시장보고서 | 연간정보서비스 | 맞춤형시장조사 | 메일링 | 비교리스트
세계의 에칭 공정 시장
Etch Process
상품코드 : 1757718
리서치사 : Global Industry Analysts, Inc.
발행일 : 2025년 06월
페이지 정보 : 영문 291 Pages
 라이선스 & 가격 (부가세 별도)
US $ 5,850 ￦ 8,009,000
PDF (Single User License) help
PDF 보고서를 1명만 이용할 수 있는 라이선스입니다. 인쇄는 가능하며 인쇄물의 이용 범위는 PDF 이용 범위와 동일합니다.
US $ 17,550 ￦ 24,027,000
PDF (Global License to Company and its Fully-owned Subsidiaries) help
PDF 보고서를 동일 기업의 모든 분이 이용할 수 있는 라이선스입니다. 인쇄는 가능하며 인쇄물의 이용 범위는 PDF 이용 범위와 동일합니다.


한글목차

에칭 공정 세계 시장은 2030년까지 85억 달러에 달할 전망

2024년에 74억 달러로 추정되는 에칭 공정 세계 시장은 2024년부터 2030년까지 CAGR 2.3%로 성장하여 2030년에는 85억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 이 보고서에서 분석되고 있는 부문 중 하나인 드라이 에칭은 CAGR 1.7%를 기록하며 분석 기간 종료시에는 55억 달러에 달할 것으로 예상됩니다. 웨트 에칭 부문의 성장률은 분석 기간 동안 CAGR 3.5%로 추정됩니다.

미국 시장은 20억 달러, 중국은 CAGR 4.4%로 성장 예측

미국의 에칭 공정 시장은 2024년에 20억 달러로 추정됩니다. 세계 2위 경제 대국인 중국은 2030년까지 16억 달러의 시장 규모에 달할 것으로 예측되며, 분석 기간인 2024-2030년 CAGR은 4.4%를 기록할 것으로 예상됩니다. 기타 주목할 만한 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있고, 분석 기간 동안 CAGR은 각각 0.9%와 1.7%로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 1.2%로 성장할 것으로 예측됩니다.

세계의 에칭 공정 시장 - 주요 동향과 촉진요인 정리

에칭 공정이 반도체 제조 및 소자 미세화의 핵심인 이유는 무엇일까?

에칭 공정은 반도체 제조의 기본 단계이며, 집적 회로 및 마이크로 전자 장치를 형성하기 위해 실리콘 웨이퍼에 박막을 정밀하게 패턴화하고 구조화하여 실리콘 웨이퍼에 박막을 형성할 수 있게 합니다. 에칭 공정은 화학적, 플라즈마적 또는 이온 기반 방식으로 재료를 선택적으로 제거하여 트랜지스터, 상호연결, 비아 등의 회로 특징을 나노미터 수준의 정밀도로 정의합니다(예: FinFET, GAA(Gate All Around) 트랜지스터, 3D NAND 등). 평면 구조에서 3D 구조로 디바이스 아키텍처가 복잡해짐에 따라 첨단 에칭 기술의 중요성은 비약적으로 증가하고 있습니다. 에칭은 FEOL(Front End of Line)과 BEOL(Back End of Line) 공정 모두에서 사용되며, 중요한 치수, 측벽 각도, 깊이 프로파일을 제어할 수 있는 능력은 소자의 성능, 수율, 신뢰성에 직접적인 영향을 미칩니다. 또한, 극자외선(EUV) 리소그래피의 등장으로 멀티패터닝 기술은 정확한 오버레이 정렬과 에칭 충실도를 요구하기 때문에 에칭 공정이 더욱 중요해졌습니다. 메모리 및 로직 제조에서 에칭 화학 및 챔버 설계의 혁신은 그 어느 때보다 미세한 노드 및 수직 적층 레이어를 구현할 수 있게 해줍니다. 이는 로직, 메모리, 아날로그, RF 애플리케이션에서 디바이스의 미세화, 성능 최적화 및 기능 통합을 지속적으로 실현하는 데 중요한 요소입니다.

기술 혁신은 에칭 공정의 정확도와 범위를 어떻게 향상시키고 있는가?

