GaN 에피텍셜 : 세계 시장 점유율과 순위, 총판매량 및 수요 예측(2025-2031년)
GaN Epitaxial - Global Market Share and Ranking, Overall Sales and Demand Forecast 2025-2031
상품코드 : 1868018
리서치사 : QYResearch
발행일 : 2025년 10월
페이지 정보 : 영문
 라이선스 & 가격 (부가세 별도)
US $ 3,950 ₩ 5,906,000
PDF (Single User License) help
PDF 보고서를 1명만 이용할 수 있는 라이선스입니다. 텍스트 등을 Copy & Paste 할 수 있습니다. 인쇄 가능하며, 인쇄물의 이용 범위는 PDF 이용 범위와 동일합니다.
US $ 5,925 ₩ 8,859,000
PDF (Multi User License) help
PDF, Excel 보고서를 동일 기업내 10명까지 이용하실 수 있는 라이선스입니다. 텍스트 등을 Copy & Paste 할 수 있습니다. 인쇄 가능하며, 인쇄물의 이용 범위는 PDF, Excel, Word 이용 범위와 동일합니다.
US $ 7,900 ₩ 11,812,000
PDF (Enterprise User License) help
PDF, Excel, Word 보고서를 동일 기업내 모든 구성원이 이용하실 수 있는 라이선스입니다. 텍스트 등을 Copy & Paste 할 수 있습니다. 인쇄 가능하며, 인쇄물의 이용 범위는 PDF, Excel, Word 이용 범위와 동일합니다.


ㅁ Add-on 가능: 고객의 요청에 따라 일정한 범위 내에서 Customization이 가능합니다. 자세한 사항은 문의해 주시기 바랍니다.
ㅁ 보고서에 따라 최신 정보로 업데이트하여 보내드립니다. 배송기일은 문의해 주시기 바랍니다.

한글목차

세계의 GaN 에피텍셜 시장 규모는 2024년에 6억 4,600만 달러로 추정되며, 2025-2031년의 예측 기간에 CAGR 16.3%로 확대하며, 2031년까지 20억 2,900만 달러로 재조정될 전망입니다.

이 보고서는 최근 GaN 에피택셜에 대한 관세 조정과 국제적인 전략적 대응 조치에 대해 국경 간 산업적 발자취, 자본 배분 패턴, 지역 경제의 상호 의존성, 공급망 재편 등의 관점에서 종합적인 평가를 제공합니다.

에피택셜 웨이퍼는 단결정 기판 위에 새로운 단결정 층을 성장시켜 형성된 제품을 말합니다. 에피택셜 웨이퍼는 소자 성능의 약 70%를 결정하며, 반도체 칩의 중요한 원재료입니다. 반도체 원재료인 에피택셜 웨이퍼는 반도체 산업 체인의 업스트림에 위치하여 반도체 제조 산업을 지원하는 기반 산업입니다. 에피택셜 웨이퍼 제조업체는 CVD(화학기상증착) 장비, MBE(분자선 에피택시) 장비, HVPE 장비 등을 사용하여 기판 재료 위에 결정 에피택셜 성장을 통해 에피택셜 웨이퍼를 제조합니다. 이후 노광, 박막 증착, 에칭 등의 제조 공정을 거쳐 웨이퍼가 제작됩니다. 웨이퍼는 베어칩으로 절단되고, 베어칩은 기판에 고정, 보호 쉘 추가, 칩 회로 핀과 외부 기판의 와이어 연결 등의 패키징 공정과 회로 테스트, 성능 테스트 등의 검사 과정을 거쳐 최종적으로 칩이 됩니다. 위의 칩 제조 공정은 최종 제품이 설계 요구 사항을 충족하도록 칩 설계 공정과 연계되어야 합니다.

질화갈륨의 특성에 따라 질화갈륨 에피택셜 웨이퍼는 주로 고전력, 고주파, 중저전압 응용에 적합하며, 구체적으로 다음과 같은 특징이 있습니다. 1, 높은 밴드갭 폭: 높은 밴드갭 폭은 질화갈륨 소자의 내전압 레벨을 향상시켜 비화갈륨 소자보다 높은 출력을 가능하게 합니다. 보다 높은 출력이 가능합니다. 특히 5G 통신 기지국, 군용 레이더 등의 분야에 적합합니다. 2, 높은 변환 효율: 질화갈륨 스위칭 전력 전자 소자의 온 저항은 실리콘 소자보다 세 배나 낮으며, 스위칭 전도 손실을 크게 줄일 수 있습니다. 3, 높은 열전도율: 질화갈륨의 높은 열전도율은 우수한 방열 성능을 가져와 고전력 및 고온 환경에서의 장치 제조에 적합합니다. 4, 절연 파괴 전계 강도: 질화갈륨의 절연 파괴 전계 강도는 질화규소와 비슷하지만, 반도체 기술 및 재료 격자 불일치 등의 요인에 영향을 받습니다. 질화갈륨 소자의 내압은 보통 1000V 내외이며, 안전 작동 전압은 보통 650V 이하입니다.

