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세계의 탄화규소(SiC) 전력반도체 : 시장 점유율과 순위, 전체 판매 및 수요 예측(2025-2031년)
Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductor - Global Market Share and Ranking, Overall Sales and Demand Forecast 2025-2031
상품코드 : 1860065
리서치사 : QYResearch
발행일 : 2025년 10월
페이지 정보 : 영문
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한글목차

탄화규소(SiC) 전력반도체 시장 규모는 2024년에 39억 4,400만 달러로 평가되었고, 2025-2031년의 예측 기간에 CAGR 19.5%로 확대되어 2031년까지 135억 2,000만 달러로 재조정될 전망입니다.

본 보고서는 실리콘 카바이드(SiC) 전력반도체의 국가 간 산업 발자국, 자본 배분 패턴, 지역 경제의 상호 의존성, 공급망 재구축, 최근 관세 조정 및 국제적인 전략적 대응 조치에 대한 종합적인 평가를 제공합니다.

본 보고서에서는 SiC MOSFET 모듈, SiC MOSFET 디스크리트, SiC 다이오드를 포함한 탄화규소(SiC) 전력반도체를 연구 대상으로 합니다.

실리콘 카바이드 MOSFET은 낮은 온저항과 작은 스위칭 손실의 특성을 가지고 있어 소자 손실을 줄이고 시스템 효율을 향상시킬 수 있으며, 고주파 회로에 적합합니다. 신에너지 자동차 모터 컨트롤러, 차량용 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 충전소, UPS, PFC 전원 공급 장치 등의 분야에서 널리 사용되고 있습니다.

실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드는 반도체와 금속의 접합으로 형성되는 반도체 다이오드입니다. SiC 쇼트키 배리어 다이오드는 실리콘 다이오드에 비해 역방향 누설전류가 현저히 낮고 순방향 전압도 높은 특성을 가지고 있습니다. 이를 통해 손실을 크게 줄일 수 있어 시스템 효율 향상과 제품 소형화에 기여할 수 있습니다.

SiC의 생태계(가치사슬)는 업스트림 원자재 및 기판 공급업체(벌크 SiC 결정성장 장치 제조업체, 웨이퍼 제조업체), 에피택셜 웨이퍼 제조업체, 디바이스 팹(전공정 가공), 파워 모듈 및 패키징 전문업체, 시험 및 인증 서비스, 다운스트림 시스템 통합사업자/OEM(자동차 Tier 1 공급업체, 인버터 제조업체, 데이터센터 전원공급장치 공급업체)로 구성됩니다. 다운스트림 시스템 통합사업자/OEM(자동차 Tier 1 공급업체, 인버터 제조업체, 데이터센터용 전원장치 공급업체)에 이르기까지 다양합니다. 업스트림 공정의 집적화와 생산능력(기판/에피)은 비용과 수율을 결정하는 전략적 병목현상입니다. 중견 디바이스 제조업체는 공정 IP(이온 주입, 게이트 기술, 트렌치 또는 평면 MOS 구조)와 자동차 AEC-Q/TS 표준에 대한 적합성을 추가합니다. 다운스트림 기업은 모듈 통합 및 냉각/열 관리 솔루션을 추진하고 있습니다. 주요 디바이스 공급업체로는 ST마이크로일렉트로닉스, 인피니언, 울프스피드(Cree), 로옴, 온세미컨덕터, 도시바/미쓰비시전기, 그리고 여러 중국 및 일본 스타트업이 있습니다. 이들 업체들이 150-200mm 웨이퍼 양산 체제를 확대하고 모듈 분야 제휴를 추진하면서 경쟁은 더욱 치열해지고 있습니다. 주목할 만한 업계 동향으로는 단가 절감을 위한 200mm SiC 제조로의 대규모 전환(주요 벤더들의 200mm 로드맵 발표), 통합 및 수직계열화(기판 및 에피택시 분야 인수 및 제휴), 신뢰성 향상 및 자동차용 인증 획득 추진, 시스템 레벨 최적화(SiC + Si 하이브리드 토폴로지, 스마트 패키징 및 냉각 기술)입니다. 시장 예측에 따르면, EV 구동 장치 및 재생 에너지 분야에서 SiC의 보급이 확대됨에 따라 다년간 두 자릿수 CAGR을 나타낼 것으로 예측됩니다. 단, 공급 상황 및 단기적인 수요 변동에 따라 특정 제조업체에 대한 변동이 발생할 수 있습니다.

이 보고서는 실리콘 카바이드(SiC) 전력반도체 세계 시장에 대해 총 판매량, 매출액, 가격, 주요 기업의 시장 점유율 및 순위를 중심으로 지역별, 국가별, 유형별, 용도별 분석을 종합적으로 제시하는 것을 목적으로 합니다.

본 보고서는 2024년을 기준 연도로 하여 2020년부터 2031년까지의 과거 데이터와 예측 데이터를 바탕으로 판매량(천 단위) 및 매출액(백만 달러)을 기준으로 탄화규소(SiC) 전력반도체 시장 규모를 추정 및 예측했습니다. 정량적, 정성적 분석을 통해 독자들이 비즈니스/성장 전략 수립, 시장 경쟁 평가, 현재 시장에서의 포지셔닝 분석, 실리콘 카바이드(SiC) 전력반도체에 대한 정보에 입각한 비즈니스 의사결정을 내릴 수 있도록 도와드립니다.