에칭 공정 기술의 발전은 특성 정의, 선택성 및 재료의 무결성에 대한 탁월한 제어를 제공함으로써 반도체 제조 역량을 재구성하고 있습니다. 반응성 이온 에칭(RIE), 유도 결합 플라즈마(ICP), 원자층 에칭(ALE)은 첨단 칩 설계에서 초박막, 고종횡비 기능을 구현하는 데 필수적인 기술이 되었습니다. 특히 ALE는 연속적인 에칭 사이클을 통해 원자 수준의 정밀도를 실현하고, 고유전율 재료 및 2차원 재료와 같은 섬세한 재료를 손상 없이 패터닝할 수 있습니다. 공정 엔지니어들은 3D NAND 및 스택형 DRAM 셀과 같은 다층 구조에서 중요한 측면 침식을 최소화하면서 재료 간의 선택적 에칭을 가능하게 하는 새로운 화학을 개발하고 있습니다. 실시간 발광 분광법 및 엔드포인트 감지 시스템과 같은 in-situ 측정 도구와의 통합을 통해 폐쇄 루프 공정 제어가 가능하여 재현성과 수율을 향상시킬 수 있습니다. 또한, 머신러닝 알고리즘과 디지털 트윈 모델을 에칭 레시피 개발 및 장비 유지보수에 통합하여 공정의 예측 가능성을 높이고 다운타임을 최소화할 수 있습니다. 에칭 시스템 또한 화합물 반도체(GaN, SiC), 첨단 층간 절연막, EUV 리소그래피에 사용되는 스핀온 하드마스크 등 보다 광범위한 재료에 대응할 수 있도록 진화하고 있습니다. 이종 통합, 칩렛 설계, 첨단 패키징 기술을 채택하는 칩 제조업체가 늘어남에 따라 에칭 애플리케이션의 범위는 계속 확대되고 있으며, 양자 컴퓨팅에서 AI 가속기까지 차세대 전자제품을 구현하는 데 필수적인 요소로 자리매김하고 있습니다. 요소로 자리 잡고 있습니다.

다양한 반도체 분야에서 첨단 에칭 공정에 대한 수요가 증가하는 이유는 무엇일까?

업계의 요구가 고기능, 고집적화, 저전력으로 전환됨에 따라 여러 반도체 분야에서 첨단 에칭 공정에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 로직 분야에서는 파운드리 및 IDM이 5nm 이하의 적극적인 공정 노드를 도입하고 있으며, 고도의 이방성 에칭 프로파일, 고감도 층의 최소 손상, 트랜지스터 게이트 및 접점의 초박형 피처 정의가 요구되고 있습니다. 메모리 분야, 특히 3D NAND와 DRAM에서는 여러 층을 관통하는 깊고 좁은 균일한 수직 채널을 에칭하는 것이 최신 에칭 시스템이 해결해야 할 중요한 과제이며, RF 및 아날로그 반도체 시장 또한 고주파 및 고전압 특성을 가진 소자 제조에 있어 정밀 에칭에 의존하고 있습니다. 전통적인 실리콘을 넘어 파워 일렉트로닉스, 자동차 시스템, 5G 인프라에서 화합물 반도체의 채택이 증가함에 따라 SiC, GaN, InP 기판에 적합한 맞춤형 에칭 화학제품 및 공정에 대한 필요성이 증가하고 있습니다. 소비자 전자제품에서 마이크로 전기 기계 시스템(MEMS), 센서, 광소자의 등장은 에칭 기술의 응용 분야를 더욱 확대할 것입니다. 또한, TSV(Through Silicon Via), FOWLP(Fan Out Wafer Level Packaging), 칩 적층과 같은 첨단 패키징 기법은 상호연결 형성 및 기판 박형화를 위해 정밀 에칭에 크게 의존하고 있습니다. 제조업체들은 다양한 재료, 아키텍처 및 생산량에 걸쳐 확장성과 적응성을 겸비한 솔루션을 찾고 있으며, 이러한 산업 전반에 걸친 채택은 에칭 툴과 공정 전문 지식의 전략적 가치를 높여주고 있습니다.

세계 에칭 공정 시장의 성장을 가속화하는 주요 촉진요인은 무엇인가?

세계 에칭 공정 시장의 성장은 반도체 산업이 더 작고, 더 빠르고, 더 전력 효율이 높은 디바이스로 진화하고 있는 몇 가지 상호 연관된 힘에 의해 주도되고 있습니다. 그 중 가장 중요한 것은 무어의 법칙과 무어-더-무어의 혁신을 끊임없이 추구하는 것으로, 보다 엄격한 기능 제어와 높은 종횡비를 요구하며, 모두 고도의 에칭에 의존하고 있습니다. 고성능 컴퓨팅(HPC), 5G, 인공지능(AI), 차량용 전자제품에 대한 폭발적인 수요로 인해 파운드리 업체들은 최첨단 제조 능력에 많은 투자를 하고 있으며, 에칭은 중요한 패터닝 공정에서 핵심적인 역할을 담당하고 있습니다. 또한, EUV 리소그래피의 보급은 라인 엣지 러프니스(LER) 제어, 마스크 충실도, 패턴 전사 정밀도를 위한 초정밀 에칭 공정을 필요로 하는 새로운 패터닝 과제를 도입했습니다. 또한, 3D NAND 및 HBM과 같은 수직 집적형 메모리 아키텍처로의 전환도 중요한 원동력이 되고 있습니다. 이러한 메모리 아키텍처는 깊고 좁은 에칭을 대규모로 처리하기 위해 높은 처리량과 높은 균일성을 갖춘 에칭 시스템이 필요합니다. 환경과 비용에 대한 우려도 시장에 영향을 미치고 있으며, 저 GWP 화학제품, 챔버 조정 기술, 에너지 효율이 높은 장비에 대한 기술 혁신을 촉진하고 있습니다. 지정학적 변화와 반도체 공급망의 지역화 노력은 각 국가별로 고유한 역량을 개발하도록 장려하고 있으며, 지역화된 툴 세트와 지원 서비스에 대한 수요를 더욱 촉진하고 있습니다. 장비 제조업체, 재료 공급업체, 공장 간의 협업은 특정 애플리케이션에 맞는 차세대 식각 솔루션의 공동 개발을 가속화하고 있습니다. 이러한 추진력을 종합하면, 에칭 공정은 반도체 기술의 지속적인 발전에 필수적일 뿐만 아니라 점점 더 중심적인 역할을 하고 있습니다.

