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세계의 갈륨 비소(GaAs) RF 디바이스 시장
Gallium Arsenide (GaAs) RF Devices
상품코드 : 1758850
리서치사 : Market Glass, Inc. (Formerly Global Industry Analysts, Inc.)
발행일 : 2025년 06월
페이지 정보 : 영문 155 Pages
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한글목차

갈륨 비소(GaAs) RF 디바이스 세계 시장은 2030년까지 9억 940만 달러에 이를 전망

2024년에 5억 9,560만 달러로 추정되는 갈륨 비소(GaAs) RF 디바이스 세계 시장은 2024-2030년간 CAGR 7.3%로 성장하여 2030년에는 9억 940만 달러에 이를 것으로 예측됩니다. 본 보고서에서 분석한 부문 중 하나인 필터는 CAGR 7.7%를 나타내고, 분석 기간 종료시에는 3억 7,730만 달러에 이를 것으로 예측됩니다. 파워업 분야의 성장률은 분석 기간에 CAGR 5.3%로 추정됩니다.

미국 시장은 1억 5,660만 달러, 중국은 CAGR 7.1%로 성장 예측

미국의 갈륨 비소(GaAs) RF 디바이스 시장은 2024년 1억 5,660만 달러에 이른 것으로 추정됩니다. 세계 2위 경제대국인 중국은 2030년까지 1억 4,560만 달러 규모에 이를 것으로 예측되며, 분석 기간인 2024-2030년 CAGR은 7.1%를 보일 전망입니다. 기타 주목해야 할 지역별 시장으로서는 일본과 캐나다가 있으며, 분석 기간중 CAGR은 각각 6.8%와 6.1%를 보일 것으로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 5.8%로 성장할 것으로 예측됩니다.

세계의 갈륨 비소(GaAs) RF 디바이스 시장 - 주요 동향과 성장요인 정리

GaAs RF 디바이스가 현대 고주파 통신에 필수적인 이유는 무엇인가?

갈륨비소(GaAs) RF 디바이스는 최신 무선 시스템에 요구되는 고주파, 저잡음, 고효율 성능을 가능하게 하는 세계 통신 인프라의 기본 구성 요소로 인식되고 있으며, GaAs는 우수한 전자 이동성과 직접적인 밴드 갭을 가지고 있습니다. 특히 전력 효율과 신호 충실도가 중요한 무선 주파수(RF) 및 마이크로파 용도에서 실리콘을 능가하는 성능을 발휘합니다. 이러한 특성으로 인해 전력 증폭기, 저잡음 증폭기, 스위치, 믹서 등의 GaAs RF 디바이스는 모바일 통신, 항공우주 및 방위, 위성 통신, 레이더 시스템, 무선 광대역과 같은 중요한 분야에 특히 적합합니다. 소비자 전자기기에서 스마트폰은 배터리 수명을 유지하고 컴팩트한 폼팩터를 유지하면서 멀티밴드 4G 및 5G 연결을 지원하기 위해 GaAs RF 프론트엔드 모듈에 크게 의존하고 있습니다. 또한, GaAs 디바이스는 선형성과 이득이 우수하여 높은 데이터 전송률 용도에 필요한 고급 변조 방식을 지원할 수 있습니다. 세계가 5G 이후 밀리미터파 주파수 등 점점 더 높은 주파수 대역으로 이동함에 따라 실리콘의 한계가 더욱 분명해짐에 따라 첨단 RF 회로 설계에서 GaAs의 관련성이 더욱 강화되고 있습니다. 디바이스 및 네트워크 전반에 걸쳐 고신뢰성, 고처리량 무선 통신이 점점 더 중요해지고 있는 가운데, GaAs RF 디바이스는 고성능 연결성을 실현하는 데 필수적인 원동력으로 자리매김하고 있습니다.

산업 응용 분야는 GaAs RF 디바이스의 성장과 다양화를 어떻게 촉진하고 있는가?

