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세계의 실리콘 EPI 웨이퍼 시장
Silicon EPI Wafers
상품코드 : 1757835
리서치사 : Market Glass, Inc. (Formerly Global Industry Analysts, Inc.)
발행일 : 2025년 06월
페이지 정보 : 영문 218 Pages
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한글목차

실리콘 EPI 웨이퍼 세계 시장은 2030년까지 65억 달러에 이를 전망

2024년에 37억 달러로 추정되는 실리콘 EPI 웨이퍼 세계 시장은 2024-2030년 CAGR 9.7%로 성장하여 2030년에는 65억 달러에 이를 것으로 예측됩니다. 본 보고서에서 분석한 부문 중 하나인 헤테로 에피택시는 CAGR 10.9%를 나타내고, 분석 기간 종료시에는 44억 달러에 이를 것으로 예측됩니다. 호모 에피택시 분야의 성장률은 분석 기간 중 CAGR 7.4%로 추정됩니다.

미국 시장은 9억 7,200만 달러로 추정, 중국은 CAGR 9.3%를 보일 것으로 예측

미국의 실리콘 EPI 웨이퍼 시장은 2024년에 9억 7,200만 달러로 추정됩니다. 세계 2위 경제대국인 중국은 분석 기간인 2024-2030년 CAGR 9.3%로 성장을 지속하여 2030년까지 10억 달러 규모에 이를 것으로 예측됩니다. 기타 주목해야 할 지역별 시장으로서는 일본과 캐나다가 있으며, 분석 기간 중 CAGR은 각각 9.1%와 8.1%를 보일 것으로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 7.7%를 보일 전망입니다.

세계 '실리콘 EPI 웨이퍼' 시장 - 주요 동향 및 촉진요인 정리

실리콘 에피택셜 웨이퍼가 첨단 반도체 소자의 핵심인 이유

실리콘 에피택셜(EPI) 웨이퍼는 실리콘 기판 위에 단결정 실리콘을 정밀하게 제어하여 증착한 것으로, 고성능 반도체 소자 제조의 기반이 되고 있습니다. 이 에피택셜 층은 결함 밀도 감소, 캐리어 이동도 향상, 맞춤형 도핑 프로파일 등 첨단 CMOS, 파워일렉트로닉스, RF, 이미지 센서 등의 용도에 필수적인 전기적 특성을 제공합니다. EV, 태양광 인버터, 산업용 드라이브에 사용되는 파워 반도체에서 실리콘 EPI 층은 높은 내전압과 낮은 누설 전류를 제공하므로, EV, 태양광 인버터, 산업용 드라이브에 사용되는 파워 반도체에서 실리콘 EPI 층은 높은 내전압과 낮은 누설 전류를 제공합니다. 제공합니다. 로직 및 메모리 노드가 5nm 이하로 미세화되고 전력 IC가 더 높은 에너지 효율을 요구함에 따라 EPI 웨이퍼는 더 이상 특수한 재료가 아닌 차세대 반도체 기술의 정확성, 성능 및 확장성을 위한 전략적 필수품이 되었습니다.

제조 기술의 발전은 EPI 웨이퍼의 품질과 사용자 정의성을 어떻게 향상시키고 있는가?

에피택셜 성장 기술은 더 얇은 층, 더 좁은 도펀트 프로파일, 우수한 결정 무결성을 지원하기 위해 빠르게 발전하고 있으며, CVD 기반 에피택시 장비는 층 증착 중에 붕소, 인, 비소를 그 자리에서 정확하게 도핑할 수 있어 성장 후 주입 및 어닐링이 필요 없게 되었습니다. 주입이나 어닐링의 필요성이 없어졌습니다. 선택적 에피택시, 저온 성장, 스트레인 엔지니어링과 같은 기술 혁신으로 RF 및 고속 소자를 위한 맞춤형 층이 실현되고 있습니다. 웨이퍼 공급업체들은 첨단 결함 검사 및 인라인 측정을 통해 낮은 변위 밀도, 최소 오염, 200mm 및 300mm 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일한 두께를 보장하고 있습니다. 차량용 및 산업용 등급 디바이스의 경우, 고전압 EPI 웨이퍼는 누설 전류 및 수명 신뢰성에 대한 엄격한 사양을 충족해야 하며, 웨이퍼 제조업체는 더욱 엄격한 공정 제어를 요구하고 있습니다. 나노미터 단위의 정밀도로 레이어를 설계할 수 있기 때문에 EPI 웨이퍼는 단순한 기판이 아니라 새로운 칩 아키텍처를 실현하는 것이 되고 있습니다.

