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세계의 와이드 밴드갭 파워(WBG) 반도체 디바이스 시장
Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices
상품코드 : 1507870
리서치사 : Market Glass, Inc. (Formerly Global Industry Analysts, Inc.)
발행일 : 2024년 07월
페이지 정보 : 영문 311 Pages
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한글목차

와이드 밴드갭 파워(WBG) 반도체 디바이스 세계 시장은 2030년까지 109억 달러에 달할 전망

2023년에 18억 달러로 추정되는 와이드 밴드갭 파워(WBG) 반도체 디바이스 세계 시장은 분석 기간 2023-2030년에 29.1%의 연평균 복합 성장률(CAGR)로 성장해 2030년에는 109억 달러에 달한다 예측됩니다. 이 보고서에서 분석한 부문 중 하나인 탄화규소(SiC)는 CAGR 29.2%로 성장을 지속하고, 분석 기간 종료까지 63억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 질화갈륨(GaN) 부문의 성장률은 분석 기간 동안 CAGR 31.1%로 추정됩니다.

미국 시장은 5억 2,770만 달러, 중국은 CAGR 38.7%로 성장 예측

미국의 와이드 밴드갭 파워(WBG) 반도체 디바이스 시장은 2023년 5억 2,770만 달러로 추정됩니다. 세계 2위 경제대국인 중국은 2023년부터 2030년의 분석 기간에서 CAGR 38.7%로 성장을 지속하여 2030년에는 32억 달러 규모에 이를 것으로 예측되고 있습니다. 기타 주목할 만한 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있으며, 분석 기간 중 CAGR은 각각 20.5%와 24.9%로 예측되고 있습니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 약 24.2%로 성장할 것으로 예측됩니다.

세계의 와이드 밴드갭 파워(WBG) 반도체 디바이스 시장 - 주요 촉진요인 및 동향 요약

광대역 갭(WBG) 전력 반도체 디바이스는 기존의 실리콘 기반 반도체에 비해 높은 전압, 온도 및 주파수에서 작동하도록 설계된 고급 전자 부품입니다. 실리콘 카바이드(SiC) 및 질화 갈륨(GaN)과 같은 WBG 재료는 높은 내압, 높은 열 전도성, 빠른 스위칭 속도와 같은 우수한 전기적 특성을 제공합니다. 이러한 장점으로 인해 WBG 디바이스는 자동차, 항공우주, 통신, 재생 가능 에너지와 같은 산업에서 다양한 고성능 용도에 이상적입니다. 특히 WBG 반도체는 전기자동차, 스마트 그리드, 첨단 산업기계에 필수적인 인버터, 컨버터, 전원 등의 효율적인 파워 일렉트로닉스 개발에 필수적입니다.

기술의 진보는 WBG 전력 반도체 소자의 개발과 상업화에 있어 매우 중요합니다. 재료의 품질과 제조 공정의 개선으로 WBG 디바이스의 효율과 신뢰성이 향상되어 대량 생산이 가능해졌습니다. 에피택셜 성장 기술과 기판 제조의 발전으로 SiC와 GaN 디바이스의 성능과 수율이 향상되었습니다. 게다가 WBG 반도체와 와이드 밴드갭 IC나 첨단 패키징 솔루션 등 다른 첨단 기술과의 통합으로 보다 컴팩트하고 효율적이며 열 관리하기 쉬운 파워 모듈의 개발이 가능해졌습니다. 이러한 기술적 진보로 비용이 절감되고 다양한 분야에서 WBG 디바이스의 채택이 확대되고 있습니다.