무선 지원 응용 분야가 확대되고 있으며, GaAs RF 디바이스의 채택은 다양한 산업 분야에서 추진되고 있습니다. 이동 통신에서는 GaAs 전력 증폭기와 스위치가 사용자 장비와 기지국 모두에서 널리 사용되어 6GHz 이하 및 mmWave를 포함한 여러 주파수 대역에서 강력한 신호 송수신을 실현하고 있습니다. 국방 및 항공우주 분야에서는 고출력, 견고성, 내방사선성이 필수적인 레이더, 전자전, 보안 통신 시스템에서 GaAs RF 기술이 오랫동안 사용되어 왔습니다. 위성 통신에서 GaAs RF 부품은 중계기 및 단말기에 사용되어 방송, 내비게이션 및 세계 인터넷 서비스를 위한 고주파 링크를 제공합니다. 또한, 자동차 산업에서는 V2X(Vehicle-to-Everything) 통신 및 ADAS(Advanced Driver Assistance System)와 같은 새로운 용도에서 GaAs RF 디바이스의 채택이 증가하고 있으며, 고주파 성능은 안전 및 자율 기능에 필수적입니다. 산업용 IoT(IIoT) 및 스마트 인프라, 스마트 미터, 원격 감지, M2M(Machine-to-Machine) 통신과 같은 용도도 GaAs RF 디바이스의 혜택을 누리고 있습니다. 이러한 다양한 이용 사례는 시장 수요를 확대할 뿐만 아니라, 제조업체들이 고유한 환경 및 기술 사양에 맞는 맞춤형 GaAs RF 솔루션을 개발할 수 있는 동기를 부여하고 있습니다.

GaAs RF 디바이스의 성능과 집적도를 향상시키는 기술 혁신은 무엇인가?

재료 공학, 회로 설계 및 반도체 공정의 획기적인 발전으로 GaAs RF 디바이스의 성능, 통합 및 제조 가능성을 크게 향상시켜 차세대 통신 시스템의 점점 더 까다로워지는 요구 사항을 충족시킬 수 있게 되었습니다. 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 분자선 에피택시(MBE) 등 에피택셜 성장 기술의 향상으로 HBT(이종접합 바이폴라 트랜지스터), pHEMT(유사 고전자 이동도 트랜지스터)와 같은 고효율 트랜지스터의 제조에 필수적인 도핑 프로파일과 헤테로 접합의 형성을 정밀하게 제어하여 보다 고순도의 GaAs 웨이퍼를 제조할 수 있게 되었습니다. 첨단 리소그래피 및 에칭 공정을 통해 미세한 형상과 집적도를 향상시켜 소형의 고성능 모놀리식 마이크로웨이브 집적회로(MMIC)를 구현할 수 있게 되었으며, GaAs 기판을 사용하여 제조된 MMIC는 증폭, 필터링, 스위칭과 같은 여러 RF 기능을 하나로 통합할 수 있습니다. 스위칭 등 여러 RF 기능을 하나의 칩에 통합하여 전력 소비와 물리적 실적를 줄일 수 있습니다. 첨단 패키징 기술 및 히트스프레딩 기술과 같은 열 관리의 혁신은 고출력 및 고온 환경에서 GaAs RF 디바이스의 신뢰성을 향상시키고 있습니다. 또한, GaN 및 SiGe와 같은 보완적인 기술과의 하이브리드 통합을 통해 서로 다른 재료의 장점을 결합한 다기능 모듈을 구현하여 더 넓은 주파수 대역에서 성능을 최적화할 수 있으며, RF 시뮬레이션 및 레이아웃에 맞게 조정된 전자 설계 자동화(EDA) 도구의 지원으로 엔지니어들은 이제 GaAs RF 회로를 보다 효율적으로 설계, 테스트 및 반복하여 최첨단 무선 시스템 개발을 가속화할 수 있게 되었습니다.

GaAs RF 디바이스 산업의 확장을 이끄는 시장 동력은 무엇인가?

