 또한, 소비자 전자제품의 소형화, 에너지 효율화, 다기능화 추세는 OEM이 보다 집적화되고 효율적인 RF 솔루션을 채택하도록 유도하고 있습니다. 환경적 지속가능성도 지지받고 있으며, RF 애플리케이션에서 GaAs의 에너지 절약 가능성은 추가적인 이점을 제공합니다. 이러한 시장 역학을 종합하면, GaAs RF 반도체는 무선 통신, 국방 및 고성능 전자제품의 미래 핵심 기술로서 확고한 입지를 구축하고 있습니다.

부문

유형(필터, 파워 앰프, 로 노이즈 앰프, 스위치), 용도(소비자 기기, 자동차, 통신, 항공우주 및 방위)

조사 대상 기업 사례(총 42개사)

AI 통합

우리는 검증된 전문가 컨텐츠와 AI 툴을 통해 시장 정보와 경쟁 정보를 혁신하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 LLM 및 산업별 SLM 쿼리를 따르는 대신 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 방대한 양의 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사의 국가, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기반으로 기업의 경쟁력 변화를 예측하고 있습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 매출원가(COGS) 증가, 수익성 감소, 공급망 재편 등 미시적 및 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예상됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

ksm
영문 목차

영문목차

Global Gallium Arsenide (GaAs) RF Semiconductors Market to Reach US$1.2 Billion by 2030

The global market for Gallium Arsenide (GaAs) RF Semiconductors estimated at US$766.8 Million in the year 2024, is expected to reach US$1.2 Billion by 2030, growing at a CAGR of 7.3% over the analysis period 2024-2030. Filter, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 6.5% CAGR and reach US$452.1 Million by the end of the analysis period. Growth in the Power Amplifier segment is estimated at 6.2% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$208.9 Million While China is Forecast to Grow at 11.2% CAGR

The Gallium Arsenide (GaAs) RF Semiconductors market in the U.S. is estimated at US$208.9 Million in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$244.1 Million by the year 2030 trailing a CAGR of 11.2% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 3.7% and 7.0% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 4.8% CAGR.

Global Gallium Arsenide (GaAs) RF Semiconductors Market - Key Trends & Drivers Summarized

Why Are GaAs RF Semiconductors the Backbone of High-Frequency and High-Power Wireless Systems?

Gallium Arsenide (GaAs) RF semiconductors have become a foundational element in the design and deployment of high-frequency, high-power wireless systems due to their superior material characteristics over conventional silicon. With electron mobility nearly six times greater than silicon, GaAs allows for faster signal transmission and better high-frequency performance-traits that are critical for applications such as satellite communication, radar, aerospace systems, and modern wireless infrastructure. Unlike silicon, GaAs has a direct bandgap, making it more efficient in emitting and absorbing electromagnetic radiation, which is ideal for use in light-based and RF devices. Furthermore, GaAs semiconductors exhibit low noise figures and high linearity, making them essential in maintaining signal integrity in multi-band, high-speed wireless environments. They are also resistant to radiation and heat, making them highly suitable for use in harsh environments such as space and military operations. Power amplifiers, switches, and low-noise amplifiers built on GaAs substrates are used extensively in the RF front ends of mobile phones, base stations, and wireless access points. As the global appetite for faster and more reliable wireless communication grows-driven by the proliferation of 5G, satellite internet, and advanced defense communication systems-GaAs RF semiconductors continue to provide a reliable and performance-optimized foundation for next-generation electronics.

How Are Key Industries Driving the Demand for GaAs RF Semiconductors Across the Globe?

The expanding role of high-frequency communications in everyday life and mission-critical industries is driving robust demand for GaAs RF semiconductors across an increasingly diverse array of sectors. In telecommunications, GaAs-based power amplifiers and switches are integral to supporting 4G LTE, 5G, and soon 6G connectivity, delivering the required performance for high-throughput data transfer in both user devices and network infrastructure. Consumer electronics, especially smartphones and tablets, depend heavily on GaAs RF components to manage multiple frequency bands while conserving battery life and minimizing device footprint. In aerospace and defense, GaAs RF semiconductors are vital for radar, satellite communication, missile guidance, and electronic warfare systems, where ruggedness, high gain, and signal fidelity are essential under extreme environmental conditions. The automotive industry is another rising domain of application, with the integration of vehicle-to-everything (V2X) communication systems and radar-based driver assistance technologies relying on GaAs for high-speed, low-interference performance. Furthermore, GaAs semiconductors are key to enabling broadband satellite services, especially for rural and remote connectivity initiatives. Emerging technologies such as industrial IoT (IIoT), LiDAR systems, and next-gen wearable medical devices also benefit from the high-frequency and low-noise properties of GaAs semiconductors. The wide applicability across sectors, coupled with rapid digital transformation, ensures sustained growth in demand for GaAs RF solutions well into the foreseeable future.

