Stratistics MRC에 따르면 세계의 SiC 디바이스 시장은 2025년에 40억 2,000만 달러를 차지하고, 예측 기간 동안 CAGR은 24.7%를 나타내, 2032년에는 188억 8,000만 달러에 이를 전망입니다.
고출력, 고온, 고주파 용도로 현저한 성능을 발휘하는 첨단 반도체 부품으로 알려진 것이 SiC 디바이스입니다. SiC는 종래의 실리콘 베이스 기기보다 밴드 갭이 넓고, 열전도율이 높고, 전계 파괴가 강한 등의 뛰어난 특성을 가지고 있습니다. SiC 디바이스는 전기자동차, 파워 일렉트로닉스, 신재생 에너지 시스템, 우주 항공 응용 분야에 사용하기에 이상적이며, 이러한 장점은 엄격한 조건에서도 보다 효과적이고 신뢰할 수 있는 기능을 발휘할 수 있습니다. 또한 SiC 기술은 에너지 손실을 줄이고 전력 밀도를 높이는 능력을 갖기 때문에 차세대 전자 시스템에서 점점 인기가 높아지고 있습니다.
미국 에너지부의 팩트 시트에 의하면, SiC 파워 일렉트로닉 기기는 접합부 온도 600℃까지 견딜 수 있어 고전압, 고 스위칭 주파수, 고전류 밀도로 동작할 수 있습니다. 이러한 능력은 전력 시스템에서 에너지 효율을 크게 향상시킵니다.
전기자동차(EV)의 보급 확대
SiC 디바이스 시장을 밀어 올리는 주요 요인 중 하나는 전기자동차(EV) 산업입니다. SiC 기반 MOSFET과 다이오드는 기존 실리콘 장비보다 높은 전압과 온도를 견디고 효율을 향상시키고 에너지 손실을 최소화할 수 있어 EV 파워트레인, 자동차 충전기(OBC), DC-DC 컨버터에서의 사용이 점점 늘어나고 있습니다. 항속 거리의 연장, 냉각 시스템의 소형화, 급속 충전은 모두 이러한 특성의 장점이며, EV 시장에서 중요한 판매 포인트가 되고 있습니다. 게다가 EV의 생산이 세계적으로 계속 증가하고 있으며 정부의 규제가 점차 전동화를 추진하고 있기 때문에 SiC 기기 수요는 급증할 것으로 예측됩니다.
엄청난 제조 비용 및 재료 비용
SiC 디바이스의 제조 비용이 기존 실리콘 기반 부품에 비해 높다는 것이 SiC 디바이스의 보급을 방해하는 가장 큰 장애 중 하나입니다. SiC 결정은 성장이 어렵고 가공에 시간이 걸리고 수율도 낮기 때문에 고품질의 SiC 웨이퍼를 제조하는 비용은 현저하게 높아집니다. 예를 들어, SiC 웨이퍼는 고온의 화학 기상 성장법(CVD)을 필요로 하며, 결함이 없는 결정 구조를 얻기가 어려운 반면, 실리콘 웨이퍼는 확립된 경제적으로 최적화된 인프라로 대량 생산됩니다. 게다가, SiC 기판과 에피택셜 층은 실리콘의 몇 배 고가입니다.
스마트 그리드 및 재생에너지 시스템과의 통합
SiC 기기는 세계 에너지 믹스가 재생에너지원으로 전환하는 가운데, 태양광 인버터, 풍력 터빈, 축전지 시스템, 스마트 그리드 용도에 있어서 전력 변환 효율과 시스템의 신뢰성을 향상시키는 위치에 있습니다. 특히 유틸리티 스케일 설비에서는 SiC 기반 구성 요소가 더 높은 전압과 주파수에서 작동하므로 보다 컴팩트하고 효과적인 인버터가 가능합니다. 게다가, 스마트 그리드의 현대화는 고속 스위칭, 정확한 제어, 양방향 파워 플로우를 가능하게 하는 고성능 파워 일렉트로닉스를 필요로 하며, 모두 SiC의 장점입니다. 청정 에너지와 그리드 회복력은 정부와 에너지 회사로부터 많은 투자를 받고 있으며, 이러한 부문에서 SiC 기술의 강력한 성장 환경을 촉진하고 있습니다.