GaN 소자는 실리콘 소자보다 전자를 더 효율적으로 전도할 수 있고, 더 높은 전기장을 견딜 수 있습니다. 속도, 온도, 전력 측면에서 실리콘 소자의 성능을 능가하며 전력 변환 및 RF 용도에서 실리콘 기반 소자를 점차 대체하고 있습니다. GaN 기반 시스템은 효율이 높고, 크기가 크게 줄어들고, 가볍고, 방열 성능이 우수하여 시장에서 기존 실리콘 소자를 대체하기 시작했으며, 라이더 및 RF 엔벨로프 추적과 같은 새로운 응용 분야를 가능하게 하고 있습니다.

LED 칩 기술 및 공정의 지속적인 업데이트와 세대교체를 통해 LED 조명 제품의 광효율, 기술 성능, 제품 품질, 비용 대비 성능이 크게 향상되고 있습니다. 또한 관련 기업 증가와 산업 체인에 대한 투자 확대에 따라 LED 광원 제조 및 관련 산업의 생산 및 제조 기술이 지속적으로 고도화되어 최종 제품의 대규모 생산에서 비용 효율성이 더욱 향상되었습니다. 현재 LED 조명 제품은 가정용 조명, 야외 조명, 산업 조명, 상업용 조명, 경관 조명, 디스플레이 백라이트 등의 응용 분야에서 주류 응용 제품으로 자리 잡았습니다. 기존 조명 제품을 대체하는 LED 조명 제품 시장 보급률이 지속적으로 상승하고 있으며, 시장 수요도 지속적으로 확대되고 있습니다. 마이크로 LED 디스플레이 기술 개발 및 산업화에는 여전히 많은 과제가 있습니다. 동시에, 마이크로 LED 에피택시는 기존 LED보다 결함 및 균일성에 대한 요구가 더 엄격합니다. 향후 질화갈륨 기술이 LED 광전자 분야에 침투하는 범위는 점차 확대될 것입니다.

이 보고서는 GaN 에피택셜 세계 시장에 대해 총판매량, 판매 매출, 가격, 주요 기업의 시장 점유율 및 순위에 초점을 맞추고 지역/국가, 유형 및 용도별 분석을 종합적으로 제시하는 것을 목적으로 합니다.

이 보고서는 2024년을 기준 연도, 2020-2031년의 과거 데이터와 예측 데이터를 포함하여 판매량(단위) 및 매출액(백만 달러)으로 GaN 에피택셜 시장 규모와 추정 및 예측을 제시했습니다. 정량적 분석과 정성적 분석을 통해 독자들이 비즈니스/성장 전략 수립, 시장 경쟁 평가, 현재 시장에서의 포지셔닝 분석, GaN 에피택셜에 대한 정보에 입각한 비즈니스 의사결정을 내릴 수 있도록 도와드립니다.

시장 세분화

기업별

유형별 부문

용도별 부문

지역별

KSA
영문 목차

영문목차

The global market for GaN Epitaxial was estimated to be worth US$ 646 million in 2024 and is forecast to a readjusted size of US$ 2029 million by 2031 with a CAGR of 16.3% during the forecast period 2025-2031.

This report provides a comprehensive assessment of recent tariff adjustments and international strategic countermeasures on GaN Epitaxial cross-border industrial footprints, capital allocation patterns, regional economic interdependencies, and supply chain reconfigurations.

Epitaxial wafer refers to a product formed by growing a layer of new single crystal on a single crystal substrate. Epitaxial wafer determines about 70% of the performance of the device and is an important raw material for semiconductor chips. As a semiconductor raw material, epitaxial wafer is located at the upstream of the semiconductor industry chain and is a supporting industry for the semiconductor manufacturing industry. Epitaxial wafer manufacturers use CVD (Chemical Vapor Deposition) equipment, MBE (Molecular Beam Epitaxy) equipment, HVPE equipment, etc. to perform crystal epitaxial growth on substrate materials to make epitaxial wafers. Epitaxial wafers are then made into wafers through manufacturing links such as lithography, thin film deposition, and etching. Wafers are further cut into bare chips, and bare chips are finally made into chips through packaging links such as fixing on the substrate, adding a protective shell, connecting the chip circuit pins with the external substrate with wires, and testing links such as circuit testing and performance testing. The above chip production links need to interact with the chip design link to ensure that the final chip meets the chip design requirements.

