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세계의 갈륨비소(GaAs) 전자 소자 시장
Gallium Arsenide (GaAs) Electronic Devices
상품코드 : 1757752
리서치사 : Market Glass, Inc. (Formerly Global Industry Analysts, Inc.)
발행일 : 2025년 06월
페이지 정보 : 영문 277 Pages
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한글목차

갈륨비소(GaAs) 전자 소자 세계 시장은 2030년까지 164억 달러에 달할 전망

2024년에 111억 달러로 추정되는 갈륨비소(GaAs) 전자 소자 세계 시장은 분석 기간인 2024-2030년에 CAGR 6.8%로 성장하여 2030년에는 164억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 이 보고서에서 분석하고 있는 부문 중 하나인 LEC 성장 GaAs 소자는 CAGR 7.7%를 기록하며 분석 기간 종료까지 120억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. VGF 성장 GaAs 소자 분야의 성장률은 분석 기간 동안 CAGR 4.6%로 추정됩니다.

미국 시장은 30억 달러, 중국은 CAGR 10.8%로 성장 예측

미국의 갈륨비소(GaAs) 전자 소자 시장은 2024년에 30억 달러로 추정됩니다. 세계 2위 경제 대국인 중국은 2030년까지 34억 달러의 시장 규모에 달할 것으로 예측되며, 분석 기간인 2024-2030년 CAGR은 10.8%가 됩니다. 기타 주목할 만한 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있고, 분석 기간 동안 CAGR은 각각 3.3%와 6.6%로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 4.5%로 성장할 것으로 예측됩니다.

세계의 갈륨비소(GaAs) 전자 소자 시장 - 주요 동향과 촉진요인 정리

갈륨비소(GaAs) 소자가 고주파 및 광전자 애플리케이션을 변화시키는 이유는 무엇일까?

갈륨비소(GaAs) 전자 소자는 기존 실리콘 기반 소자에 비해 우수한 전자적 특성을 가지고 있어 고주파 전자 및 광전자 분야에 혁명을 일으키고 있으며, III-V족 화합물 반도체인 GaAs는 실리콘보다 높은 전자 이동도와 포화도를 가지고 있어 더 높은 주파수와 효율로 작동하는 소자를 가능하게 합니다. 포화 속도를 자랑하며, 더 높은 주파수와 효율로 동작하는 디바이스를 가능하게 합니다. 따라서 GaAs 기반 부품은 마이크로파 주파수 통신, 레이더 시스템, 위성 송수신기, 고속 데이터 전송과 같은 애플리케이션에 적합합니다. 또한 실리콘과 달리 GaAs는 직접 밴드갭을 가지고 있기 때문에 빛의 방사 및 흡수 효율이 매우 높아 레이저 다이오드, 광검출기, 태양전지에 필수적인 특성을 가지고 있습니다. 무선 통신 분야에서 GaAs 전력 증폭기와 저잡음 증폭기는 스마트폰, Wi-Fi 라우터, 기지국, 특히 5G와 같은 고주파 변조 방식에서 신호 무결성을 보장하는 데 필수적입니다. 또한, 이 소재는 방사선 및 열 열화에 강하기 때문에 우주용 전자기기 및 군용 RF 시스템에서 선호되고 있습니다. 더 작고, 더 빠르고, 더 에너지 효율적인 부품에 대한 수요가 계속 증가함에 따라 GaAs는 실리콘이 효율적으로 대응할 수 없는 기술을 구현하는 데 필수적인 요소로 자리 잡고 있습니다. 고주파 및 고성능 전자제품으로의 전환으로 인해 GaAs는 최신 통신 및 광 시스템 혁신의 중심에 서게 되었습니다.

최종 용도 시장은 여러 분야에서 GaAs 소자에 대한 수요를 어떻게 견인하고 있는가?

