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세계의 고전자 이동도 트랜지스터 시장
High Electron Mobility Transistor
상품코드 : 1781247
리서치사 : Global Industry Analysts, Inc.
발행일 : 2025년 08월
페이지 정보 : 영문 282 Pages
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한글목차

고전자 이동도 트랜지스터 세계 시장은 2030년까지 95억 달러에 달할 전망

2024년에 63억 달러로 추정되는 고전자 이동도 트랜지스터 세계 시장은 분석 기간인 2024-2030년에 CAGR 7.0%로 성장하여 2030년에는 95억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 이 보고서에서 분석한 부문 중 하나인 질화갈륨 유형은 CAGR 8.5%를 기록하며 분석 기간 종료시에는 44억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 탄화규소 유형의 성장률은 분석 기간 동안 CAGR 4.9%로 추정됩니다.

미국 시장은 17억 달러로 추정, 중국은 CAGR 11.2%로 성장 예측

미국의 고전자 이동도 트랜지스터 시장은 2024년에 17억 달러로 추정됩니다. 세계 2위 경제 대국인 중국은 2024년부터 2030년 분석 기간 동안 CAGR 11.2%로 성장하여 2030년까지 20억 달러의 시장 규모에 달할 것으로 예측됩니다. 기타 주목할 만한 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있고, 분석 기간 동안 CAGR은 각각 3.4%와 6.8%로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 4.6%로 성장할 것으로 예측됩니다.

세계의 고전자 이동도 트랜지스터 시장 - 주요 동향과 촉진요인 정리

고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)가 현대 전자제품에서 두드러지는 이유는 무엇일까?

고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)는 다양한 응용 분야에서 고속, 고주파, 저소음 성능을 실현하여 반도체 산업에 혁명을 일으켰습니다. 기존 MOSFET과 달리 HEMT는 질화갈륨(GaN)과 질화알루미늄갈륨(AlGaN)과 같은 두 가지 반도체 재료의 이종접합을 이용하여 뛰어난 전자 이동도를 구현합니다. 이 독특한 구조는 캐리어 산란을 최소화하고 신호 증폭률을 향상시켜 HEMT를 무선 주파수(RF) 및 마이크로파 애플리케이션에 필수적인 요소로 만들고 있습니다. 초고속 전자부품에 대한 수요가 증가하면서 HEMT는 위성통신, 레이더 시스템, 심지어 5G 인프라에서도 인기를 끌고 있습니다. HEMT의 또 다른 특징은 우수한 열 안정성과 고전압에서의 작동 능력으로, 전기자동차(EV) 인버터 및 재생에너지 시스템 등의 파워 일렉트로닉스에 적합합니다. HEMT의 성능 우위는 에너지 손실을 줄이는 능력으로 나타나며, 이는 효율성과 신뢰성이 가장 중요한 항공우주 및 방위 산업 분야에서 매우 중요합니다. 또한, 재료 과학, 특히 질화갈륨(GaN)과 탄화규소(SiC) 등 와이드 밴드갭 반도체의 발전으로 HEMT의 성능 벤치마크는 더욱 높아졌습니다. 전 세계가 고주파 동작과 전력 효율이 높은 기술로 이동함에 따라 HEMT의 역할이 확대되어 반도체 시장에서 중요한 부품이 되고 있습니다. 6G 무선 통신과 밀리미터파(mmWave) 기술의 채택이 증가함에 따라 차세대 전자제품의 전망에서 HEMT의 중요성이 더욱 부각되고 있습니다.

업계의 발전이 HEMT를 혁신의 최전선으로 밀어붙이는 이유는 무엇일까?

HEMT는 독보적인 속도와 효율성으로 인해 반도체 기술 혁신의 초점이 되고 있으며, 다양한 분야에서 연구개발(R&D)이 가속화되고 있습니다. 최근 몇 년 동안 가장 눈에 띄는 발전 중 하나는 GaAs 기반 HEMT에서 내압과 전력 밀도가 훨씬 높은 GaN 기반 변종으로 전환한 것입니다. GaN HEMT는 신호 무결성을 유지하면서 고온에서 효율적으로 작동할 수 있기 때문에 군사 및 상업용 레이더 시스템에서 점점 더 선호되고 있습니다. 또 다른 큰 돌파구는 강화 모드(E-mode) HEMT의 개발입니다. 이 HEMT는 음의 게이트 전압이 필요하지 않기 때문에 회로 설계가 단순화되고 신뢰성이 향상됩니다. 파워 일렉트로닉스에서 HEMT는 고효율 전력 변환 시스템에 통합되고 있으며, 낮은 스위칭 손실은 상당한 에너지 절약에 기여하고 있습니다. 또한, 연구진은 GaN과 SiC의 장점을 결합하여 성능 지표를 더욱 향상시킬 수 있는 하이브리드 HEMT 아키텍처를 모색하고 있습니다. 모놀리식 마이크로웨이브 집적회로(MMIC)의 부상도 HEMT의 수요를 증가시키고 있습니다. 이 트랜지스터는 소형 고성능 RF 증폭기의 중추 역할을 하기 때문입니다. 초고속 데이터 전송을 위한 테라헤르츠(THz) 기술에 대한 관심이 높아지는 가운데, HEMT는 100GHz 이상의 주파수에 최적화되어 무선 통신 및 영상 처리 애플리케이션의 새로운 가능성을 이끌어내고 있습니다. 또한, HEMT의 신뢰성과 수명을 향상시키기 위한 노력은 장치의 패시베이션 기술 및 열 관리 솔루션의 혁신으로 이어지고 있습니다. HEMT가 계속 발전함에 따라 그 응용 범위가 넓어지고 다양한 산업에서 반도체 성능이 향상될 수 있는 길을 열어주고 있습니다.

