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세계의 와이드밴드갭(WBG) 전력 반도체 디바이스 : 시장 점유율과 순위, 전체 판매량 및 수요 예측(2025-2031년)
Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices - Global Market Share and Ranking, Overall Sales and Demand Forecast 2025-2031
상품코드 : 1862374
리서치사 : QYResearch
발행일 : 2025년 10월
페이지 정보 : 영문
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한글목차

와이드밴드갭(WBG) 전력 반도체 디바이스 시장 규모는 2024년에 52억 7,900만 달러로 평가되었고, 2025-2031년의 예측 기간에 CAGR 21.0%로 성장하여 2031년까지 210억 5,600만 달러에 달할 것으로 예측됩니다.

본 보고서에서는 최근 와이드밴드갭(WBG) 전력 반도체 디바이스에 대한 관세 조정과 국제적인 전략적 대응 조치에 대해 국경 간 산업 발자국, 자본 배분 패턴, 지역 경제의 상호 의존성, 공급망 재구축 등을 종합적으로 평가했습니다.

WBG(Wide Band Gap) 파워 디바이스는 실리콘 카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등의 반도체 소재를 기반으로 하며, 기존 실리콘 디바이스에 비해 높은 임계전계, 고속 스위칭, 낮은 전도 손실, 고온 동작성 향상 등 우수한 성능을 제공합니다. 주요 제품 카테고리에는 SiC MOSFET, JFET, 쇼트키 다이오드, GaN HEMT, GaN FET 및 집적 전력 모듈이 포함됩니다. 이들 장치는 전기자동차용 트랙션 인버터, 차량용 충전기(OBC), 급속 충전소, 태양광 및 풍력발전용 인버터, 데이터센터용 전원장치, 산업용 모터 구동장치, 고압직류송전(HVDC) 시스템 등에 널리 채택되고 있습니다.

현재 세계 WBG(Wide Band Gap) 파워 디바이스 시장은 급속한 확장을 경험하고 있습니다. 주요 성장 요인으로는 전기자동차 보급 확대, 재생에너지 도입 가속화, 데이터센터 및 고성능 컴퓨팅 분야의 고효율 전원 공급장치 수요 급증, 탄소중립 및 에너지 전환을 지원하는 정책 이니셔티브 등을 꼽을 수 있습니다. 시장 기회는 EV 파워트레인, 차량용 충전, 태양광+축전 시스템, 5G/고주파 전원 등에 존재합니다. 한편, 규모의 경제를 통한 비용 절감과 제조 공정의 개선이 WBG의 보급을 가속화하고 있습니다. 그러나 SiC 에피택셜 웨이퍼 및 GaN 기판의 높은 비용, 제조 수율 및 신뢰성 문제, 공급망 집중화, 특정 용도의 긴 인증 주기 등의 문제도 남아있습니다.

경쟁 구도에서는 현재 SiC 디바이스 시장은 ST마이크로일렉트로닉스, 온세미컨덕터, 울프스피드, 인피니언, 로옴, BYD반도체, 보쉬, 유나이티드노바테크놀로지가 주도하고 있으며, 이들이 세계 시장 점유율의 85% 이상을 차지하고 있습니다. GaN 디바이스 분야에서는 Innoscience, Power Integrations, Inc, Efficient Power Conversion Corporation(EPC), Navitas, Transphorm, Infineon(GaN Systems), Renesas Electronics(Transphorm) 등이 주요 기업이며, 급속 충전, 서버 전원, 자동차용 일렉트로닉스에의 적용이 주를 이루고 있습니다. IDM(수직계열화 반도체 제조업체)과 파운드리 업체들의 진입과 더불어 Sanan, Silan, CR Micro 등 중국 업체들의 부상으로 향후 몇 년 동안 경쟁이 심화되고 시장 점유율은 점차 분산될 것으로 예측됩니다.

이 보고서는 세계 와이드밴드갭(WBG) 전력 반도체 소자 세계 시장에 대해 총 판매량, 매출, 매출액, 가격, 주요 기업의 시장 점유율 및 순위를 중심으로 지역별, 국가별, 재료별, 용도별 분석을 종합적으로 제시하는 것을 목적으로 합니다.

와이드밴드 갭 파워(WBG) 반도체 소자 시장 규모와 추정치, 예측치를 판매량(천 단위) 및 매출액(백만 달러)으로 제시하고, 2024년을 기준 연도로 하여 2020년부터 2031년까지의 과거 데이터와 예측 데이터를 조사하여 정리했습니다. 정량적, 정성적 분석을 통해 독자 여러분들이 WBG(Wide Band Gap Power) 반도체 디바이스에 대한 사업 및 성장 전략 수립, 시장 경쟁 평가, 현재 시장에서의 포지셔닝 분석, 정보에 입각한 사업적 판단을 할 수 있도록 도와드립니다.

