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세계의 SiC 파워 디바이스 시장
SiC Power Device
상품코드 : 1731886
리서치사 : Global Industry Analysts, Inc.
발행일 : 2025년 05월
페이지 정보 : 영문 386 Pages
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한글목차

세계의 SiC 파워 디바이스 시장은 2030년까지 49억 달러에 도달

2024년에 18억 달러로 추정되는 세계의 SiC 파워 디바이스 시장은 분석 기간인 2024-2030년에 CAGR 18.4%로 성장하며, 2030년에는 49억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 이 리포트에서 분석한 부문의 하나인 SiC 다이오드는 CAGR 16.3%를 기록하며, 분석 기간 종료까지 18억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. SiC 파워 모듈 부문의 성장률은 분석 기간에 CAGR 20.6%로 추정됩니다.

미국 시장은 4억 8,910만 달러, 중국은 CAGR 23.8%로 성장 예측

미국의 SiC 파워 디바이스 시장은 2024년에 4억 8,910만 달러로 추정됩니다. 세계 2위의 경제대국인 중국은 2030년까지 11억 달러의 시장 규모에 달할 것으로 예측되며, 분석 기간인 2024-2030년의 CAGR은 23.8%입니다. 기타 주목할 만한 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있으며, 분석 기간 중 CAGR은 각각 13.9%와 16.4%로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 약 14.6%로 성장할 것으로 예측됩니다.

세계의 "SiC 파워 디바이스" 시장 - 주요 동향과 촉진요인 정리

SiC 파워 디바이스가 고효율 전력 변환에 혁명을 일으키는 이유는 무엇인가?

실리콘 카바이드(SiC) 파워 디바이스는 기존의 실리콘 기반 반도체를 능가하는 뛰어난 효율, 열 성능 및 스위칭 속도를 제공함으로써 전 세계 파워 일렉트로닉스에 지각변동을 일으키고 있습니다. 이러한 광대역 갭 디바이스는 고전압을 지원하고 고온에서 작동하도록 설계되어 전기자동차(EV), 재생에너지 시스템, 산업용 드라이브, 항공우주, 스마트 그리드 인프라 등 고전력 용도에 적합합니다. 더 높은 절연 파괴 전기장, 더 넓은 밴드 갭, 더 높은 열전도율 등 SiC의 기본 특성은 더 작고, 더 빠르고, 더 에너지 효율적인 시스템을 설계할 수 있게 해줍니다. 예를 들어 EV에서는 SiC 기반 MOSFET 및 쇼트키 다이오드가 트랙션 인버터 및 차량용 충전기에 사용되어 주행거리를 크게 향상시키고 충전 시간을 단축하고 있습니다. 태양광 인버터에서는 전력 손실을 줄이고 고주파 동작을 가능하게 하여 수동 부품의 크기를 최소화할 수 있습니다. 기존 실리콘 IGBT 및 다이오드에 비해 SiC 소자는 전도 손실 및 스위칭 손실이 감소하고 전력 밀도가 높으며 작동 수명이 깁니다. 이러한 특성은 단순히 시스템 성능을 향상시킬 뿐만 아니라 차세대 전원 관리 시스템에서 기술적으로나 상업적으로 실현 가능한 것을 정의합니다.

재료 및 제조의 발전은 어떻게 SiC 장비의 채택을 가속화하고 있는가?

