게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 시장 조사 보고서 : 산업 분석, 규모, 점유율, 성장, 동향, 예측(2024-2032년)
Global Gate-All-Around FET (GAAFET) Market Research Report - Industry Analysis, Size, Share, Growth, Trends and Forecast 2024 to 2032
상품코드 : 1513775
리서치사 : Value Market Research
발행일 : 2024년 07월
페이지 정보 : 영문 132 Pages
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한글목차

게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 시장의 세계 수요는 2023년 5,311만 달러에서 2032년에는 4억 9,055만 달러 근처 규모에 이를 것으로 추정되며, 예측 기간 동안 복합 연간 성장률(CAGR) 28.02%를 나타낼 전망입니다.

게이트 올 어라운드 FET(GAAFET)는 반도체 디바이스에 사용되는 고급 트랜지스터 아키텍처입니다. 기존의 FinFET과 달리 GAAFET은 채널을 둘러싸도록 게이트를 배치하여 전류 흐름을 보다 적절하게 제어하고 누설을 줄일 수 있습니다. 이 설계는 성능과 에너지 효율을 향상시키고 차세대 집적 회로 및 고성능 컴퓨팅 용도에 적합합니다. GAAFET 기술은 트랜지스터가 나노미터 스케일로 미세화되는 가운데 무어의 법칙을 계속하기 위해 매우 중요합니다.

시장 역학

게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 시장은 주로 고성능 컴퓨팅과 소비자용 전자기기에서 첨단 반도체 기술 수요에 의해 견인되고 있습니다. 보다 작고, 빠르고, 에너지 효율이 높은 트랜지스터에 대한 요구가 증가함에 따라, GAAFET은 기존 FinFET에 비해 정전기 제어가 뛰어나 누설 전류가 감소되어 실행 가능한 솔루션을 제공합니다. 기재되어 있습니다. 반도체 산업에서 무어 법칙의 지속적인 추진은 GAAFET 기술의 채택을 뒷받침하고 차세대 집적 회로의 개발을 가능하게 합니다. 또한 머신러닝, 인공지능, 사물 인터넷 용도에 대한 수요 증가는 고성능 트랜지스터를 필요로 하며 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 시장을 견인하고 있습니다.

기술 진보와 반도체 R&D에 대한 많은 투자는 GAAFET 기술의 성장에 기여하고 있습니다. 반도체 업계경쟁 구도은 각 회사가 기술적 우위와 시장 리더십 획득에 매진하고 있으며, GAAFET의 채용을 더욱 가속화하고 있습니다. 게다가 반도체 제조업체와 연구기관의 협력과 파트너십은 GAAFET 기술을 진보시키고 그 응용을 확대하는데 있어서 매우 중요합니다. 그러나 R&D의 높은 비용과 양산과 관련된 기술적 과제는 앞으로 몇 년동안 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET)의 성장을 어렵게 만들 수 있습니다.

조사 보고서는 포터의 Five Force 모델, 시장 매력 분석 및 밸류체인 분석을 다룹니다. 이러한 도구는 업계의 구조를 명확하게 파악하고 세계 수준에서 경쟁의 매력을 평가하는 데 도움이 됩니다. 또한, 이러한 툴은 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 시장에서 각 부문을 종합적으로 평가할 수 있습니다. 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 산업의 성장과 동향은 이 조사에 대한 전반적인 접근법을 설명합니다.

시장 세분화

게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 시장 보고서의 이 섹션에서는 국가별 및 지역별 부문에 대한 자세한 데이터를 제공하여 전략 담당자가 향후 비즈니스 기회와 함께 각 제품 및 서비스의 대상층을 확인하는 데 도움이 됩니다.

용도별

유형별

지역별 분석

이 섹션에서는 북미, 유럽, 아시아태평양, 라틴아메리카, 중동 및 아프리카의 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 시장의 현재 및 미래 수요에 대한 지역별 전망을 다룹니다. 또한이 보고서는 모든 주요 지역에서 개별 용도 부문 수요, 추정 및 예측에 중점을 둡니다.

맞춤 요구사항이 있는 경우 Google에 문의하세요. 당사의 설문조사팀은 고객의 요구에 따라 맞춤형 보고서를 제공할 수 있습니다.