공급망의 약점과 재료 부족
고순도 SiC 기판과 웨이퍼는 여전히 소수공급업체에 의해 생산되고 있기 때문에 SiC 공급망은 여전히 제약을 받고 집중하고 있습니다. 무역제한, 자연재해, 노동력 부족, 지정학적 불안정 등에 의해 공급이 중단되면 기기의 이용가능성과 비용에 큰 영향을 미칠 수 있습니다. 예를 들어 COVID-19 팬데믹과 같은 사건은 국제 반도체 공급망의 약점을 드러내고 이미 경쟁이 심한 SiC 웨이퍼 시장도 유사한 혼란에 의해 영향을 받을 수 있습니다. 게다가 SiC 웨이퍼 제조는 에너지 집약적이고 시간이 걸리기 때문에 신속한 스케일 업이 불가능하여 수요 급증이나 물류 문제의 영향을 받기 쉽습니다.
SiC 디바이스 시장에서 COVID-19의 대유행은 다양한 형태로, 그러나 현저한 영향을 미쳤습니다. 공장 폐쇄, 노동력 부족, 공급망 혼란은 단기적인 시장 혼란을 일으켰고, 주로 SiC 웨이퍼와 장비의 제조와 납품에 영향을 주었습니다. 이러한 제한은 산업 제조 및 자동차 산업과 같은 병목 현상과 진행 중인 프로젝트의 지연으로 이어졌습니다. 그러나 전기, 재생에너지 및 디지털 인프라로의 전환과 같은 장기적인 동향도 유행에 의해 가속화되었습니다. 경제가 회복을 향함에 따라 지속가능한 기술과 견고한 공급망이 중요해지면서 SiC 제조에 대한 민간 쌍방의 투자가 촉진되고, 유행 후 강력한 성장에 대한 길이 열렸습니다.
예측 기간 동안 SiC MOSFET 부문이 최대가 될 전망
SiC MOSFET 부문은 주로 모터 구동, 산업용 전원, 재생에너지 시스템, 전기자동차(EV)와 같은 고전압, 고효율 용도에 널리 사용되기 때문에 예측 기간 동안 최대 시장 점유율을 차지할 것으로 예측됩니다. 보다 빠른 스위칭 속도, 보다 낮은 전도 손실, 보다 높은 온도 및 전압에서의 동작을 가능하게 함으로써, 이러한 트랜지스터는 종래의 실리콘 MOSFET을 능가합니다. 게다가 SiC MOSFET 수요는 자동차 제조업체와 전력 시스템 설계자들이 전기화와 에너지 효율화를 점점 추진함에 따라 급속히 증가하고 있으며, SiC 디바이스 및 에코시스템의 주요 제품 카테고리가 되고 있습니다.
예측 기간 동안 화학 기상 성장(CVD) 부문이 가장 높은 CAGR을 나타낼 것으로 예상
예측 기간 동안 화학 기상 성장(CVD) 부문이 가장 높은 성장률을 나타낼 것으로 예측됩니다. MOSFET 및 쇼트키 다이오드와 같은 고급 SiC 파워 디바이스를 제조하기 위해서는 SiC 기판 상에 고품질의 에피택셜 층을 형성해야 하며 CVD는 이 공정에 필수적입니다. 산업용 파워 일렉트로닉스, 재생에너지 시스템, 전기자동차에 필요한 고전압, 낮은 결함 장비를 만들기 위해이 공정은 층 두께, 도핑 레벨 및 균일 성을 정확하게 제어 할 수 있습니다. 게다가, 엄격한 품질과 효율 요건을 충족하는 CVD의 능력은 특히 자동차와 에너지 부문에서 고성능 SiC 디바이스에 대한 요구가 증가함에 따라 그 채택을 뒷받침하고 있습니다.
예측 기간 동안 아시아태평양은 파워 일렉트로닉스, 산업 자동화, 전기자동차 생산의 확고한 존재감으로 최대 시장 점유율을 차지할 것으로 예측됩니다. 정부의 강력한 지원, 신속한 산업화, 로옴, 미쓰비시전기, STMicroelectronics 등 대기업의 존재로 중국, 일본, 한국 등의 국가가 SiC 기기의 소비와 생산의 최전선에 있습니다. 또한 아시아태평양은 국내 반도체 제조 및 기술 인프라 투자 증가로 SiC 혁신, 제조 및 최종 사용자용도의 주요 중심지가 되었으며, 이 지역 세계 시장 점유율에서 지속적인 이점을 보장하고 있습니다.