시장 세분화

기업별

유형별 부문

용도별 부문

지역별

LSH
영문 목차

영문목차

The global market for Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductor was estimated to be worth US$ 3944 million in 2024 and is forecast to a readjusted size of US$ 13520 million by 2031 with a CAGR of 19.5% during the forecast period 2025-2031.

This report provides a comprehensive assessment of recent tariff adjustments and international strategic countermeasures on Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductor cross-border industrial footprints, capital allocation patterns, regional economic interdependencies, and supply chain reconfigurations.

This report studies Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductors, including SiC MOSFET Module, SiC MOSFET Discrete and SiC diode.

Silicon carbide MOSFETs have the characteristics of low on-resistance and small switching losses, which can reduce device losses and improve system efficiency, and are more suitable for high-frequency circuits. It is widely used in the fields of new energy vehicle motor controller, vehicle power supply, solar inverter, charging pile, UPS, PFC power supply and other fields.

A silicon carbide (SiC) schottky diode is a semiconductor diode formed by the junction of a semiconductor with a metal. SiC Schottky barrier diodes have a much lower reverse leakage current than their Si counterparts and also a higher forward voltage. They significantly reduce losses and can therefore be used to increase system efficiency and reduce product size.

The SiC ecosystem (value chain) spans upstream raw-material and substrate suppliers (bulk SiC crystal growers and wafer makers), epitaxial (epi) wafer manufacturers, device fabs (front-end processing), power-module and packaging specialists, test & qualification services, and downstream system integrators/OEMs (automotive Tier-1s, inverter makers, datacenter PSU vendors). Upstream concentration and capacity (substrates/epi) are strategic bottlenecks that determine cost and yield; midstream device makers add process IP (implantation, gate technology, trench or planar MOS structures) and qualification for automotive AEC-Q/TS standards; downstream players drive integration into modules and cooling/thermal management solutions. Leading device suppliers include STMicroelectronics, Infineon, Wolfspeed (Cree), ROHM, onsemi, Toshiba/Mitsubishi and several Chinese and Japanese challengers-competition has intensified as these players scale 150-200 mm wafer flows and pursue module partnerships. Industry developments to watch: widescale migration to 200 mm SiC manufacturing to lower unit cost (major vendors announced 200 mm roadmaps), consolidation and verticalization (some substrate and epi play acquisitions/alliances), push for higher reliability and automotive qualification, and system-level optimization (SiC + Si hybrid topologies, smarter packaging and cooling). Market forecasts show multi-year double-digit CAGR as SiC penetration grows in EV traction and renewables, even as supply and short-term demand cycles create volatility for specific producers.

This report aims to provide a comprehensive presentation of the global market for Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductor, focusing on the total sales volume, sales revenue, price, key companies market share and ranking, together with an analysis of Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductor by region & country, by Type, and by Application.

The Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductor market size, estimations, and forecasts are provided in terms of sales volume (K Units) and sales revenue ($ millions), considering 2024 as the base year, with history and forecast data for the period from 2020 to 2031. With both quantitative and qualitative analysis, to help readers develop business/growth strategies, assess the market competitive situation, analyze their position in the current marketplace, and make informed business decisions regarding Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductor.

Market Segmentation

By Company

Segment by Type

Segment by Application

By Region

Chapter Outline

Chapter 1: Introduces the report scope of the report, global total market size (value, volume and price). This chapter also provides the market dynamics, latest developments of the market, the driving factors and restrictive factors of the market, the challenges and risks faced by manufacturers in the industry, and the analysis of relevant policies in the industry.

Chapter 2: Detailed analysis of Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductor manufacturers competitive landscape, price, sales and revenue market share, latest development plan, merger, and acquisition information, etc.

Chapter 3: Provides the analysis of various market segments by Type, covering the market size and development potential of each market segment, to help readers find the blue ocean market in different market segments.

Chapter 4: Provides the analysis of various market segments by Application, covering the market size and development potential of each market segment, to help readers find the blue ocean market in different downstream markets.

Chapter 5: Sales, revenue of Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductor in regional level. It provides a quantitative analysis of the market size and development potential of each region and introduces the market development, future development prospects, market space, and market size of each country in the world.

Chapter 6: Sales, revenue of Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductor in country level. It provides sigmate data by Type, and by Application for each country/region.

Chapter 7: Provides profiles of key players, introducing the basic situation of the main companies in the market in detail, including product sales, revenue, price, gross margin, product introduction, recent development, etc.

Chapter 8: Analysis of industrial chain, including the upstream and downstream of the industry.

Chapter 9: Conclusion.

Table of Contents

1 Market Overview

2 Competitive Analysis by Company

3 Segmentation by Type

4 Segmentation by Application

5 Segmentation by Region

6 Segmentation by Key Countries/Regions

7 Company Profiles

8 Industry Chain Analysis

9 Research Findings and Conclusion

10 Appendix

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