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게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 시장
Gate-All-Around FET (GAAFET)
상품코드 : 1798894
리서치사 : Market Glass, Inc. (Formerly Global Industry Analysts, Inc.)
발행일 : 2025년 08월
페이지 정보 : 영문 273 Pages
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한글목차

게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 세계 시장은 2030년까지 2억 4,860만 달러에 달할 전망

2024년에 6,540만 달러로 추정되는 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 세계 시장은 2030년에는 2억 4,860만 달러에 달하고, 분석 기간인 2024-2030년 CAGR은 24.9%로 성장할 것으로 예측됩니다. 이 보고서에서 분석한 부문 중 하나인 2 nm사이즈는 CAGR 22.1%를 기록하며 분석 기간 종료시에는 1억 3,310만 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 3 nm사이즈 부문의 성장률은 분석 기간 동안 CAGR 28.8%로 추정됩니다.

미국 시장은 1,780만 달러로 추정, 중국은 CAGR 32.5%로 성장 예측

미국의 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 시장은 2024년에 1,780만 달러로 추정됩니다. 세계 2위 경제 대국인 중국은 분석 기간 2024년부터 2030년까지 CAGR 32.5%로 성장하여 2030년에는 예측 시장 규모 5,960만 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 기타 주목할 만한 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있고, 분석 기간 동안 CAGR은 각각 20.3%와 22.2%로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 20.9%로 성장할 것으로 예측됩니다.

세계의 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 시장 - 주요 동향과 촉진요인 정리

게이트 올 어라운드 FET 아키텍처가 첨단 반도체 노드를 형성하는 이유

게이트 주변 전계 효과 트랜지스터(GAAFET)는 나노스케일 반도체 공정에서 트랜지스터 아키텍처의 다음 큰 발전으로 부상하고 있습니다. 채널의 3면에서 전류를 제어하는 FinFET과 달리, GAAFET은 채널의 전 면을 게이트 재료로 둘러싸고 정전기 제어를 강화합니다. 이 구성은 성능을 향상시키고, 누출을 줄이며, 3나노미터 이하로 디바이스를 더욱 미세화할 수 있도록 지원합니다.

기존의 플래너 및 핀펫 구조가 물리적, 전기적 한계에 도달한 가운데, GAAFET은 개선된 쇼트 채널 동작과 더 나은 임계값 전압 제어를 제공합니다. 주조업체들은 무어의 법칙에 따른 미세화를 지속하고, 모바일 프로세서, AI 가속기, 고속 네트워킹을 위한 고성능 저전력 칩을 제공하기 위해 GAAFET으로 전환하고 있습니다. 이 아키텍처는 다양한 게이트 폭을 지원하면서 보다 컴팩트한 레이아웃을 가능하게 하고, 전력 성능 최적화를 위한 설계 유연성을 높입니다.

GAAFET 채택을 위해 제조 공정과 재료는 어떻게 진화하고 있는가?

GAAFET을 구현하기 위해서는 재료와 공정 흐름에 큰 변화가 필요합니다. 주요 제조 공정에는 적층 나노시트 또는 나노와이어의 에피택셜 성장, 정밀 에칭, 컨포멀 게이트 증착 등이 있습니다. 게이트 길이의 균일성, 나노 시트의 간격, 내부 스페이서 형성은 전기적 특성과 수율을 유지하는 데 중요합니다. 치수 정확도를 유지하기 위해 High-k 메탈 게이트 스택, 고급 리소그래피, 원자층 증착이 사용됩니다.

디바이스 제조업체들은 또한 캐리어 이동도를 높이고 변동성을 줄이기 위해 스트레인 엔지니어링과 유전체 엔지니어링을 활용하고 있습니다. 멀티 Vt GAAFET 라이브러리는 파워 엔벨로프 전반에 걸쳐 보다 광범위한 설계를 커버하기 위해 개발되고 있습니다. EDA 툴체인은 GAAFET 토폴로지에 맞게 모델링 및 검증 흐름이 업데이트되어 기생 추출 및 전열 시뮬레이션을 지원합니다. 이러한 공정 및 설계의 적응은 2nm 및 2nm 이하 로직 노드에 원활하게 통합하기 위해 필요합니다.