목차

제1장 서문

제2장 주요 요약

제3장 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) : 산업 분석

제4장 밸류체인 분석

제5장 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 시장 분석 : 용도별

제6장 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 시장 분석 : 유형별

제7장 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 시장 분석 : 지역별

제8장 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 기업경쟁 구도

제9장 기업 프로파일

BJH
영문 목차

영문목차

The global demand for Gate-All-Around FET (GAAFET) Market is presumed to reach the market size of nearly USD 490.55 Million by 2032 from USD 53.11 Million in 2023 with a CAGR of 28.02% under the study period 2024-2032.

Gate-All-Around FET (GAAFET) is an advanced transistor architecture used in semiconductor devices. Unlike traditional FinFETs, GAAFETs have a gate surrounding the channel, providing better control over the current flow and reducing leakage. This design improves performance and energy efficiency, making it suitable for next-generation integrated circuits and high-performance computing applications. GAAFET technology is crucial for continuing Moore's Law as transistors shrink to nanometer scales.

MARKET DYNAMICS

The market for gate-all-around FET (GAAFET) is primarily driven by the demand for advanced semiconductor technologies in high-performance computing and consumer electronics. As the need for smaller, faster, and more energy-efficient transistors grows, GAAFETs provide a viable solution by offering better electrostatic control and reduced leakage compared to traditional FinFETs. The continuous push for Moore's Law in the semiconductor industry fuels the adoption of GAAFET technology, enabling the development of next-generation integrated circuits. Furthermore, the increasing demand for machine learning, artificial intelligence, and Internet of Things applications necessitates high-performance transistors, driving the gate-all-around FET (GAAFET)market.

Technological advancements and significant investments in semiconductor research and development also contribute to the growth of GAAFET technology. The competitive landscape of the semiconductor industry, with companies striving to achieve technological superiority and market leadership, further accelerates the adoption of GAAFETs. Additionally, collaborations and partnerships between semiconductor manufacturers and research institutions are crucial in advancing GAAFET technology and expanding its applications. However, the high cost of research and development and the technical challenges associated with mass production may challenge the growth of gate-all-around FET (GAAFET) in the coming years.

The research report covers Porter's Five Forces Model, Market Attractiveness Analysis, and Value Chain analysis. These tools help to get a clear picture of the industry's structure and evaluate the competition attractiveness at a global level. Additionally, these tools also give an inclusive assessment of each segment in the global market of Gate-All-Around FET (GAAFET). The growth and trends of Gate-All-Around FET (GAAFET) industry provide a holistic approach to this study.

MARKET SEGMENTATION

This section of the Gate-All-Around FET (GAAFET) market report provides detailed data on the segments at country and regional level, thereby assisting the strategist in identifying the target demographics for the respective product or services with the upcoming opportunities.

By Application

By Type

REGIONAL ANALYSIS

This section covers the regional outlook, which accentuates current and future demand for the Gate-All-Around FET (GAAFET) market across North America, Europe, Asia-Pacific, Latin America, and Middle East & Africa. Further, the report focuses on demand, estimation, and forecast for individual application segments across all the prominent regions.

The research report also covers the comprehensive profiles of the key players in the market and an in-depth view of the competitive landscape worldwide. The major players in the Gate-All-Around FET (GAAFET) market include Nvidia, NXP Semiconductors, GlobalFoundries, Intel Corporation, ASML Holding NV, Micron Technology, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Texas Instruments, Applied Materials, Qualcomm, SK Hynix, IBM, Advanced Micro Devices (AMD), Samsung Electronics, Broadcom Inc., . This section consists of a holistic view of the competitive landscape that includes various strategic developments such as key mergers & acquisitions, future capacities, partnerships, financial overviews, collaborations, new product developments, new product launches, and other developments.

In case you have any custom requirements, do write to us. Our research team can offer a customized report as per your need.

TABLE OF CONTENTS

1. PREFACE

2. EXECUTIVE SUMMARY

3. GATE-ALL-AROUND FET (GAAFET) - INDUSTRY ANALYSIS

4. VALUE CHAIN ANALYSIS

5. GLOBAL GATE-ALL-AROUND FET (GAAFET) MARKET ANALYSIS BY APPLICATION

6. GLOBAL GATE-ALL-AROUND FET (GAAFET) MARKET ANALYSIS BY TYPE

7. GLOBAL GATE-ALL-AROUND FET (GAAFET) MARKET ANALYSIS BY GEOGRAPHY

8. COMPETITIVE LANDSCAPE OF THE GATE-ALL-AROUND FET (GAAFET) COMPANIES

9. COMPANY PROFILES OF GATE-ALL-AROUND FET (GAAFET) INDUSTRY

Note - In company profiling, financial details and recent developments are subject to availability or might not be covered in the case of private companies

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