예측기간 동안 북미는 방위, 항공우주, 신재생에너지, 전기자동차기술의 신속한 개발에 힘입어 가장 높은 CAGR을 나타낼 것으로 예측됩니다. 미국 CHIPS 법과 SiC와 같은 와이드 밴드갭 기술을 선호하는 에너지부 자금 제공 프로그램과 같은 강력한 정부 프로그램은이 지역의 반도체 제조 현지화를 지원합니다. 해외 공급망에 대한 의존도를 줄이기 위해 월프스피드, 온세미컨덕터, 제너럴 일렉트릭 등 대기업들은 미국 내 SiC 제조 능력과 연구개발 활동을 강화하고 있습니다. 게다가 북미가 전략적 방위기술과 고효율 에너지 인프라에 중점을 두게 되어 있는 것도 SiC 기기 수요를 견인하고 있어 예측기간 중에 가장 성장률이 높은 지역이 될 것으로 예측됩니다.
According to Stratistics MRC, the Global Silicon Carbide (SiC) Devices Market is accounted for $4.02 billion in 2025 and is expected to reach $18.88 billion by 2032 growing at a CAGR of 24.7% during the forecast period. Advanced semiconductor components known for their remarkable performance in high-power, high-temperature, and high-frequency applications are silicon carbide (SiC) devices. SiC has a better characteristic than conventional silicon-based devices, including a wider band gap, increased thermal conductivity, and a stronger electric field breakdown. SiC devices are perfect for use in electric vehicles, power electronics, renewable energy systems, and aerospace applications because of these benefits, which allow them to function more effectively and dependably under challenging conditions. Moreover, SiC technology is becoming more and more popular in next-generation electronic systems due to its capacity to lower energy losses and boost power density.
According to a fact sheet by the U.S. Department of Energy, SiC power electronic devices can withstand junction temperatures up to 600 °C and can operate at higher voltage, higher switching frequency, and with greater current density. These capabilities lead to significant energy efficiency gains in power systems.
Growing uptake of electric cars (EVs)
One of the major factors propelling the market for SiC devices is the electric vehicle (EV) industry. Because SiC-based MOSFETs and diodes can withstand higher voltages and temperatures than conventional silicon devices, improve efficiency, and minimize energy losses, they are being utilized more and more in EV powertrains, on-board chargers (OBCs), and DC-DC converters. Longer driving ranges, smaller cooling systems, and quicker charging are all benefits of these characteristics that are important selling points in the EV market. Additionally, the demand for SiC devices is anticipated to rise sharply as EV production continues to increase globally and government regulations favor electrification more and more.
Exorbitant production and material expenses
The high cost of manufacturing SiC devices in comparison to conventional silicon-based components is one of the biggest obstacles preventing their widespread use. Because SiC crystals are difficult to grow, processing takes longer, and yields are lower, the cost of producing high-quality SiC wafers is significantly higher. For example, SiC wafers need high-temperature chemical vapor deposition (CVD) and have difficulties in obtaining defect-free crystal structures, whereas silicon wafers are mass-produced on well-established and economically optimized infrastructure. Furthermore, SiC substrates and epitaxial layers continue to be several times more expensive than silicon.
Integration with smart grid and renewable energy systems
SiC devices are positioned to improve power conversion efficiency and system reliability in solar inverters, wind turbines, battery storage systems, and smart grid applications as the world's energy mix moves toward renewable sources. Particularly in utility-scale installations, SiC-based components can function at higher voltages and frequencies, enabling more compact and effective inverters. Moreover, the modernization of the smart grid necessitates high-performance power electronics that can facilitate fast switching, precise control, and bi-directional power flow-all of which are advantages of SiC. Clean energy and grid resiliency are receiving significant investments from governments and energy companies, which is fostering a strong growth environment for SiC technologies in these fields.
Supply chain weaknesses and material scarcity
High-purity SiC substrates and wafers are still produced by a small number of suppliers, making the SiC supply chain still rather constrained and concentrated. The availability and cost of devices can be greatly impacted by disruptions in this supply, which can be brought on by trade restrictions, natural disasters, labor shortages, or geopolitical instability. Events like the COVID-19 pandemic, for instance, revealed weaknesses in international semiconductor supply chains, and the already competitive SiC wafer market may be impacted by similar disruptions. Furthermore, SiC wafer manufacturing's energy-intensive and time-consuming nature prevents quick scale-up, leaving the sector susceptible to unforeseen demand spikes or logistical problems.
In the market for silicon carbide (SiC) devices, the COVID-19 pandemic had a mixed but noticeable effect. Factory closures, labor shortages, and supply chain disruptions caused short-term market disruptions that primarily affected the manufacturing and delivery of SiC wafers and devices. These limitations resulted in bottlenecks in industries like industrial manufacturing and the automotive sector as well as delays in ongoing projects. But long-term trends like the move toward electrification, renewable energy, and digital infrastructure-all of which depend on SiC devices to enable high-efficiency power conversion-were also accelerated by the pandemic. The increased emphasis on sustainable technologies and robust supply chains as economies started to recover spurred both public and private investment in SiC manufacturing, paving the way for strong post-pandemic growth.