세계 GaAs RF 디바이스 시장은 거시 경제 동향, 기술적 요구, 진화하는 소비자 기대치가 결합하여 강력한 성장을 이루고 있습니다. 가장 두드러진 촉진요인 중 하나는 5G 네트워크의 급속한 확산과 고밀도화로, 더 넓은 대역폭, 더 낮은 지연, 향상된 장치 간 통신을 지원할 수 있는 고주파 및 고효율 RF 부품에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 스트리밍, 게임, 실시간 통신에 힘입어 모바일 데이터 소비가 급증하면서 통신 사업자들은 고성능 RF 하드웨어에 대한 투자에 대한 압박을 더욱 가중시키고 있습니다. 동시에 스마트 홈에서 산업 자동화까지 IoT 생태계의 확장은 GaAs 부품의 강점인 소형, 저전력 RF 모듈에 대한 수요를 증가시키고 있습니다. 특히 미국, 중국, 한국, EU에서 주요 칩 제조업체의 전략적 투자와 정부 지원의 국내 반도체 역량 강화 이니셔티브는 GaAs RF 공급망을 더욱 활성화시키고 있습니다. 전자기기의 소형화 및 다기능화 추세는 성능과 공간 및 전력 효율을 모두 만족시키는 통합 RF 솔루션의 필요성을 더욱 높이고 있습니다. 한편, 반도체 공급망에 대한 지정학적 우려로 인해 국가와 기업들은 공급처를 다변화하고 수직 통합형 GaAs 제조에 투자하고 있으며, 6G, 위성 인터넷, 무인 시스템, 방위 전자공학 분야에서 새로운 용도이 등장함에 따라 고성능 RF 솔루션에 대한 수요는 더욱 증가할 것입니다. 고성능 RF 솔루션에 대한 수요는 점점 더 높아질 것이며, GaAs RF 디바이스는 고주파 동작의 기술적 과제를 해결할 수 있는 독보적인 능력을 갖추고 있어 차세대 세계 커넥티비티 시대에도 중요한 기술 축으로 남을 수 있습니다.

부문

장치(필터, 전력 증폭기, 저잡음 증폭기, 스위치, 기타 장치); 용도(소비자 장치, 자동차, 통신, 항공우주 및 방위, 기타 용도)

조사 대상 기업 예(총 47개사)

AI 통합

우리는 유효한 전문가 컨텐츠와 AI툴에 의해 시장 정보와 경쟁 정보를 변혁하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 LLM나 업계 고유 SLM를 조회하는 일반적인 규범에 따르는 대신에, 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 방대한 양의 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등, 전 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사의 국가, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기반으로 기업의 경쟁력 변화를 예측했습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 수익원가(COGS) 증가, 수익성 감소, 공급망 재편 등 미시적 및 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예측됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

LSH
영문 목차

영문목차

Global Gallium Arsenide (GaAs) RF Devices Market to Reach US$909.4 Million by 2030

The global market for Gallium Arsenide (GaAs) RF Devices estimated at US$595.6 Million in the year 2024, is expected to reach US$909.4 Million by 2030, growing at a CAGR of 7.3% over the analysis period 2024-2030. Filters, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 7.7% CAGR and reach US$377.3 Million by the end of the analysis period. Growth in the Power Amplifiers segment is estimated at 5.3% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$156.6 Million While China is Forecast to Grow at 7.1% CAGR

The Gallium Arsenide (GaAs) RF Devices market in the U.S. is estimated at US$156.6 Million in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$145.6 Million by the year 2030 trailing a CAGR of 7.1% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 6.8% and 6.1% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 5.8% CAGR.

Global Gallium Arsenide (GaAs) RF Devices Market - Key Trends & Drivers Summarized

Why Are GaAs RF Devices Essential to Modern High-Frequency Communications?

Gallium Arsenide (GaAs) RF devices are increasingly recognized as foundational components in the global communication infrastructure, enabling the high-frequency, low-noise, and high-efficiency performance required by modern wireless systems. GaAs possesses superior electron mobility and a direct bandgap, which allow it to outperform silicon in radio frequency (RF) and microwave applications, particularly in devices where power efficiency and signal fidelity are crucial. These characteristics make GaAs RF devices-such as power amplifiers, low-noise amplifiers, switches, and mixers-especially suitable for critical sectors including mobile telecommunications, aerospace and defense, satellite communication, radar systems, and wireless broadband. In consumer electronics, smartphones heavily rely on GaAs RF front-end modules to support multiband 4G and 5G connectivity while preserving battery life and maintaining compact form factors. GaAs devices also excel in linearity and gain, enabling them to support sophisticated modulation schemes required for high-data-rate applications. As the world shifts toward increasingly high-frequency spectrum usage, such as millimeter-wave frequencies in 5G and beyond, the limitations of silicon become more apparent-further solidifying GaAs’s relevance in advanced RF circuit design. With a growing emphasis on reliable, high-throughput wireless communication across devices and networks, GaAs RF devices are positioned as indispensable enablers of high-performance connectivity.

How Are Industry Applications Driving Growth and Diversification of GaAs RF Devices?