What Technological Advancements Are Enhancing the Performance and Scalability of GaAs RF Devices?

Technological innovation in materials processing, device design, and fabrication is continuously enhancing the performance and scalability of GaAs RF semiconductors, ensuring their relevance in cutting-edge applications. Advances in molecular beam epitaxy (MBE) and metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) have enabled the production of ultra-high-purity GaAs wafers with highly controlled doping and layered structures, which are crucial for manufacturing high-performance heterojunction bipolar transistors (HBTs) and pseudomorphic high electron mobility transistors (pHEMTs). These device types offer superior linearity, gain, and power efficiency at microwave and millimeter-wave frequencies. Improvements in MMIC (monolithic microwave integrated circuit) design allow for integration of multiple RF functions-like amplification, filtering, and mixing-on a single GaAs chip, reducing component count, size, and power consumption. Enhanced thermal management technologies, including advanced heat sink materials and thermal vias, are mitigating heat-related performance degradation in high-power devices. Innovations in wafer bonding and packaging-such as flip-chip and wafer-level packaging-are improving reliability, reducing parasitics, and enabling higher integration density. Moreover, progress in AI-driven electronic design automation (EDA) tools is streamlining the design and simulation of complex GaAs RF circuits, reducing development cycles and facilitating faster time to market. The convergence of these advancements is driving down production costs while enhancing the capabilities and reliability of GaAs RF semiconductors, making them more accessible to a broader range of applications in both established and emerging technology markets.

What Market Dynamics Are Fueling the Expansion of the Global GaAs RF Semiconductor Industry?

The global GaAs RF semiconductor market is witnessing rapid growth fueled by accelerating demand for data connectivity, technological convergence, and strategic investment in advanced communication infrastructure. One of the primary market drivers is the rollout of 5G and the ongoing evolution toward 6G, which require high-frequency components capable of operating efficiently in the gigahertz and millimeter-wave spectrum. GaAs RF semiconductors, with their superior high-frequency performance, are key enablers of this transition. In parallel, the rise of low-earth orbit (LEO) satellite constellations for global broadband coverage is creating new opportunities for high-reliability GaAs RF components in space-grade communication systems. National security imperatives and the need for electronic dominance in modern warfare are prompting governments to invest heavily in domestic semiconductor production, including GaAs-based solutions. Furthermore, global efforts to develop secure, sovereign semiconductor supply chains-driven by the pandemic and geopolitical tensions-are leading to increased R&D funding and capacity expansion in regions such as the U.S., China, and the EU. Mergers, acquisitions, and partnerships among foundries, device manufacturers, and OEMs are consolidating expertise and streamlining product innovation pipelines. Additionally, trends toward miniaturization, energy efficiency, and multifunctionality in consumer electronics are pushing OEMs to adopt more integrated and efficient RF solutions. With environmental sustainability also gaining traction, the energy-saving potential of GaAs in RF applications offers an added advantage. Collectively, these market dynamics are solidifying GaAs RF semiconductors as a cornerstone technology in the future of wireless communication, defense, and high-performance electronics.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the Gallium Arsenide (GaAs) RF Semiconductors market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Type (Filter, Power Amplifier, Low Noise Amplifier, Switch); Application (Consumer Devices, Automotive, Telecommunication, Aerospace & Defense)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; Spain; Russia; and Rest of Europe); Asia-Pacific (Australia; India; South Korea; and Rest of Asia-Pacific); Latin America (Argentina; Brazil; Mexico; and Rest of Latin America); Middle East (Iran; Israel; Saudi Arabia; United Arab Emirates; and Rest of Middle East); and Africa.

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II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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