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자기 저항 RAM 시장 보고서 : 유형별, 용도별, 지역별(2024-2032년)
Magneto Resistive RAM Market Report by Type (Toggle MRAM, Spin-Transfer Torque MRAM ), Offering, Application, and Region 2024-2032
상품코드 : 1468252
리서치사 : IMARC Group
발행일 : 2024년 04월
페이지 정보 : 영문 136 Pages
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한글목차

2023년 세계 자기 저항 RAM(MRAM) 시장 규모는 6억 1,720만 달러에 달했습니다. 향후 IMARC Group은 2032년까지 시장 규모가 110억 7,630만 달러에 달할 것으로 예상하며, 2024-2032년 연평균 성장률(CAGR)은 37.1%에 달할 것으로 예측했습니다.

자기 저항 랜덤 액세스 메모리(MRAM) 또는 자기 RAM은 정보를 저장하기 위해 자기 전하를 사용하는 비휘발성 메모리입니다. 스핀 전송 토크 MRAM 또는 토글 MRAM은 일반적으로 사용 가능한 유형 중 일부입니다. 이들은 유전체 또는 절연층을 통해 분리된 두 개의 자성층으로 구성된 자기 터널 접합(MTJ)을 사용합니다. 이는 고밀도 RAM이며, 커패시터와 트랜지스터를 포함합니다. 기존 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)에 비해 MRAM은 전원 공급 없이도 메모리에 저장된 정보를 유지할 수 있어 비용 효율적이며, 큰 에너지를 소비하는 펄스를 필요로 하지 않아 에너지 소비가 적습니다. 그 결과, 로봇 공학, 자동차, 가전제품, 기업용 스토리지 시스템 등에 널리 사용되고 있습니다.

자기 저항 RAM(MRAM) 시장 동향:

민수용 전자제품 산업의 괄목할만한 성장은 시장 전망을 밝게 만드는 중요한 요인 중 하나이며, MRAM은 워크스테이션, 스마트 웨어러블, 스마트폰, 디지털 카메라 등 다양한 전자제품에 널리 사용되고 있습니다. 또한, 고온 데이터 저장에 대한 항공우주 및 방위 산업에서 제품 수요가 증가하면서 시장 성장을 촉진하고 있습니다. 또한, 내방사선 마이크로칩용 저전력 MRAM의 개발 등 다양한 제품 혁신이 시장 성장을 촉진하고 있습니다. 이 제품들은 전력 효율이 높고, 방사선에 강하며, 온도 변화에도 잘 견디는 특징을 가지고 있습니다. 이와 함께 사물인터넷(IoT) 지원 기기에 대한 수요 증가와 첨단 센서 및 스마트 로봇의 보급이 시장 성장에 긍정적인 영향을 미치고 있습니다. 그 외 소형화 및 맞춤형 집적회로(IC)의 제품 활용 증가, 다양한 의료 질환의 비침습적 진단 검사를 위한 MRAM 내장형 의료용 센서의 광범위한 채택 등이 시장 성장의 원동력이 될 것으로 예상됩니다.

본 보고서에서 다루는 주요 질문

목차

제1장 서문

제2장 조사 범위와 조사 방법

제3장 주요 요약

제4장 소개

제5장 자기 저항 RAM(MRAM) 세계 시장

제6장 시장 내역 : 유형별

제7장 시장 내역 : 제품별

제8장 시장 내역 : 용도별

제9장 시장 내역 : 지역별

제10장 SWOT 분석

제11장 밸류체인 분석

제12장 Porter's Five Forces 분석

제13장 가격 분석

제14장 경쟁 상황

ksm
영문 목차

영문목차

The global magneto resistive RAM (MRAM) market size reached US$ 617.2 Million in 2023. Looking forward, IMARC Group expects the market to reach US$ 11,076.3 Million by 2032, exhibiting a growth rate (CAGR) of 37.1% during 2024-2032.

Magneto resistive random access memory (MRAM), or magnetic RAM, is a non-volatile memory that uses magnetic charges to store information. Spin-transfer torque and toggle MRAM are some of the commonly available variants. They utilize magnetic tunnel junction (MTJ) that comprises two magnetic layers separated through a dielectric or insulation layer. It is a high-density RAM and it includes a capacitor and a transistor. In comparison to the traditionally used dynamic random-access memory (DRAM), MRAM can retain the information stored in the memory without a power source, is more cost-effective and does not require a large energy-consuming pulse. As a result, it is widely used in robotics, automobiles, consumer electronics and enterprise storage systems.

Magneto Resistive RAM (MRAM) Market Trends:

Significant growth in the consumer electronics industry is one of the key factors creating a positive outlook for the market. MRAM is widely used in various electronic gadgets, such as workstations, smart wearables, smartphones and digital cameras. Additionally, the increasing product demand in the aerospace and defense industries for high-temperature data storage is favoring the market growth. Moreover, various product innovations, such as the development of low-power MRAM variants for radiation-hardened microchips, are providing thrust to the market growth. They are power-efficient, resistant to radiations and can operate under temperature fluctuations. In line with this, the increasing demand for Internet of Things (IoT)-enabled devices and the widespread utilization of advanced sensors and smart robots are positively impacting the market growth. Other factors, including the increasing product utilization in miniaturized and customized integrated circuits (ICs), along with the widespread adoption of MRAM-embedded medical sensors for non-invasive diagnostic testing of medical various disorder, are anticipated to drive the market toward growth.

Key Market Segmentation:

IMARC Group provides an analysis of the key trends in each sub-segment of the global magneto resistive RAM (MRAM) market report, along with forecasts at the global, regional and country level from 2024-2032. Our report has categorized the market based on type, offering and application.

Breakup by Type:

Toggle MRAM

Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM)

Breakup by Offering:

Stand-alone

Embedded

Breakup by Application:

Consumer Electronics

Robotics

Enterprise Storage

Automotive

Aerospace and Defense

Others

Breakup by Region:

North America

United States

Canada

Asia-Pacific

China

Japan

India

South Korea

Australia

Indonesia

Others

Europe

Germany

France

United Kingdom

Italy

Spain

Russia

Others

Latin America

Brazil

Mexico

Others

Middle East and Africa

Competitive Landscape:

The competitive landscape of the industry has also been examined along with the profiles of the key players being Avalanche Technology Inc., Crocus Nano Electronics LLC, Everspin Technologies Inc., Honeywell International Inc., Infineon Technologies AG, Intel Corporation, NVE Corporation, Qualcomm Incorporated, Samsung Electronics Co. Ltd., Spin Memory Inc., Toshiba Corporation and Tower Semiconductor Ltd.

Key Questions Answered in This Report

Table of Contents

1 Preface

2 Scope and Methodology

3 Executive Summary

4 Introduction

5 Global Magneto Resistive RAM (MRAM) Market

6 Market Breakup by Type

7 Market Breakup by Offering

8 Market Breakup by Application

9 Market Breakup by Region

10 SWOT Analysis

11 Value Chain Analysis

12 Porters Five Forces Analysis

13 Price Analysis

14 Competitive Landscape

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