GAAFET이 처음 도입될 것으로 예상되는 곳과 타겟이 되는 최종 용도는?

GAAFET의 초기 채택은 전력 효율과 밀도가 중요한 모바일 SoC, 데이터센터 CPU, AI 칩에 집중되어 있습니다. 주요 반도체 파운드리 및 IDM은 2nm급 생산부터 GAAFET 기반 노드의 상용화를 계획하고 있습니다. 고성능 컴퓨팅 애플리케이션은 특히 멀티 코어 아키텍처와 첨단 패키징 환경에서 GAAFET의 낮은 누설과 변동성 감소의 이점을 누릴 수 있습니다.

로직 칩 외에도 메모리, RF, 센서 통합에 대한 GAAFET의 응용 연구가 진행 중입니다. GAAFET의 우수한 정전기 특성은 엣지 컴퓨팅, AR/VR 프로세서, 자율 시스템의 에너지 효율을 향상시키고, 더 촘촘한 디바이스 패킹을 지원합니다. 설계 흐름, IP 생태계, 주조 지원이 성숙해짐에 따라 채택이 가속화될 것입니다. 열과 상호연결 문제가 해결되면 이종 3D IC와 칩렛에 통합될 것으로 예상됩니다.

게이트 올 어라운드 FET 시장의 성장 원동력은 무엇인가?

GAAFET 시장의 성장은 트랜지스터 미세화, 전력 효율 요구 사항, 첨단 노드 지원과 관련된 몇 가지 요인에 의해 주도되고 있습니다. 모바일, AI, 고성능 컴퓨팅 분야에서 3nm 이하 반도체에 대한 수요가 증가함에 따라 게이트 올 어라운드 아키텍처의 채택이 가속화되고 있습니다. 나노 시트 제조, 스페이서 엔지니어링, 게이트 재료 성막의 발전으로 상업적 실현이 가능해졌습니다. 또한, GAAFET 플랫폼으로의 주조 전환, 성능 및 밀도 트레이드오프에 대한 요구 증가, 설계 지원 도구 및 공정 통합 전략의 지속적인 개발도 개발을 뒷받침하고 있습니다. FinFET의 제약이 강화되는 가운데, GAAFET은 차세대 반도체 소자의 성능과 에너지 스케일링을 유지하기 위해 필수적인 요소로 자리 잡고 있습니다.

부문

사이즈(2nm 사이즈, 3nm 사이즈), 용도(인버터 및 UPS 용도, 가전제품 용도, 산업 시스템 용도)

조사 대상 기업 사례

AI 통합

우리는 검증된 전문가 컨텐츠와 AI 툴을 통해 시장 정보와 경쟁 정보를 혁신하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 LLM 및 업계 고유의 SLM을 조회하는 일반적인 규범을 따르는 대신 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 방대한 양의 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사 소재지, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기준으로 기업의 경쟁력 변화를 예측하고 있습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 매출원가(COGS) 증가, 수익성 하락, 공급망 재편 등 미시적, 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예상됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

KSM
영문 목차

영문목차

Global Gate-All-Around FET (GAAFET) Market to Reach US$248.6 Million by 2030

The global market for Gate-All-Around FET (GAAFET) estimated at US$65.4 Million in the year 2024, is expected to reach US$248.6 Million by 2030, growing at a CAGR of 24.9% over the analysis period 2024-2030. 2nm Size, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 22.1% CAGR and reach US$133.1 Million by the end of the analysis period. Growth in the 3nm Size segment is estimated at 28.8% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$17.8 Million While China is Forecast to Grow at 32.5% CAGR

The Gate-All-Around FET (GAAFET) market in the U.S. is estimated at US$17.8 Million in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$59.6 Million by the year 2030 trailing a CAGR of 32.5% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 20.3% and 22.2% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 20.9% CAGR.