부문

유형(드라이 에칭, 웨트 에칭), 용도(반도체, 파워 디바이스, 계측 기기, 자동차, 항공우주, 기타 용도)

조사 대상 기업 사례(총 48개사)

AI 통합

우리는 검증된 전문가 컨텐츠와 AI 툴을 통해 시장 정보와 경쟁 정보를 혁신하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 LLM 및 산업별 SLM 쿼리를 따르는 대신 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 방대한 양의 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사의 국가, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기반으로 기업의 경쟁력 변화를 예측하고 있습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 매출원가(COGS) 증가, 수익성 감소, 공급망 재편 등 미시적 및 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예상됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

ksm
영문 목차

영문목차

Global Etch Process Market to Reach US$8.5 Billion by 2030

The global market for Etch Process estimated at US$7.4 Billion in the year 2024, is expected to reach US$8.5 Billion by 2030, growing at a CAGR of 2.3% over the analysis period 2024-2030. Dry Etching, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 1.7% CAGR and reach US$5.5 Billion by the end of the analysis period. Growth in the Wet Etching segment is estimated at 3.5% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$2.0 Billion While China is Forecast to Grow at 4.4% CAGR

The Etch Process market in the U.S. is estimated at US$2.0 Billion in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$1.6 Billion by the year 2030 trailing a CAGR of 4.4% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 0.9% and 1.7% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 1.2% CAGR.

Global Etch Process Market - Key Trends & Drivers Summarized

Why Is the Etch Process Central to Semiconductor Fabrication and Device Miniaturization?

The etch process is a fundamental step in semiconductor manufacturing, enabling the precise patterning and structuring of thin films on silicon wafers to form integrated circuits and microelectronic devices. By selectively removing material through chemical, plasma, or ion-based methods, the etch process defines circuit features such as transistors, interconnects, and vias with nanometer-level accuracy. As device architectures become increasingly complex-moving from planar to 3D structures such as FinFETs, gate-all-around (GAA) transistors, and 3D NAND-the importance of advanced etch technologies has grown exponentially. Etching is used in both front-end-of-line (FEOL) and back-end-of-line (BEOL) processes, and its ability to control critical dimensions, sidewall angles, and depth profiles directly influences device performance, yield, and reliability. The rise of extreme ultraviolet (EUV) lithography has also made etch steps more critical, as multi-patterning techniques require precise overlay alignment and etch fidelity. In memory and logic manufacturing, innovations in etch chemistry and chamber design are enabling the realization of ever-smaller nodes and vertically stacked layers. As the semiconductor industry races toward sub-3nm nodes, the etch process is no longer just a supporting step-it is a key enabler of continued device scaling, performance optimization, and functional integration across logic, memory, analog, and RF applications.

How Are Technological Innovations Enhancing the Precision and Scope of Etch Processes?

Advancements in etch process technologies are reshaping the capabilities of semiconductor fabrication by delivering unmatched control over feature definition, selectivity, and material integrity. Reactive ion etching (RIE), inductively coupled plasma (ICP), and atomic layer etching (ALE) have become essential techniques for achieving ultra-thin, high-aspect-ratio features in advanced chip designs. ALE, in particular, offers atomic-scale precision through sequential etching cycles, enabling damage-free patterning of delicate materials such as high-k dielectrics and 2D materials. Process engineers are developing novel chemistries that provide selective etching between materials with minimal lateral erosion, which is critical in multilayer structures like 3D NAND or stacked DRAM cells. Integration with in-situ metrology tools, such as real-time optical emission spectroscopy and end-point detection systems, allows for closed-loop process control, improving repeatability and yield. Additionally, machine learning algorithms and digital twin models are being incorporated into etch recipe development and equipment maintenance to enhance process predictability and minimize downtime. Etch systems are also evolving to accommodate a broader range of materials, including compound semiconductors (GaN, SiC), advanced interlayer dielectrics, and spin-on hard masks used in EUV lithography. As more chipmakers adopt heterogeneous integration, chiplet designs, and advanced packaging technologies, the scope of etch applications continues to grow-making it an indispensable element in enabling next-generation electronics from quantum computing to AI accelerators.