갈륨비소(GaAs) 전자 소자에 대한 수요는 다양한 최종 용도 시장이 주도하고 있으며, 각 시장은 GaAs 소재의 고유한 특성을 활용하여 중요한 성능 요건을 충족하고 있습니다. 통신 분야에서 GaAs 기반 RF 증폭기 및 트랜지스터는 레거시 3G 및 4G 시스템에서 최첨단 5G 및 미래형 6G 인프라에 이르기까지 저잡음 증폭과 높은 선형성이 필수적인 모바일 네트워크에서 핵심적인 역할을 하고 있습니다. 스마트폰, 태블릿, 웨어러블 기기들이 무선 통신의 범위와 효율성을 향상시키기 위해 GaAs 증폭기 및 스위치에 대한 의존도가 높아짐에 따라, 소비자 전자기기 역시 중요한 시장 분야가 되었습니다. 항공우주 및 방위 분야에서는 가혹한 환경에서 GaAs 소자의 견고성으로 인해 항공전자, 위성통신, 레이더 어레이, 전자전 시스템에 널리 사용되고 있습니다. 자동차 산업도 ADAS(첨단 운전자 보조 시스템)와 V2X(Vehicle-to-Everything) 통신 기술에 GaAs 부품을 채택하기 시작했습니다. 신재생에너지 분야에서는 고효율 GaAs 태양전지가 우주용 태양광발전에 활용되고 있으며, 지상 집광형 태양광발전(CPV) 시스템에도 활용이 검토되고 있습니다. 한편, 고해상도 분광법, LiDAR, 의료용 영상 장비와 같은 산업 및 과학 장비는 GaAs 광소자의 빠른 응답 시간과 감도에 의존하고 있습니다. 이러한 광범위한 애플리케이션 기반은 양적 수요를 촉진할 뿐만 아니라 장치 아키텍처 및 제조 혁신을 촉진하여 GaAs가 차세대 전자제품의 중요한 원동력이 될 수 있도록 보장합니다.

GaAs 소자의 성능과 제조를 향상시키는 기술 발전은 어떤 것이 있는가?

재료 합성, 소자 공학 및 반도체 제조 분야의 기술 발전은 GaAs 전자 소자의 성능, 신뢰성 및 확장성을 향상시키는 데 매우 중요한 역할을 하고 있습니다. 가장 중요한 발전 중 하나는 분자선 에피택시(MBE) 및 유기 금속 화학 기상 증착(MOCVD) 기술의 개선으로, 도핑 프로파일과 이종 구조 형성을 정밀하게 제어하면서 초순도 및 결함 없는 GaAs 층을 성장시킬 수 있습니다. 이러한 기술은 GaAs의 우수한 캐리어 다이나믹스의 혜택을 받는 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT), 헤테로 접합 양극성 트랜지스터(HBT), 양자 우물 레이저와 같은 첨단 소자 아키텍처를 제조할 수 있게 해줍니다. 인화인듐(InP) 및 알루미늄 갈륨비소(AlGaAs)와 같은 다른 화합물 반도체와 GaAs를 통합하려는 노력은 속도, 출력 및 광효율의 한계를 뛰어넘는 이종 구조를 만들어내고 있습니다. 디바이스 레벨에서는 고전도성 기판과 첨단 패키징 솔루션 등 열 관리의 혁신이 고전력 및 고온 조건에서 GaAs 소자의 신뢰성을 향상시키고 있습니다. 또한, 리소그래피 및 에칭 공정의 발전으로 전자 시스템의 소형화에 필수적인 미세화 및 컴팩트한 레이아웃이 가능해졌습니다. 시스템 통합 측면에서는 서로 다른 반도체의 장점을 결합하여 다기능을 구현하기 위해 실리콘과 GaN 기술의 하이브리드 패키징이 고려되고 있습니다. 이러한 기술 발전은 GaAs 소자의 비용 효율성과 범용성을 향상시킬 뿐만 아니라, 테라헤르츠 통신, 양자 컴퓨팅, 포토닉 통합과 같은 신흥 시장에 널리 채택될 수 있는 길을 열어주고 있습니다.

GaAs 전자 소자 산업의 성장을 촉진하는 시장 역학은 무엇인가?

GaAs 전자 장치 세계 시장은 경제적, 기술적, 전략적 요인의 복잡한 상호 작용에 의해 주도되고 있으며, 이는 현대 디지털 인프라의 요구 사항의 진화를 반영하고 있습니다. 고주파 스펙트럼과 대규모 MIMO 기술에 의존하는 5G 네트워크의 급속한 확장은 기지국과 모바일 기기 모두에서 고성능 GaAs RF 부품의 필요성을 크게 증가시키고 있습니다. 산업, 의료 및 소비자 분야에서 커넥티드 디바이스, 스마트 센서 및 IoT 시스템이 급증하면서 효율적이고 컴팩트하며 신뢰할 수 있는 고주파 전자부품에 대한 요구가 더욱 높아지고 있습니다. 또한, 지정학적 역학관계와 국내 반도체 공급망을 확보하려는 노력은 특히 미국, 유럽, 중국, 한국에서 GaAs 주조 및 R&D에 대한 투자 확대의 동기가 되고 있습니다. 국내 칩 제조 및 국방용 전자기기에 대한 정부의 지원도 GaAs 기술의 성장 궤도에 기여하고 있습니다. 주요 GaAs 웨이퍼 공급업체, 팹리스 디자인 하우스, 수직 통합 제조업체 간의 시장 통합과 전략적 파트너십은 확장성을 향상시키고 기술 혁신을 가속화하고 있습니다. 한편, 환경 및 에너지 효율에 대한 관심이 높아지면서 산업계는 와트당 더 높은 성능을 제공하는 디바이스로 전환하고 있으며, 특히 RF 프론트엔드 모듈 및 전력 증폭기 분야에서 GaAs가 강점을 보이는 분야가 되고 있습니다. LiDAR 시스템 등 새로운 애플리케이션의 등장으로 시장 환경은 더욱 확대되고 있습니다. 세계 대역폭 수요의 급증과 성능에 대한 기대치가 높아짐에 따라 GaAs 전자 소자 시장은 다른 반도체 재료로는 쉽게 재현할 수 없는 중요한 기능을 지속적으로 제공하므로 지속적인 확장을 기대할 수 있습니다.