Global Gate-All-Around FET (GAAFET) Market - Key Trends & Drivers Summarized

Why Is Gate-All-Around FET Architecture Reshaping Advanced Semiconductor Nodes?

Gate-All-Around Field Effect Transistors (GAAFETs) are emerging as the next major advancement in transistor architecture for nanoscale semiconductor processes. Unlike FinFETs, which control current from three sides of the channel, GAAFETs surround the channel with gate material on all sides, providing enhanced electrostatic control. This configuration improves performance, reduces leakage, and supports further device scaling below 3 nanometers.

As traditional planar and FinFET structures approach physical and electrical limits, GAAFETs offer improved short-channel behavior and better threshold voltage control. Foundries are transitioning to GAAFETs to continue Moore’s Law scaling and deliver high-performance, low-power chips for mobile processors, AI accelerators, and high-speed networking. The architecture allows more compact layouts while supporting variations in gate width, offering enhanced design flexibility for power-performance optimization.

How Are Fabrication Processes and Materials Evolving to Enable GAAFET Adoption?

GAAFET implementation requires significant changes in materials and process flow. Key fabrication steps include epitaxial growth of stacked nanosheets or nanowires, precision etching, and conformal gate deposition. Gate length uniformity, nanosheet spacing, and inner spacer formation are critical for maintaining electrical characteristics and yield. High-k metal gate stacks, advanced lithography, and atomic layer deposition are used to maintain dimensional accuracy.

Device manufacturers are also leveraging strain engineering and dielectric engineering to enhance carrier mobility and reduce variability. Multi-Vt GAAFET libraries are being developed to offer broader design coverage across power envelopes. EDA toolchains are adapting to GAAFET topologies, with updated modeling and verification flows to support parasitic extraction and electrothermal simulation. These process and design adaptations are necessary for smooth integration into 2 nm and sub-2 nm logic nodes.

Where Are GAAFETs Expected to Be Deployed First and Which End-Uses Are Targeted?

Initial GAAFET adoption is focused on mobile SoCs, data center CPUs, and AI chips where power efficiency and density are critical. Leading semiconductor foundries and IDMs are planning commercial deployment of GAAFET-based nodes starting with 2 nm-class production. High-performance computing applications benefit from GAAFET’s low leakage and reduced variability, especially in multi-core architectures and advanced packaging environments.

Beyond logic chips, there is ongoing research into GAAFET application in memory, RF, and sensor integration. Their superior electrostatics support tighter device packing, enabling improved energy efficiency in edge computing, AR/VR processors, and autonomous systems. Adoption will accelerate as design flows, IP ecosystems, and foundry support mature. Integration into heterogeneous 3D ICs and chiplets is expected to follow as thermal and interconnect challenges are addressed.

What Is Driving Growth in the Gate-All-Around FET Market?

Growth in the GAAFET market is driven by several factors related to transistor scaling, power efficiency requirements, and advanced node readiness. Demand for sub-3 nm semiconductors in mobile, AI, and high-performance computing is pushing adoption of gate-all-around architecture. Advances in nanosheet fabrication, spacer engineering, and gate material deposition are enabling commercial viability. Growth is also supported by foundry transitions to GAAFET platforms, increasing need for performance-density tradeoffs, and continued development of design enablement tools and process integration strategies. As FinFET limitations intensify, GAAFET becomes essential for sustaining performance and energy scaling in next-generation semiconductor devices.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the Gate-All-Around FET (GAAFET) market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Size (2nm Size, 3nm Size); Application (Inverters & UPS Application, Consumer Electronics Application, Industrial Systems Application)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; Spain; Russia; and Rest of Europe); Asia-Pacific (Australia; India; South Korea; and Rest of Asia-Pacific); Latin America (Argentina; Brazil; Mexico; and Rest of Latin America); Middle East (Iran; Israel; Saudi Arabia; United Arab Emirates; and Rest of Middle East); and Africa.

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TABLE OF CONTENTS

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II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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