시장 세분화

기업별

재료별 부문

용도별 부문

지역별

LSH
영문 목차

영문목차

The global market for Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices was estimated to be worth US$ 5279 million in 2024 and is forecast to a readjusted size of US$ 21056 million by 2031 with a CAGR of 21.0% during the forecast period 2025-2031.

This report provides a comprehensive assessment of recent tariff adjustments and international strategic countermeasures on Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices cross-border industrial footprints, capital allocation patterns, regional economic interdependencies, and supply chain reconfigurations.

Wide Bandgap (WBG) power devices, based on semiconductor materials such as silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN), offer superior performance compared to traditional silicon devices thanks to their higher critical electric field, faster switching speeds, lower conduction losses, and enhanced high-temperature operation. The main product categories include SiC MOSFETs, JFETs, Schottky diodes, GaN HEMTs, GaN FETs, and integrated power modules. These devices are widely deployed in electric vehicle traction inverters, onboard chargers (OBCs), fast charging stations, photovoltaic and wind inverters, data center power supplies, industrial motor drives, and high-voltage direct current (HVDC) transmission systems.

The global WBG power device market is currently experiencing rapid expansion. Key growth drivers include rising electric vehicle adoption, accelerated deployment of renewable energy, surging demand for high-efficiency power supplies in data centers and high-performance computing, and policy initiatives supporting carbon neutrality and energy transition. Market opportunities lie in EV powertrains, onboard charging, solar-plus-storage systems, and 5G/high-frequency power supplies. Meanwhile, cost reductions through economies of scale and improved manufacturing processes are accelerating WBG adoption. However, challenges remain, such as the high cost of SiC epitaxial wafers and GaN substrates, manufacturing yield and reliability issues, supply chain concentration, and long qualification cycles for certain applications.

In terms of competitive landscape, the SiC device market is currently dominated by STMicroelectronics, onsemi, Wolfspeed, Infineon, ROHM, BYD Semiconductor, Bosch, and United Nova Technology, together accounting for over 85% of global market share. For GaN devices, leading players include Innoscience, Power Integrations, Inc., Efficient Power Conversion Corporation (EPC), Navitas, Transphorm, Infineon (GaN Systems), as well as Renesas Electronics (Transphorm), with applications focused on fast charging, server power supplies, and automotive electronics. With the entry of more IDMs and foundries, alongside the rise of Chinese companies such as Sanan, Silan, and CR Micro, competition is expected to intensify and market shares will gradually diversify in the coming years.

This report aims to provide a comprehensive presentation of the global market for Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices, focusing on the total sales volume, sales revenue, price, key companies market share and ranking, together with an analysis of Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices by region & country, by Material, and by Application.

The Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices market size, estimations, and forecasts are provided in terms of sales volume (K Units) and sales revenue ($ millions), considering 2024 as the base year, with history and forecast data for the period from 2020 to 2031. With both quantitative and qualitative analysis, to help readers develop business/growth strategies, assess the market competitive situation, analyze their position in the current marketplace, and make informed business decisions regarding Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices.

Market Segmentation

By Company

Segment by Material

Segment by Application

By Region

Chapter Outline

Chapter 1: Introduces the report scope of the report, global total market size (value, volume and price). This chapter also provides the market dynamics, latest developments of the market, the driving factors and restrictive factors of the market, the challenges and risks faced by manufacturers in the industry, and the analysis of relevant policies in the industry.

Chapter 2: Detailed analysis of Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices manufacturers competitive landscape, price, sales and revenue market share, latest development plan, merger, and acquisition information, etc.

Chapter 3: Provides the analysis of various market segments by Material, covering the market size and development potential of each market segment, to help readers find the blue ocean market in different market segments.

Chapter 4: Provides the analysis of various market segments by Application, covering the market size and development potential of each market segment, to help readers find the blue ocean market in different downstream markets.

Chapter 5: Sales, revenue of Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices in regional level. It provides a quantitative analysis of the market size and development potential of each region and introduces the market development, future development prospects, market space, and market size of each country in the world.

Chapter 6: Sales, revenue of Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices in country level. It provides sigmate data by Material, and by Application for each country/region.

Chapter 7: Provides profiles of key players, introducing the basic situation of the main companies in the market in detail, including product sales, revenue, price, gross margin, product introduction, recent development, etc.

Chapter 8: Analysis of industrial chain, including the upstream and downstream of the industry.

Chapter 9: Conclusion.

Table of Contents

1 Market Overview

2 Competitive Analysis by Company

3 Segmentation by Material

4 Segmentation by Application

5 Segmentation by Region

6 Segmentation by Key Countries/Regions

7 Company Profiles

8 Industry Chain Analysis

9 Research Findings and Conclusion

10 Appendix

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