Why Is Demand for Advanced Etch Processes Growing Across Diverse Semiconductor Segments?

The demand for advanced etch processes is increasing across multiple semiconductor segments as industry requirements shift toward higher functionality, greater integration, and lower power consumption. In the logic segment, foundries and IDMs are deploying aggressive process nodes below 5nm, which require highly anisotropic etch profiles, minimal damage to sensitive layers, and ultra-thin feature definition for transistor gates and contacts. In the memory sector, particularly for 3D NAND and DRAM, etching deep, narrow, and uniform vertical channels through multiple stacked layers is a critical challenge that modern etch systems must address. The RF and analog semiconductor markets also depend on precision etching for the fabrication of devices with high-frequency and high-voltage characteristics. Beyond traditional silicon, the growing adoption of compound semiconductors in power electronics, automotive systems, and 5G infrastructure is increasing the need for tailored etch chemistries and processes compatible with SiC, GaN, and InP substrates. The rise of micro-electromechanical systems (MEMS), sensors, and photonic devices in IoT, healthcare, and consumer electronics further expands the application space for etch technologies. Moreover, advanced packaging methods like through-silicon vias (TSVs), fan-out wafer-level packaging (FOWLP), and chip stacking rely heavily on precise etching for interconnect formation and substrate thinning. This cross-industry adoption is amplifying the strategic value of etch tools and process expertise, as manufacturers seek solutions that are both scalable and adaptable across a range of materials, architectures, and production volumes.

What Are the Key Drivers Accelerating the Growth of the Etch Process Market Worldwide?

The growth of the global etch process market is driven by several interrelated forces shaping the semiconductor industry’s evolution toward smaller, faster, and more power-efficient devices. Foremost among these is the relentless pursuit of Moore’s Law and More-than-Moore innovations, which demand tighter feature control and higher aspect ratios-both of which rely on advanced etching. The explosive demand for high-performance computing (HPC), 5G, artificial intelligence (AI), and automotive electronics is pushing foundries to invest heavily in leading-edge fabrication capabilities, where etch plays a central role in critical patterning steps. Additionally, the widespread deployment of EUV lithography has introduced new patterning challenges that require ultra-precise etch processes for line edge roughness (LER) control, mask fidelity, and pattern transfer accuracy. Another key driver is the global shift toward vertically integrated memory architectures, such as 3D NAND and HBM, which require high-throughput, high-uniformity etch systems to handle deep and narrow etching at scale. Environmental and cost concerns are also influencing the market, prompting innovations in low-GWP chemistries, chamber conditioning techniques, and equipment with higher energy efficiency. Geopolitical shifts and efforts to regionalize semiconductor supply chains are encouraging countries to develop indigenous etch process capabilities, further fueling demand for localized toolsets and support services. Collaborations between equipment manufacturers, materials providers, and fabs are accelerating the co-development of next-generation etch solutions tailored for specific applications. Collectively, these drivers are ensuring that the etch process remains not only essential but increasingly central to semiconductor technology’s continued progression.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the Etch Process market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Type (Dry Etching, Wet Etching); Application (Semiconductors, Power Devices, Instrumentation, Automotive, Aerospace, Other Applications)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; Spain; Russia; and Rest of Europe); Asia-Pacific (Australia; India; South Korea; and Rest of Asia-Pacific); Latin America (Argentina; Brazil; Mexico; and Rest of Latin America); Middle East (Iran; Israel; Saudi Arabia; United Arab Emirates; and Rest of Middle East); and Africa.

Select Competitors (Total 48 Featured) -

AI INTEGRATIONS

We're transforming market and competitive intelligence with validated expert content and AI tools.

Instead of following the general norm of querying LLMs and Industry-specific SLMs, we built repositories of content curated from domain experts worldwide including video transcripts, blogs, search engines research, and massive amounts of enterprise, product/service, and market data.

TARIFF IMPACT FACTOR

Our new release incorporates impact of tariffs on geographical markets as we predict a shift in competitiveness of companies based on HQ country, manufacturing base, exports and imports (finished goods and OEM). This intricate and multifaceted market reality will impact competitors by increasing the Cost of Goods Sold (COGS), reducing profitability, reconfiguring supply chains, amongst other micro and macro market dynamics.

TABLE OF CONTENTS

I. METHODOLOGY

II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

(주)글로벌인포메이션 02-2025-2992 kr-info@giikorea.co.kr
ⓒ Copyright Global Information, Inc. All rights reserved.
PC버전 보기