SiC 웨이퍼 기술, 디바이스 아키텍처 및 제조 공정의 급속한 발전은 SiC 파워 디바이스의 비용 절감과 성능 향상에 매우 중요한 역할을 하고 있으며, SiC 웨이퍼가 4인치에서 6인치로, 그리고 현재 8인치로 이동함에 따라 제조 수율과 규모의 경제가 크게 개선되어 SiC 디바이스는 실리콘 디바이스에 비해 비용 경쟁력이 높아졌습니다. 경제성이 크게 개선되어 SiC 디바이스는 실리콘 디바이스에 비해 비용 경쟁력이 높아졌습니다. 트렌치 MOSFET 구조, JFET, 게이트 드라이버 내장 하이브리드 모듈 등의 기술 혁신은 온 저항을 최소화하면서 전류 처리, 전압 차단, 열 성능을 향상시켰습니다. 웨이퍼의 박형화, 첨단 에피택셜 성장 기술, 결함 밀도 감소를 통해 디바이스의 신뢰성을 향상시켜 3.3kV 이상의 고전압 SiC 모듈을 개발할 수 있게 되었습니다. 또한 소결은 양면 냉각, 기판 없는 모듈과 같은 새로운 포장 기술은 더 나은 열 관리와 고집적화를 가능하게 하고 있습니다. 이러한 발전은 정교한 시뮬레이션 툴과 AI 지원 설계 워크플로우로 보완되어 시장 출시 시간을 단축하고 기능 예측 가능성을 향상시키고 있습니다. 또한 SiC 파운드리, 장비 제조업체 및 자동차 OEM 간의 협업은 산업 검증을 가속화하고 세계 공급망 준비를 가속화하고 있습니다. 재료 순도, 가공 정확도 및 확장성이 향상됨에 따라 SiC는 고성능 파워 일렉트로닉스의 틈새 시장에서 주류로 빠르게 이동하고 있습니다.

SiC 파워 디바이스가 업계에 가장 큰 영향을 미치는 곳은 어디인가?

SiC 파워 디바이스는 전력 효율, 소형화, 열적 견고성이 미션 크리티컬한 산업 전반에 깊숙이 침투하고 있습니다. 전기자동차(EV) 분야는 SiC 디바이스의 가장 크고 빠르게 성장하는 소비처로, 메인 트랙션 인버터, DC-DC 컨버터, 차량용 충전기에 사용되고 있습니다. 테슬라, BYD, 현대, 폭스바겐 등 주요 자동차 제조업체들은 SiC 모듈을 통합하여 주행거리 연장, 충전 속도 향상, 열효율 향상을 실현하고 있습니다. 재생에너지 분야, 특히 태양광 및 풍력발전 분야에서 SiC 기반 인버터는 전력 변환 효율을 개선하고 폼팩터를 소형화하여 설치 및 정비를 용이하게 합니다. 모터 드라이브, 로봇 공학, 무정전 전원 공급 장비(UPS)와 같은 산업 용도는 스위칭 동작을 개선하고 열악한 조건에서 내구성을 향상시키기 위해 SiC를 활용하고 있습니다. 항공우주 및 방위 분야에서는 내방사선성과 신뢰성이 중요한 인공위성, 레이더 시스템, 전력 서브시스템에 SiC 부품이 채택되고 있습니다. 스마트 그리드 시스템과 고압직류송전(HVDC)은 SiC 기반 컨버터와 차단기가 제공하는 고속 스위칭과 전력 밀도의 이점을 누리고 있습니다. 데이터센터에서도 SiC는 배전 장비(PDU) 및 서버 전원 공급 장비의 에너지 효율을 개선하고 냉각의 필요성을 줄이기 위해 연구되고 있습니다. 이러한 다양한 용도는 전체 전기화 밸류체인에서 SiC의 혁신 가능성을 입증하고 있습니다.

SiC 파워 디바이스 시장의 성장은 전기화 추세, 성능 요구, 공급망 성숙도를 반영하는 몇 가지 요인에 의해 주도되고 있습니다.

SiC 파워 디바이스 시장을 발전시키는 가장 강력한 요인은 전 세계 전기화(특히 운송 및 재생에너지)로의 전환입니다. 전기자동차의 급증으로 고효율 인버터 및 급속 충전 솔루션에 대한 수요가 크게 증가하고 있으며, SiC는 기존 실리콘 부품보다 우수합니다. 특히 중국, 유럽, 미국에서는 클린 모빌리티와 탄소 중립 목표를 추진하는 정부 지침과 인센티브가 이러한 채택을 강화하고 있습니다. 태양광발전소, 풍력 터빈, 그리드 스토리지에서 고전압, 소형, 고신뢰성 전력 시스템에 대한 수요가 증가함에 따라 SiC의 보급이 가속화되고 있습니다. 공급 측면에서는 Wolfspeed, ST마이크로일렉트로닉스, 로옴, 인피니언, 온세미컨덕터와 같은 기업의 주조 능력 확대로 인해 재료의 가용성과 비용 효율성이 향상되고 있습니다. 또한 SiC 기반 R&D 및 수직 통합 전략에 대한 투자 증가로 웨이퍼 품질, 디바이스 일관성 및 장기 공급 안정성이 향상되고 있습니다. 데이터센터, 항공우주 시스템, 산업용 모터의 열 및 전력 밀도 요구는 특히 기존 실리콘이 성능의 한계에 도달한 상황에서 SiC의 관련성을 더욱 높이고 있습니다. 한편, 시뮬레이션 소프트웨어, 구동 회로, 교육 리소스를 포함한 설계 생태계의 성숙은 OEM 및 설계자의 채택 장벽을 낮추고 있습니다. 전동화 목표, 성능 임계치, 법규의 추진력, 제조 준비 등 이러한 추세들이 결합되어 세계 SiC 전력 소자 시장은 활기찬 고성장 궤도를 형성하고 있습니다.