The expanding landscape of wireless-enabled applications is propelling the adoption of GaAs RF devices across a wide range of industries, each leveraging the technology’s unique strengths for specific operational demands. In mobile communications, GaAs power amplifiers and switches are widely used in both user devices and base stations to ensure strong signal transmission and reception across multiple frequency bands, including sub-6 GHz and mmWave. The defense and aerospace sectors have long depended on GaAs RF technology for radar, electronic warfare, and secure communication systems, where high power output, ruggedness, and resistance to radiation are vital. In satellite communications, GaAs RF components are used in transponders and terminals to provide high-frequency links for broadcasting, navigation, and global internet services. Additionally, the automotive industry is adopting GaAs RF devices in emerging applications such as vehicle-to-everything (V2X) communication and advanced driver-assistance systems (ADAS), where reliable high-frequency performance is critical to safety and autonomous functionality. Industrial IoT (IIoT) and smart infrastructure are also benefiting from GaAs RF devices in applications like smart meters, remote sensing, and machine-to-machine (M2M) communication. These diverse use cases are not only expanding market demand but are also encouraging manufacturers to develop custom, application-specific GaAs RF solutions that meet unique environmental and technical specifications.

What Technological Innovations Are Enhancing the Performance and Integration of GaAs RF Devices?

Breakthroughs in materials engineering, circuit design, and semiconductor processing are significantly enhancing the performance, integration, and manufacturability of GaAs RF devices, enabling them to meet the increasingly stringent demands of next-generation communication systems. Improvements in epitaxial growth techniques-such as metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and molecular beam epitaxy (MBE)-are producing higher-purity GaAs wafers with precise control over doping profiles and heterojunction formation, which are essential for fabricating high-efficiency transistors like HBTs (heterojunction bipolar transistors) and pHEMTs (pseudomorphic high electron mobility transistors). Advanced lithography and etching processes are enabling finer geometries and greater integration density, allowing for compact and high-performance monolithic microwave integrated circuits (MMICs). These MMICs, fabricated using GaAs substrates, combine multiple RF functions-such as amplification, filtering, and switching-into a single chip, reducing power consumption and physical footprint. Innovations in thermal management, including the use of advanced packaging and heat-spreading techniques, are improving the reliability of GaAs RF devices in high-power and high-temperature environments. Additionally, hybrid integration with complementary technologies such as GaN and SiGe is enabling multifunctional modules that combine the advantages of different materials to optimize performance across a wider frequency spectrum. With the support of electronic design automation (EDA) tools tailored for RF simulation and layout, engineers can now design, test, and iterate GaAs RF circuits more efficiently, accelerating the development of cutting-edge wireless systems.

What Market Forces Are Driving the Expansion of the GaAs RF Devices Industry?

The global GaAs RF devices market is experiencing robust growth fueled by the convergence of macroeconomic trends, technological imperatives, and evolving consumer expectations. One of the most prominent drivers is the rapid rollout and densification of 5G networks, which demand high-frequency and high-efficiency RF components capable of supporting greater bandwidth, low latency, and enhanced device-to-device communication. The surge in mobile data consumption, fueled by streaming, gaming, and real-time communication, is putting additional pressure on telecom providers to invest in high-performance RF hardware. Concurrently, the expansion of IoT ecosystems, from smart homes to industrial automation, is increasing the demand for compact, low-power RF modules, an area where GaAs components excel. Strategic investments by major chipmakers and government-backed initiatives to strengthen domestic semiconductor capabilities-especially in the U.S., China, South Korea, and the EU-are further energizing the GaAs RF supply chain. The trend toward miniaturization and multifunctionality in electronic devices is also driving the need for integrated RF solutions that combine performance with space and power efficiency. Meanwhile, ongoing geopolitical concerns around semiconductor supply chains are prompting nations and companies to diversify sourcing and invest in vertically integrated GaAs manufacturing. As new applications emerge in 6G, satellite internet, unmanned systems, and defense electronics, the demand for high-performance RF solutions will only grow stronger. GaAs RF devices, with their unique ability to meet the technical challenges of high-frequency operation, are well-positioned to remain a critical technology pillar in the next era of global connectivity.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the Gallium Arsenide (GaAs) RF Devices market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Device (Filters, Power Amplifiers, Low Noise Amplifiers, Switch, Other Devices); Application (Consumer Devices, Automotive, Telecommunications, Aerospace & Defense, Other Applications)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; and Rest of Europe); Asia-Pacific; Rest of World.

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II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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