부문

유형(LEC 성장 GaAs 소자, VGF 성장 GaAs 소자), 용도(모바일 디바이스, 무선 통신, 기타 용도)

조사 대상 기업 사례(총 43개사)

AI 통합

우리는 검증된 전문가 컨텐츠와 AI 툴을 통해 시장 정보와 경쟁 정보를 혁신하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 LLM 및 산업별 SLM 쿼리를 따르는 대신 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 방대한 양의 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사의 국가, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기반으로 기업의 경쟁력 변화를 예측하고 있습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 매출원가(COGS) 증가, 수익성 감소, 공급망 재편 등 미시적 및 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예상됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

ksm
영문 목차

영문목차

Global Gallium Arsenide (GaAs) Electronic Devices Market to Reach US$16.4 Billion by 2030

The global market for Gallium Arsenide (GaAs) Electronic Devices estimated at US$11.1 Billion in the year 2024, is expected to reach US$16.4 Billion by 2030, growing at a CAGR of 6.8% over the analysis period 2024-2030. LEC Grown GaAs Devices, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 7.7% CAGR and reach US$12.0 Billion by the end of the analysis period. Growth in the VGF Grown GaAs Devices segment is estimated at 4.6% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$3.0 Billion While China is Forecast to Grow at 10.8% CAGR

The Gallium Arsenide (GaAs) Electronic Devices market in the U.S. is estimated at US$3.0 Billion in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$3.4 Billion by the year 2030 trailing a CAGR of 10.8% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 3.3% and 6.6% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 4.5% CAGR.

Global Gallium Arsenide (GaAs) Electronic Devices Market - Key Trends & Drivers Summarized

Why Are Gallium Arsenide (GaAs) Devices Transforming High-Frequency and Optoelectronic Applications?

Gallium Arsenide (GaAs) electronic devices are revolutionizing the landscape of high-frequency electronics and optoelectronics due to their superior electronic properties when compared to traditional silicon-based devices. GaAs, a III-V compound semiconductor, boasts a higher electron mobility and saturation velocity than silicon, enabling devices that operate at much higher frequencies and with greater efficiency. This makes GaAs-based components ideal for applications in microwave frequency communications, radar systems, satellite transceivers, and high-speed data transmission. Unlike silicon, GaAs also has a direct bandgap, which makes it extremely efficient in emitting and absorbing light-an essential trait for laser diodes, photodetectors, and solar cells. In the field of wireless communication, GaAs power amplifiers and low-noise amplifiers are vital for ensuring signal integrity in smartphones, Wi-Fi routers, and base stations, especially under high-frequency modulation schemes like 5G. Moreover, the material's resistance to radiation and thermal degradation has made it a preferred choice in space-grade electronics and military-grade RF systems. As the demand for smaller, faster, and more energy-efficient components continues to rise, GaAs is proving indispensable in enabling technologies that silicon cannot efficiently support. The industry’s shift toward higher-frequency, higher-performance electronics places GaAs at the center of innovation for modern communication and photonic systems.

How Are End-Use Markets Driving Demand for GaAs Devices Across Multiple Sectors?