부문

제품 유형(SiC 다이오드, SiC 파워 모듈, SiC MOSFET, SiC 게이트 드라이버); 용도(인버터/컨버터 용도, 전원 용도, 모터 구동 용도, 태양광발전/에너지 저장 시스템 용도, 플렉서블 AC 전송 시스템 용도, RF 기기/휴대폰 기지국 용도, 기타 용도); 최종 용도(항공우주·방위 최종 용도, 가전제품 최종 용도, IT·통신 최종 용도, 자동차·운송 최종 용도, 기타 최종 용도)

조사 대상 기업의 예(주목 32사)

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사의 국가, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기반으로 기업의 경쟁력 변화를 예측했습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 인위적인 수입원가 증가, 수익성 감소, 공급망 재편 등 미시적 및 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예측됩니다.

Global Industry Analysts는 세계 주요 수석 이코노미스트(1,4,949명), 싱크탱크(62개 기관), 무역 및 산업 단체(171개 기관)의 전문가들의 의견을 면밀히 검토하여 생태계에 미치는 영향을 평가하고 새로운 시장 현실에 대응하고 있습니다. 모든 주요 국가의 전문가와 경제학자들이 관세와 그것이 자국에 미치는 영향에 대한 의견을 추적 조사했습니다.

Global Industry Analysts는 이러한 혼란이 향후 2-3개월 내에 마무리되고 새로운 세계 질서가 보다 명확하게 확립될 것으로 예상하고 있으며, Global Industry Analysts는 이러한 상황을 실시간으로 추적하고 있습니다.

2025년 4월: 협상 단계

이번 4월 보고서에서는 관세가 세계 시장 전체에 미치는 영향과 지역별 시장 조정에 대해 소개합니다. 당사의 예측은 과거 데이터와 진화하는 시장 영향요인을 기반으로 합니다.

2025년 7월: 최종 관세 재설정

무료 업데이트 각국의 최종 리셋이 발표된 후, 7월에 무료 업데이트 버전을 고객님들께 제공해 드립니다. 최종 업데이트 버전에는 명확하게 정의된 관세 영향 분석이 포함되어 있습니다.

상호 및 양자 간 무역과 관세의 영향 분석 :

미국 <gt; 중국 <gt; 멕시코 <gt; 캐나다 <gt;EU <gt; 일본 <gt; 인도 <gt; 기타 176개국

업계 최고의 이코노미스트: Global Industry Analysts의 지식 기반은 국가, 싱크탱크, 무역 및 산업 단체, 대기업, 그리고 세계 계량 경제 상황의 전례 없는 패러다임 전환의 영향을 공유하는 분야별 전문가 등 가장 영향력 있는 수석 이코노미스트 그룹을 포함한 14,949명의 이코노미스트를 추적하고 있습니다. 16,491개 이상의 보고서 대부분에 마일스톤에 기반한 2단계 출시 일정이 적용되어 있습니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 개요

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

KSA
영문 목차

영문목차

Global SiC Power Device Market to Reach US$4.9 Billion by 2030

The global market for SiC Power Device estimated at US$1.8 Billion in the year 2024, is expected to reach US$4.9 Billion by 2030, growing at a CAGR of 18.4% over the analysis period 2024-2030. SiC Diode, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 16.3% CAGR and reach US$1.8 Billion by the end of the analysis period. Growth in the SiC Power Module segment is estimated at 20.6% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$489.1 Million While China is Forecast to Grow at 23.8% CAGR

The SiC Power Device market in the U.S. is estimated at US$489.1 Million in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$1.1 Billion by the year 2030 trailing a CAGR of 23.8% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 13.9% and 16.4% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 14.6% CAGR.