광대역 갭 전력 반도체 디바이스 시장의 성장은 여러 요인들에 의해 야기되고 있습니다. 전기자동차 및 재생 가능 에너지 시스템에서 에너지 효율이 높고 고성능의 파워 일렉트로닉스에 대한 수요가 높아지고 있는 것이 큰 원동력이 되고 있습니다. 이산화탄소 배출량을 줄이고 에너지 효율을 높이는 주목이 높아지면서 다양한 산업 용도에서 WBG 디바이스를 채택하는 것을 뒷받침하고 있습니다. 재료과학과 반도체 제조의 기술 진보는 WBG 디바이스의 성능과 비용 효과를 향상시키고 시장 침투를 촉진하고 있습니다. 또한 스마트 그리드와 통신을 위한 인프라 투자가 증가하고 있는 것도 WBG 반도체 수요를 촉진하고 있습니다. 또한 에너지 효율적인 기술의 이용을 촉진하는 규제 동향과 정부의 이니셔티브도 시장 성장에 기여하고 있습니다. 마지막으로, WBG 반도체의 성능, 신뢰성, 에너지 절약의 이점에 대한 인식이 높아지면서 다양한 용도에 대한 채용을 촉진하여 시장에 새로운 기회를 창출하고 있습니다.

조사 대상 기업 예(주목의 49사)

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

JHS
영문 목차

영문목차

Global Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices Market to Reach US$10.9 Billion by 2030

The global market for Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices estimated at US$1.8 Billion in the year 2023, is expected to reach US$10.9 Billion by 2030, growing at a CAGR of 29.1% over the analysis period 2023-2030. Silicon Carbide (SiC), one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 29.2% CAGR and reach US$6.3 Billion by the end of the analysis period. Growth in the Gallium Nitride (GaN) segment is estimated at 31.1% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$527.7 Million While China is Forecast to Grow at 38.7% CAGR

The Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices market in the U.S. is estimated at US$527.7 Million in the year 2023. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$3.2 Billion by the year 2030 trailing a CAGR of 38.7% over the analysis period 2023-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 20.5% and 24.9% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 24.2% CAGR.

Global Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices Market - Key Drivers and Trends Summarized

Wide-bandgap (WBG) power semiconductor devices are advanced electronic components designed to operate at higher voltages, temperatures, and frequencies compared to traditional silicon-based semiconductors. WBG materials, such as silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN), offer superior electrical properties, including higher breakdown voltage, greater thermal conductivity, and faster switching speeds. These advantages make WBG devices ideal for a range of high-performance applications in industries such as automotive, aerospace, telecommunications, and renewable energy. In particular, WBG semiconductors are critical for the development of efficient power electronics, including inverters, converters, and power supplies, which are essential for electric vehicles, smart grids, and advanced industrial machinery.

Technological advancements have been pivotal in the development and commercialization of WBG power semiconductor devices. Improvements in material quality and manufacturing processes have led to higher efficiency and reliability of WBG devices, making them more viable for mass production. Advances in epitaxial growth techniques and substrate fabrication have enhanced the performance and yield of SiC and GaN devices. Additionally, the integration of WBG semiconductors with other advanced technologies, such as wide-bandgap ICs and advanced packaging solutions, has enabled the development of more compact, efficient, and thermally manageable power modules. These technological strides are reducing costs and expanding the adoption of WBG devices across various sectors.

The growth in the wide-bandgap power semiconductor devices market is driven by several factors. The increasing demand for energy-efficient and high-performance power electronics in electric vehicles and renewable energy systems is a major driver. The growing focus on reducing carbon emissions and enhancing energy efficiency is boosting the adoption of WBG devices in various industrial applications. Technological advancements in material science and semiconductor fabrication are improving the performance and cost-effectiveness of WBG devices, driving their market penetration. The rising investment in infrastructure for smart grids and telecommunications is also propelling demand for WBG semiconductors. Additionally, regulatory trends and government initiatives promoting the use of energy-efficient technologies are contributing to market growth. Finally, the increasing awareness of the benefits of WBG semiconductors in terms of performance, reliability, and energy savings is encouraging their adoption across diverse applications, creating new opportunities in the market.

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TABLE OF CONTENTS

I. METHODOLOGY

II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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