파워일렉트로닉스의 성장이 EPI 웨이퍼 수요 패턴을 재편할 것인가?

운송, 에너지 및 산업 시스템의 전기화가 가속화됨에 따라 실리콘 EPI 웨이퍼, 특히 고전압 및 고전류 용도에서 실리콘 EPI 웨이퍼에 대한 수요가 크게 증가하고 있습니다. 전기자동차는 EPI 기반 IGBT, MOSFET, 다이오드를 인버터, 차량용 충전기, 배터리 관리 시스템에 사용하고 있습니다. 산업 자동화 및 재생 에너지도 효율적인 에너지 변환 및 부하 조정을 위해 이러한 구성 요소에 의존하고 있으며, EV 플랫폼이 800V 아키텍처로 이동함에 따라 결함 수준이 낮고 균일성이 높은 두꺼운 EPI 층에 대한 수요가 급증하고 있습니다. 또한, 소비자 전자기기 및 데이터센터 인프라는 고주파 RF 스위치 및 고속 디지털 로직 디바이스용 EPI 웨이퍼를 필요로 하고 있으며, EPI 레이어가 제공하는 성능 향상(낮은 온 저항 및 향상된 스위칭 동작 등)은 소형화 및 에너지 효율을 위해 필수적입니다. 이러한 역학관계로 인해 EPI 웨이퍼는 전력 밀도가 높고 효율적인 전자 시스템으로 전환하는 세계 전자 시스템의 중심이 되고 있습니다.

실리콘 EPI 웨이퍼 시장의 세계 성장 원동력은?

세계의실리콘 EPI 웨이퍼시장 성장은 파워일렉트로닉스의 채택 확대, 첨단 CMOS 노드의 미세화, 자동차, 5G, 산업 분야 수요 증가 등 여러 요인에 의해 주도되고 있으며, 전 세계 EV 제조의 확대는 효율성과 열 안정성의 균형을 맞춘 EPI 기반 파워 반도체에 대한 지속적인 수요를 창출하고 있습니다. 수요를 창출하고 있습니다. 파운드리와 IDM은 고순도 EPI 기판이 수율과 디바이스 성능에 필수적인 5nm 이하 로직 디바이스의 생산 능력을 확대하고 있습니다. 소비자 가전, AI 칩, 5G 기지국, RF 및 아날로그 프론트엔드 부품을 지원하는 EPI 웨이퍼에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 또한, 미국, 중국, EU의 지역 반도체 자급률 향상 프로그램은 EPI 공정 라인을 포함한 지역 웨이퍼 제조 생태계에 대한 투자를 촉진하고 있습니다. 더 높은 전력 밀도, 더 작은 폼팩터, 더 높은 에너지 효율에 대한 요구가 증가함에 따라 EPI 웨이퍼는 모든 주요 최종 사용 영역에서 반도체 기술 혁신에 필수적인 요소로 자리 잡고 있습니다.

부문

유형(헤테로 에피택시, 호모 에피택시), 용도(LED, 전력 반도체, MEMS 기반 장치), 최종 용도(가전, 자동차, 헬스케어, 산업, 기타 최종 용도)

조사 대상 기업 예(총 32개사)

AI 통합

우리는 유효한 전문가 컨텐츠와 AI툴에 의해서, 시장 정보와 경쟁 정보를 변혁하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 LLM이나 업계 고유 SLM를 조회하는 일반적인 규범에 따르는 대신에, 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 방대한 양 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등, 전 세계 도메인 전문가로부터 큐레이트된 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사의 국가, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기반으로 기업의 경쟁력 변화를 예측했습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 수익원가(COGS) 증가, 수익성 감소, 공급망 재편 등 미시적 및 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예측됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

LSH
영문 목차

영문목차

Global Silicon EPI Wafers Market to Reach US$6.5 Billion by 2030

The global market for Silicon EPI Wafers estimated at US$3.7 Billion in the year 2024, is expected to reach US$6.5 Billion by 2030, growing at a CAGR of 9.7% over the analysis period 2024-2030. Heteroepitaxy, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 10.9% CAGR and reach US$4.4 Billion by the end of the analysis period. Growth in the Homoepitaxy segment is estimated at 7.4% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$972.0 Million While China is Forecast to Grow at 9.3% CAGR

The Silicon EPI Wafers market in the U.S. is estimated at US$972.0 Million in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$1.0 Billion by the year 2030 trailing a CAGR of 9.3% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 9.1% and 8.1% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 7.7% CAGR.