Global "SiC Power Device" Market - Key Trends & Drivers Summarized

Why Are SiC Power Devices Revolutionizing High-Efficiency Power Conversion?

Silicon carbide (SiC) power devices have emerged as a disruptive force in the global power electronics landscape, offering superior efficiency, thermal performance, and switching speed over traditional silicon-based semiconductors. These wide-bandgap devices are designed to handle higher voltages and operate at elevated temperatures, making them ideal for high-power applications such as electric vehicles (EVs), renewable energy systems, industrial drives, aerospace, and smart grid infrastructure. The fundamental properties of SiC-including a higher breakdown electric field, wider bandgap, and greater thermal conductivity-enable the design of smaller, faster, and more energy-efficient systems. In EVs, for instance, SiC-based MOSFETs and Schottky diodes are used in traction inverters and onboard chargers to significantly improve driving range and reduce charging time. In solar inverters, they reduce power losses and allow higher-frequency operation, minimizing the size of passive components. Compared to traditional silicon IGBTs and diodes, SiC devices offer reduced conduction and switching losses, greater power density, and longer operational lifespans. These attributes are not just improving system performance-they’re redefining what’s technologically and commercially viable in next-generation power management systems.

How Are Material And Fabrication Advances Accelerating SiC Device Adoption?

Rapid advancements in SiC wafer technology, device architecture, and manufacturing processes are playing a pivotal role in driving down costs and improving the performance of SiC power devices. The transition from 4-inch to 6-inch and now 8-inch SiC wafers has significantly improved fabrication yield and economies of scale, making SiC devices more cost-competitive with their silicon counterparts. Innovations such as trench MOSFET structures, JFETs, and hybrid modules with integrated gate drivers are enhancing current handling, voltage blocking, and thermal performance while minimizing on-resistance. Wafer thinning, advanced epitaxial growth techniques, and defect density reduction have improved device reliability and enabled the development of high-voltage SiC modules up to 3.3 kV and beyond. Moreover, new packaging technologies-such as sintered silver, double-sided cooling, and substrate-less modules-are enabling better thermal management and higher integration densities. These advances are complemented by sophisticated simulation tools and AI-assisted design workflows that shorten time-to-market and improve functional predictability. Additionally, collaborations between SiC foundries, equipment manufacturers, and automotive OEMs are fast-tracking industrial validation and accelerating global supply chain readiness. As material purity, processing precision, and scalability improve, SiC is rapidly transitioning from niche to mainstream in high-performance power electronics.

Where Are SiC Power Devices Making The Biggest Industry Impact?

SiC power devices are making deep inroads across industries where power efficiency, compactness, and thermal robustness are mission-critical. The electric vehicle (EV) sector is the largest and fastest-growing consumer of SiC devices, using them in main traction inverters, DC-DC converters, and onboard chargers. Major automotive manufacturers-including Tesla, BYD, Hyundai, and Volkswagen-are integrating SiC modules to achieve longer driving ranges, faster charging, and better thermal efficiency. In the renewable energy sector, particularly solar and wind power, SiC-based inverters improve power conversion efficiency and reduce form factors, making installation and maintenance easier. Industrial applications-such as motor drives, robotics, and uninterruptible power supplies (UPS)-leverage SiC for improved switching behavior and durability in harsh conditions. Aerospace and defense sectors deploy SiC components in satellites, radar systems, and power subsystems where radiation tolerance and reliability are critical. Smart grid systems and high-voltage DC (HVDC) transmission benefit from the high-speed switching and power density offered by SiC-based converters and breakers. Data centers, too, are exploring SiC to improve energy efficiency and reduce cooling needs in power distribution units (PDUs) and server power supplies. These varied applications underscore SiC’s transformative potential across the electrification value chain.