The SiC MOSFETs segment is expected to be the largest during the forecast period
The SiC MOSFETs segment is expected to account for the largest market share during the forecast period, mainly due to their extensive use in high-voltage, high-efficiency applications like motor drives, industrial power supplies, renewable energy systems, and electric vehicles (EVs). By enabling faster switching speeds, lower conduction losses, and operation at higher temperatures and voltages, these transistors outperform conventional silicon MOSFETs. Moreover, the demand for SiC MOSFETs is rising quickly as automakers and power system designers move more and more toward electrification and energy efficiency, making them the leading product category in the larger SiC device ecosystem.
The chemical vapor deposition (CVD) segment is expected to have the highest CAGR during the forecast period
Over the forecast period, the chemical vapor deposition (CVD) segment is predicted to witness the highest growth rate. In order to produce sophisticated SiC power devices like MOSFETs and Schottky diodes, high-quality epitaxial layers must be deposited on SiC substrates, and CVD is vital to this process. In order to create high-voltage, low-defect devices that are needed in industrial power electronics, renewable energy systems, and electric vehicles, this process enables exact control over layer thickness, doping levels, and uniformity. Additionally, the ability of CVD to meet stringent quality and efficiency requirements is driving its adoption as the need for higher-performance SiC devices increases, particularly in the automotive and energy sectors.
During the forecast period, the Asia-Pacific region is expected to hold the largest market share, propelled by its robust presence in power electronics, industrial automation, and the production of electric vehicles. Due to strong government support, quick industrialization, and the presence of significant players like ROHM, Mitsubishi Electric, and STMicroelectronics, nations like China, Japan, and South Korea are at the forefront of SiC device consumption and production. Furthermore, Asia-Pacific is now a major center for SiC innovation, fabrication, and end-user applications due to rising investments in domestic semiconductor manufacturing and technology infrastructure, guaranteeing the region's sustained dominance in the global market share.
Over the forecast period, the North America region is anticipated to exhibit the highest CAGR, propelled by quick developments in defense, aerospace, renewable energy, and electric car technologies. Strong government programs, like the U.S. CHIPS Act and Department of Energy funding programs that give priority to wide-bandgap technologies like SiC, help the region localize semiconductor manufacturing. In an effort to lessen dependency on foreign supply chains, major companies like Wolfspeed, ON Semiconductor, and General Electric are increasing their SiC manufacturing capabilities and R&D activities in the United States. Moreover, the demand for SiC devices is also being driven by North America's increasing emphasis on strategic defense technologies and high-efficiency energy infrastructure, which will make it the region with the fastest rate of growth during the forecast period.
Key players in the market
Some of the key players in Silicon Carbide (SiC) Devices Market include Infineon Technologies AG, NXP Semiconductors, Microchip Technology Inc., BASiC Semiconductor Co., Ltd., Renesas Electronics Corporation, Fuji Electric Co., Ltd., ON Semiconductor, Mitsubishi Electric Corporation, Coherent Corp., Wolfspeed, Inc., STMicroelectronics N.V., ROHM Co., Ltd., Toshiba Corporation, GeneSiC Semiconductor Inc. and Littelfuse, Inc.
In June 2025, NXP Semiconductors has announced the conclusion of the acquisition of Vienna-based TTTech Auto, a pioneer in the development of distinctive safety-critical technologies and middleware for software-defined vehicles (SDVs). The open and modular NXP CoreRide platform and TTTech Auto's MotionWise safety middleware help automakers get past obstacles to software and hardware integration while lowering complexity and development efforts and boosting the scalability and cost-effectiveness needed for next-generation vehicles.
In May 2025, Fuji Electric Co. Ltd (Fuji Electric) has been awarded the contract to supply the complete set of power generation equipment for the Muara Laboh Stage 2 geothermal power project of PT Supreme Energy Muara Laboh (SEML) in West Sumatra, Indonesia. The project has a planned installed capacity of 80 MW and is targeting commercial operations by 2027.
In February 2025, Teradyne and Infineon Technologies AG have announced that they have entered into a strategic agreement to advance power semiconductor test. As part of the agreement, Teradyne will acquire part of Infineon's automated test equipment team in Regensburg, Germany. For its part, Infineon will enter into a service agreement to secure continued manufacturing support as well as enhanced flexibility to respond to internal demand for this specialized test equipment as well as benefit from Teradyne's economy of scale.