Global "Silicon EPI Wafers" Market - Key Trends & Drivers Summarized

Why Are Silicon Epitaxial Wafers at the Core of Advanced Semiconductor Devices?

Silicon epitaxial (EPI) wafers are foundational to the fabrication of high-performance semiconductor devices, offering a precisely controlled layer of single-crystal silicon deposited onto a silicon substrate. This epitaxial layer provides tailored electrical properties-such as reduced defect density, improved carrier mobility, and customizable doping profiles-that are essential for advanced CMOS, power electronics, RF, and image sensor applications. EPI wafers enable the creation of ultra-shallow junctions and advanced device structures like FINFETs, GAAFETs, and silicon-on-insulator (SOI) platforms. In power semiconductors, such as those used in EVs, solar inverters, and industrial drives, silicon EPI layers offer high breakdown voltages and low leakage currents. As logic and memory nodes scale below 5nm, and as power ICs demand greater energy efficiency, EPI wafers are no longer specialty materials-they’re a strategic necessity for precision, performance, and scalability in next-gen semiconductor technologies.

How Are Fabrication Advancements Enhancing EPI Wafer Quality and Customization?

Epitaxial growth technologies are advancing rapidly to support thinner layers, tighter dopant profiles, and superior crystal integrity. CVD-based epitaxy tools now allow precise in-situ doping with boron, phosphorus, or arsenic during layer deposition-eliminating the need for post-growth implantation and annealing. Innovations such as selective epitaxy, low-temperature growth, and strain engineering are enabling customized layers for RF and high-speed devices. Wafer suppliers are using advanced defect inspection and in-line metrology to ensure low dislocation densities, minimal contamination, and uniform thickness across 200mm and 300mm wafers. For automotive and industrial-grade devices, high-voltage EPI wafers must meet stringent specifications for leakage current and lifetime reliability, pushing producers toward tighter process control. The ability to engineer layers with nanometer precision is making EPI wafers not just substrates, but enablers of new chip architectures.

Is Power Electronics Growth Reshaping Demand Patterns for EPI Wafers?

The accelerating electrification of transport, energy, and industrial systems is significantly boosting the demand for silicon EPI wafers-especially in high-voltage and high-current applications. Electric vehicles use EPI-based IGBTs, MOSFETs, and diodes in inverters, onboard chargers, and battery management systems. Industrial automation and renewable energy also rely on these components for efficient energy conversion and load regulation. As EV platforms migrate toward 800V architectures, the demand for thick EPI layers with low defect levels and high uniformity is rising sharply. Furthermore, consumer electronics and data center infrastructure require EPI wafers for high-frequency RF switches and fast digital logic devices. The performance gains enabled by EPI layers-such as lower ON resistance and improved switching behavior-are essential for miniaturization and energy efficiency. These dynamics are positioning EPI wafers at the heart of the global shift toward power-dense, efficient electronic systems.

What’s Fueling the Global Growth of the Silicon EPI Wafers Market?

The growth in the global silicon EPI wafers market is driven by several factors including rising adoption of power electronics, scaling of advanced CMOS nodes, and increased demand from automotive, 5G, and industrial sectors. The global expansion of EV manufacturing is generating sustained demand for EPI-based power semiconductors that balance efficiency and thermal stability. Foundries and IDMs are scaling up capacity for sub-5nm logic devices, where high-purity EPI substrates are critical for yield and device performance. Consumer electronics, AI chips, and 5G base stations are increasing demand for EPI wafers that support RF and analog front-end components. Additionally, regional semiconductor self-sufficiency programs in the U.S., China, and the EU are driving investment into local wafer manufacturing ecosystems, including EPI processing lines. As the need for higher power density, smaller form factors, and superior energy efficiency grows, EPI wafers are becoming indispensable to semiconductor innovation across every major end-use domain.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the Silicon EPI Wafers market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Type (Heteroepitaxy, Homoepitaxy); Application (LED, Power Semiconductor, Mems-based Devices); End-Use (Consumer Electronics, Automotive, Healthcare, Industrial, Other End-Uses)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; and Rest of Europe); Asia-Pacific; Rest of World.

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TABLE OF CONTENTS

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II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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