The Growth In The SiC Power Device Market Is Driven By Several Factors That Reflect Electrification Trends, Performance Demands, And Supply Chain Maturity

The global shift toward electrification-especially in transportation and renewable energy-is the most powerful driver propelling the SiC power device market forward. The surging production of electric vehicles has significantly increased demand for high-efficiency inverters and fast-charging solutions, where SiC outperforms traditional silicon components. Government mandates and incentives promoting clean mobility and carbon-neutral targets are reinforcing this adoption, particularly in China, Europe, and the U.S. The growing need for high-voltage, compact, and reliable power systems in solar farms, wind turbines, and grid storage is also accelerating SiC deployment. On the supply side, the expansion of foundry capabilities, notably by companies like Wolfspeed, STMicroelectronics, Rohm, Infineon, and ON Semiconductor, is improving material availability and cost efficiency. Additionally, rising investments in SiC-based R&D and vertical integration strategies are enhancing wafer quality, device consistency, and long-term supply security. Thermal and power density demands from data centers, aerospace systems, and industrial motors further drive SiC’s relevance, especially as conventional silicon hits performance ceilings. Meanwhile, the maturation of design ecosystems-including simulation software, drive circuitry, and training resources-is lowering adoption barriers for OEMs and designers. Together, these trends-involving electrification goals, performance thresholds, regulatory tailwinds, and manufacturing readiness-are shaping a vibrant, high-growth trajectory for the global SiC power device market.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the SiC Power Device market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Product Type (SiC Diode, SiC Power Module, SiC MOSFETs, SiC Gate Driver); Application (Inverter / Converter Application, Power Supply Application, Motor Drive Application, Photovoltaic / Energy Storage Systems Application, Flexible AC Transmission Systems Application, RF Devices & Cellular Base Stations Application, Other Applications); End-Use (Aerospace & Defense End-Use, Consumer Electronics End-Use, IT & Telecommunication End-Use, Automotive & Transportation End-Use, Other End-Uses)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; Spain; Russia; and Rest of Europe); Asia-Pacific (Australia; India; South Korea; and Rest of Asia-Pacific); Latin America (Argentina; Brazil; Mexico; and Rest of Latin America); Middle East (Iran; Israel; Saudi Arabia; United Arab Emirates; and Rest of Middle East); and Africa.

Select Competitors (Total 32 Featured) -

TARIFF IMPACT FACTOR

Our new release incorporates impact of tariffs on geographical markets as we predict a shift in competitiveness of companies based on HQ country, manufacturing base, exports and imports (finished goods and OEM). This intricate and multifaceted market reality will impact competitors by artificially increasing the COGS, reducing profitability, reconfiguring supply chains, amongst other micro and macro market dynamics.

We are diligently following expert opinions of leading Chief Economists (14,949), Think Tanks (62), Trade & Industry bodies (171) worldwide, as they assess impact and address new market realities for their ecosystems. Experts and economists from every major country are tracked for their opinions on tariffs and how they will impact their countries.

We expect this chaos to play out over the next 2-3 months and a new world order is established with more clarity. We are tracking these developments on a real time basis.

As we release this report, U.S. Trade Representatives are pushing their counterparts in 183 countries for an early closure to bilateral tariff negotiations. Most of the major trading partners also have initiated trade agreements with other key trading nations, outside of those in the works with the United States. We are tracking such secondary fallouts as supply chains shift.

To our valued clients, we say, we have your back. We will present a simplified market reassessment by incorporating these changes!

APRIL 2025: NEGOTIATION PHASE

Our April release addresses the impact of tariffs on the overall global market and presents market adjustments by geography. Our trajectories are based on historic data and evolving market impacting factors.

JULY 2025 FINAL TARIFF RESET

Complimentary Update: Our clients will also receive a complimentary update in July after a final reset is announced between nations. The final updated version incorporates clearly defined Tariff Impact Analyses.

Reciprocal and Bilateral Trade & Tariff Impact Analyses:

USA <> CHINA <> MEXICO <> CANADA <> EU <> JAPAN <> INDIA <> 176 OTHER COUNTRIES.

Leading Economists - Our knowledge base tracks 14,949 economists including a select group of most influential Chief Economists of nations, think tanks, trade and industry bodies, big enterprises, and domain experts who are sharing views on the fallout of this unprecedented paradigm shift in the global econometric landscape. Most of our 16,491+ reports have incorporated this two-stage release schedule based on milestones.

COMPLIMENTARY PREVIEW

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TABLE OF CONTENTS

I. METHODOLOGY

II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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