Based on the performance of gallium nitride, gallium nitride epitaxial wafers are mainly suitable for applications under high power, high frequency, medium and low voltage, which are specifically reflected in: 1) High bandgap width: The high bandgap width improves the voltage resistance level of gallium nitride devices and can output higher power than gallium arsenide devices, which is particularly suitable for 5G communication base stations, military radars and other fields; 2) High conversion efficiency: The on-resistance of gallium nitride switching power electronic devices is 3 orders of magnitude lower than that of silicon devices, which can significantly reduce switching conduction losses; 3) High thermal conductivity: The high thermal conductivity of gallium nitride gives it excellent heat dissipation performance, which is suitable for the production of devices in high power, high temperature and other fields; 4) Breakdown electric field strength: Although the breakdown electric field strength of gallium nitride is close to that of silicon nitride, it is affected by factors such as semiconductor technology and material lattice mismatch. The voltage tolerance of gallium nitride devices is usually around 1000V, and the safe operating voltage is usually below 650V.

GaN devices can conduct electrons more efficiently than silicon devices and can withstand higher electric fields. It exceeds the performance of silicon devices in terms of speed, temperature and power, and has gradually replaced silicon-based devices in power conversion and RF applications. Due to the higher efficiency, significantly reduced size, lighter weight and better heat dissipation performance of GaN-based systems, it has begun to replace traditional silicon devices on the market and has enabled new applications such as lidar and RF envelope tracking.

With the continuous update and generation of LED chip technology and process, the luminous efficiency, technical performance, product quality and cost-effectiveness of LED lighting products have been greatly improved; coupled with the increasing number of related enterprises and investments in the industrial chain, the production and manufacturing technology of LED light source manufacturing and supporting industries has been continuously upgraded, and the cost-effectiveness of large-scale production of terminal products has been further improved. At present, LED lighting products have become the mainstream application in application fields such as home lighting, outdoor lighting, industrial lighting, commercial lighting, landscape lighting, backlight display, etc. The market penetration rate of LED lighting products replacing traditional lighting products continues to increase, and market demand continues to grow. There are still many difficulties in the development and industrialization of Micro-LED display technology. At the same time, Micro-LED epitaxy has stricter requirements on defects and uniformity than traditional LEDs. In the future, the penetration of gallium nitride technology in the LED optoelectronic field will gradually expand.

This report aims to provide a comprehensive presentation of the global market for GaN Epitaxial, focusing on the total sales volume, sales revenue, price, key companies market share and ranking, together with an analysis of GaN Epitaxial by region & country, by Type, and by Application.

The GaN Epitaxial market size, estimations, and forecasts are provided in terms of sales volume (Units) and sales revenue ($ millions), considering 2024 as the base year, with history and forecast data for the period from 2020 to 2031. With both quantitative and qualitative analysis, to help readers develop business/growth strategies, assess the market competitive situation, analyze their position in the current marketplace, and make informed business decisions regarding GaN Epitaxial.

Market Segmentation

By Company

Segment by Type

Segment by Application

By Region

Chapter Outline

Chapter 1: Introduces the report scope of the report, global total market size (value, volume and price). This chapter also provides the market dynamics, latest developments of the market, the driving factors and restrictive factors of the market, the challenges and risks faced by manufacturers in the industry, and the analysis of relevant policies in the industry.

Chapter 2: Detailed analysis of GaN Epitaxial manufacturers competitive landscape, price, sales and revenue market share, latest development plan, merger, and acquisition information, etc.

Chapter 3: Provides the analysis of various market segments by Type, covering the market size and development potential of each market segment, to help readers find the blue ocean market in different market segments.

Chapter 4: Provides the analysis of various market segments by Application, covering the market size and development potential of each market segment, to help readers find the blue ocean market in different downstream markets.

Chapter 5: Sales, revenue of GaN Epitaxial in regional level. It provides a quantitative analysis of the market size and development potential of each region and introduces the market development, future development prospects, market space, and market size of each country in the world.

Chapter 6: Sales, revenue of GaN Epitaxial in country level. It provides sigmate data by Type, and by Application for each country/region.

Chapter 7: Provides profiles of key players, introducing the basic situation of the main companies in the market in detail, including product sales, revenue, price, gross margin, product introduction, recent development, etc.

Chapter 8: Analysis of industrial chain, including the upstream and downstream of the industry.

Chapter 9: Conclusion.

Table of Contents

1 Market Overview

2 Competitive Analysis by Company

3 Segmentation by Type

4 Segmentation by Application

5 Segmentation by Region

6 Segmentation by Key Countries/Regions

7 Company Profiles

8 Industry Chain Analysis

9 Research Findings and Conclusion

10 Appendix

(주)글로벌인포메이션 02-2025-2992 kr-info@giikorea.co.kr
ⓒ Copyright Global Information, Inc. All rights reserved.
PC버전 보기