세계의 와이드 밴드갭 파워 반도체 시장은 2025년 51억 3,552만 9,000달러로 평가되며, CAGR 15.91%로 성장하여 2030년에는 107억 4,503만 3,000달러 규모에 이를 것으로 예상됩니다.
와이드 밴드갭 반도체는 분자종으로 수식되었을 경우, 독특한 광학적 및 전자적 특성을 나타냅니다. 소비자용 전자기기나 급속 충전과 같은 관련 기술 수요가 높아짐에 따라, WBG 반도체 시장은 대폭 확대할 것으로 예상됩니다. 이 장치는 고주파로 물리적 특성을 변화시키는 한편, 화학적 및 기계적 특성은 광전자 용도에 응용되고 있습니다.
탄화규소(SiC)나 질화갈륨(GaN) 등의 와이드 밴드갭(WBG) 및 초와이드 밴드갭(WBG) 파워 일렉트로닉스 반도체는 파워 일렉트로닉스 산업에 혁명을 일으키고 있습니다. 이 첨단 재료는 기존의 실리콘 기반 제품을 능가하고 우수한 성능과 효율성을 제공합니다. 학계와 산업계의 공동 노력으로, 고품질의 SiC 및 GaN 기판의 개발, 결정 성장 기술의 진보, 제조 방법의 개량이 이루어져 왔습니다.
실리콘의 밴드갭 에너지가 1.1eV인 반면, SiC의 밴드갭 에너지는 약 3.3eV이며, 가장 광범위하게 연구되고 널리 이용되는 WBG 재료 중 하나입니다. 손실, 높은 온도 내성, 전반적인 효율 개선 등 큰 이점을 제공합니다. 마찬가지로, 약 3.4eV의 밴드갭 에너지를 가진 GaN은 높은 브레이크다운 전압, 고속 스위칭 속도, 저온 저항 등의 뛰어난 성능 특성으로 큰 주목을 받고 있습니다.
전기자동차(EV), 재생 가능 에너지, 통신 등의 분야에서 고효율 파워 일렉트로닉스에 대한 요구가 높아지고 있는 것이, WBG 반도체 시장의 주된 촉진요인이 되고 있습니다. WBG 반도체로의 전환은 산업이 에너지 효율적인 솔루션에 수렴함에 따라 불가결해지고 있습니다. 또한 웨이퍼 품질과 기판 제조의 진보에 의해 비용 절감과 기능 강화가 진행되어, WBG 반도체의 대량 시장 도입이 가능해지고 있습니다.
미국을 중심으로 한 아메리카는 다양한 산업에 있어서의 에너지 효율이 높은 전자기기에 대한 수요 증가에 의해 WBG 반도체 시장의 급격한 성장이 눈에 띄고 있습니다.
예를 들면, 소비자용 전자기기, 자동차, 재생 가능 에너지 용도에서 에너지 효율이 높은 디바이스의 요구는 큰 성장 요인이 되고 있습니다. SiC나 GaN 부품 등의 WBG 반도체는 기존 실리콘 베이스의 디바이스에 비해 뛰어난 성능과 효율을 제공합니다.
이 보고서에서 다루는 주요 기업으로는 ROHM Semiconductor, Wolfspeed, Inc., STMicroelectronics, Infineon Technologies AG, Mitsubishi Electric Corporation, Semikron Danfoss, Texas Instruments 등이 있습니다.
어떤 용도로 사용됩니까?
업계 및 시장 인사이트, 사업 기회 평가, 제품 수요 예측, 시장 진출 전략, 지리적 확대, 설비 투자 결정, 규제 프레임워크와 영향, 신제품 개척, 경쟁의 영향
The wide-bandgap power semiconductor market is evaluated at US$5,135.529 million in 2025, growing at a CAGR of 15.91%, reaching the market size of US$10,745.033 million by 2030.
Wide-bandgap (WBG) semiconductors, when modified with molecular species, exhibit distinctive optical and electronic properties. These components are characterized by their smaller size, faster operation, enhanced reliability, and greater efficiency than silicon-based counterparts in power electronics. The unique scientific and technological attributes of WBG power semiconductors have led to their increasing popularity in high-performance optoelectronic and electronic devices. With the rising demand for consumer electronics and related technologies like fast charging, the market for WBG semiconductors is expected to expand significantly. The devices transform their physical characteristics at high frequencies, while their chemical and mechanical features find applications in optoelectronic uses. The combination of high performance and novel properties is opening new opportunities and paving the way for the market's growth in the years ahead.
Wide and ultrawide bandgap (WBG) power electronic semiconductors, such as silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN), are revolutionizing the power electronics industry. These advanced materials outperform traditional silicon-based products, offering superior performance and efficiency. Recent advancements in WBG semiconductors have focused on improving material quality, device design, and manufacturing processes. Collaborative efforts between academia and industry have led to the development of high-quality SiC and GaN substrates, advancements in crystal growth techniques, and refined production methods. These innovations have enhanced material performance, increased device yields, and reduced manufacturing costs, making WBG semiconductors more commercially viable.
SiC, with a bandgap energy of approximately 3.3 electron volts (eV) compared to silicon's 1.1 eV, is one of the most extensively researched and widely available WBG materials. SiC-based power devices offer significant advantages, including lower conduction and switching losses, higher temperature tolerance, and improved overall efficiency. Similarly, GaN, with a bandgap energy of around 3.4 eV, has gained considerable attention for its exceptional performance characteristics, such as high breakdown voltages, fast switching speeds, and low on-resistance.
The growing need for high-efficiency power electronics in sectors like electric vehicles (EVs), renewable energy, and telecommunications is a key driver of the WBG semiconductors market. SiC is particularly favored for high-voltage applications, such as EV inverters and fast chargers, while GaN's high-frequency switching capabilities are making it ideal for 5G base stations and low-voltage power supplies. The shift toward WBG semiconductors is becoming essential as industries converge toward energy-efficient solutions. Additionally, advancements in wafer quality and substrate production are reducing costs and enhancing functionality, enabling mass-market adoption of WBG semiconductors. This rapid growth underscores their role as a central technology in the global transition to low-power electronics.
The Americas, particularly the United States, are witnessing exponential growth in the WBG semiconductors market, driven by the increasing demand for energy-efficient electronic devices across various industries. The growing focus on electric vehicles and the transition to renewable energy sources are further boosting the demand for WBG power semiconductors.
For example, the need for energy-efficient devices in consumer electronics, automotive, and renewable energy applications is a major growth factor. WBG semiconductors, such as SiC and GaN components, offer superior performance and efficiency compared to traditional silicon-based devices. Additionally, the rising emphasis on EVs and renewable energy is accelerating the adoption of WBG power semiconductors, expanding the market in the United States and beyond.
Some of the major players covered in this report include ROHM Semiconductor, Wolfspeed, Inc., STMicroelectronics, Infineon Technologies AG, Mitsubishi Electric Corporation, Semikron Danfoss, Texas Instruments, among others.
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