The demand for Gallium Arsenide (GaAs) electronic devices is being driven by a diverse array of end-use markets, each leveraging the material's unique attributes to fulfill performance-critical requirements. In telecommunications, GaAs-based RF amplifiers and transistors play a foundational role in mobile networks, from legacy 3G and 4G systems to cutting-edge 5G and future 6G infrastructure, where low-noise amplification and high linearity are essential. Consumer electronics also represent a significant market segment, as smartphones, tablets, and wearables increasingly rely on GaAs amplifiers and switches to improve wireless communication range and efficiency. In aerospace and defense, the robustness of GaAs devices in harsh environments has led to their widespread use in avionics, satellite communications, radar arrays, and electronic warfare systems. The automotive industry is also beginning to adopt GaAs components in advanced driver-assistance systems (ADAS) and vehicle-to-everything (V2X) communication technologies. In the realm of renewable energy, high-efficiency GaAs solar cells are utilized in space-grade photovoltaics and are being explored for use in terrestrial concentrator photovoltaic (CPV) systems. Meanwhile, industrial and scientific instrumentation, such as high-resolution spectroscopy, LiDAR, and medical imaging equipment, rely on the fast response times and sensitivity of GaAs photonic devices. This broadening application base is not only driving volume demand but also encouraging innovation in device architecture and manufacturing, ensuring GaAs maintains its position as a key enabler in next-generation electronics.

What Technological Advancements Are Enhancing the Performance and Fabrication of GaAs Devices?

Technological advancements in material synthesis, device engineering, and semiconductor fabrication are playing a pivotal role in enhancing the performance, reliability, and scalability of GaAs electronic devices. One of the most significant developments has been the refinement of molecular beam epitaxy (MBE) and metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) techniques, which allow for the growth of ultra-pure and defect-free GaAs layers with precise control over doping profiles and heterostructure formation. These techniques enable the production of advanced device architectures such as high electron mobility transistors (HEMTs), heterojunction bipolar transistors (HBTs), and quantum well lasers, all of which benefit from GaAs’s superior carrier dynamics. Efforts to integrate GaAs with other compound semiconductors, such as indium phosphide (InP) and aluminum gallium arsenide (AlGaAs), are yielding heterostructures that push the boundaries of speed, power, and optical efficiency. At the device level, innovations in thermal management, such as the incorporation of high-conductivity substrates and advanced packaging solutions, are extending the reliability of GaAs devices under high-power or high-temperature conditions. Additionally, progress in lithography and etching processes is enabling finer feature sizes and more compact layouts, essential for miniaturized electronic systems. On the system integration front, hybrid packaging with silicon and GaN technologies is being explored to combine the strengths of different semiconductors for multifunctional performance. These technological strides are not only improving the cost-effectiveness and versatility of GaAs devices but also paving the way for their broader adoption in emerging markets such as terahertz communications, quantum computing, and photonic integration.

What Market Dynamics Are Driving the Growth of the GaAs Electronic Devices Industry?

The global market for GaAs electronic devices is being propelled by a complex interplay of economic, technological, and strategic factors that reflect the evolving demands of modern digital infrastructure. The rapid expansion of 5G networks, with their reliance on high-frequency spectrum and massive MIMO technologies, is significantly boosting the need for high-performance GaAs RF components in both base stations and mobile devices. The proliferation of connected devices, smart sensors, and IoT systems across industrial, healthcare, and consumer domains further amplifies the requirement for efficient, compact, and reliable high-frequency electronics. Additionally, geopolitical dynamics and efforts to secure domestic semiconductor supply chains are motivating increased investments in GaAs foundries and R&D, particularly in the U.S., Europe, China, and South Korea. Government support for indigenous chip manufacturing and defense-grade electronics is also contributing to the growth trajectory of GaAs technology. Market consolidation and strategic partnerships among leading GaAs wafer suppliers, fabless design houses, and vertically integrated manufacturers are improving scalability and accelerating innovation. Meanwhile, growing environmental and energy-efficiency concerns are prompting industries to shift toward devices that offer higher performance per watt-a domain where GaAs excels, especially in RF front-end modules and power amplifiers. Emerging applications in AR/VR, high-speed optical interconnects, and next-generation LiDAR systems are further expanding the market landscape. With global bandwidth demand surging and performance expectations rising, the GaAs electronic devices market is well-positioned for sustained expansion as it continues to deliver critical capabilities that other semiconductor materials cannot easily replicate.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the Gallium Arsenide (GaAs) Electronic Devices market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Type (LEC Grown GaAs Devices, VGF Grown GaAs Devices); Application (Mobile Devices, Wireless Communications, Other Applications)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; Spain; Russia; and Rest of Europe); Asia-Pacific (Australia; India; South Korea; and Rest of Asia-Pacific); Latin America (Argentina; Brazil; Mexico; and Rest of Latin America); Middle East (Iran; Israel; Saudi Arabia; United Arab Emirates; and Rest of Middle East); and Africa.

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II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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