HEMT가 산업 전반에 걸쳐 가장 큰 영향을 미치는 곳은 어디인가?

HEMT의 영향력은 전통적인 반도체 응용 분야에 국한되지 않고, 다양한 고성장 산업에서 새로운 기회를 발견하고 있습니다. HEMT의 혜택을 받는 가장 중요한 분야 중 하나는 5G 기지국, 위성 링크, 광섬유 네트워크를 위한 초고주파 신호 전송을 가능하게 하는 통신 산업입니다. 자동차 전장 분야에서 HEMT는 EV 파워트레인의 효율을 높이고 급속 충전 기술을 가능하게 하는 전동화 움직임에서 중요한 역할을 하고 있습니다. 항공우주 및 방위 분야는 여전히 HEMT의 주요 수요처로 전자전, 미사일 유도 시스템, 차세대 레이더 기술에 HEMT의 능력을 활용하고 있습니다. 의료용 영상 처리 및 진단 분야에서도 양전자방사선단층촬영(PET) 스캐너와 첨단 초음파 시스템에서 HEMT의 이점을 목격하고 있습니다. 또한, HEMT는 고속 스위칭 특성이 첨단 컴퓨팅 아키텍처를 지원하는 양자 컴퓨팅에서도 각광받고 있습니다. 스마트 그리드 기술과 재생에너지 솔루션의 확대로 인해 고전압 전력 변환 애플리케이션에서 HEMT의 채택이 더욱 가속화되고 있습니다. 소비자 전자기기에서는 이 트랜지스터가 고성능 오디오 앰프와 스마트폰용 RF 프론트엔드 모듈에 집적되어 뛰어난 신호 선명도와 효율을 보장합니다. 또한, 무인항공기(UAV) 및 고속철도 시스템과 같은 신흥 애플리케이션에서 HEMT 기반 전력 솔루션은 운영 효율성과 신뢰성을 높이기 위해 활용되고 있습니다. 전자제품의 소형화 추세는 소형 HEMT 모듈의 개발에 박차를 가하고 있으며, 차세대 디바이스에의 통합을 더욱 친숙하게 만들고 있습니다. 업계의 요구사항이 계속 진화하는 가운데, HEMT의 다재다능함과 적응성은 전자제품 혁신의 미래를 형성하는 데 중요한 역할을 하고 있습니다.

HEMT 시장의 급성장 원동력은?

세계 HEMT 시장의 성장은 여러 산업 분야에서 고주파 및 고전력 전자제품에 대한 수요 증가 등 여러 요인에 의해 주도되고 있습니다. HEMT는 밀리미터파 주파수에서 효율적인 신호 전송 및 증폭을 가능하게 하는 데 필수적이기 때문에 5G 및 향후 6G 네트워크의 확장이 주요 촉진요인으로 작용하고 있습니다. 전기자동차의 보급과 급속 충전 인프라의 발전도 전력 변환 애플리케이션에서 HEMT에 대한 수요를 촉진하고 있습니다. 또한, 정부 및 민간 투자 증가로 인한 우주 및 위성통신 시스템의 급속한 발전은 시장 성장을 더욱 촉진하고 있습니다. 군 및 방위 용도는 레이더, 감시 및 전자전 기술에 대한 투자가 증가하고 있으며, HEMT가 타의 추종을 불허하는 성능을 발휘할 수 있는 중요한 분야임에는 변함이 없습니다. 산업 자동화 및 스마트 그리드에서 에너지 효율이 높은 파워 일렉트로닉스의 추진은 에너지 손실을 최소화하고 시스템 효율을 향상시키기 위한 업계의 노력과 함께 중요한 촉진제 역할을 하고 있습니다. HEMT가 초고속 스위칭 애플리케이션에 사용되는 고성능 컴퓨팅과 데이터센터가 강조되고 있는 점도 시장 확대에 기여하고 있습니다. 또한, 인공지능(AI) 및 머신러닝(ML) 워크로드의 증가로 인해 차세대 컴퓨팅 플랫폼의 처리 요구사항을 충족하기 위해 HEMT를 포함한 첨단 반도체 부품의 필요성이 증가하고 있습니다. 의료 분야에서도 고정밀 이미징 기술에 HEMT의 채용이 증가하고 있으며, 그 적용 범위가 더욱 다양해지고 있습니다. 연구개발 투자 증가와 반도체 제조업체, 연구기관, 정부기관의 협력은 HEMT 기술의 지속적인 혁신을 촉진하고 시장의 꾸준한 성장을 보장하고 있습니다. 재료 과학, 특히 GaN 및 SiC 기반 HEMT의 지속적인 발전으로 인해 고주파, 고출력, 에너지 효율적인 전자 애플리케이션에 대한 수요가 증가함에 따라 시장은 지속적으로 확대될 태세를 갖추고 있습니다.

부문

유형(질화갈륨 유형, 탄화규소 유형, 갈륨비소 유형, 기타 유형), 최종사용자(가전제품 최종사용자, 자동차 최종사용자, 산업용 최종사용자, 항공우주 및 방위 최종사용자, 기타 최종사용자)

조사 대상 기업 사례

AI 통합

Global Industry Analysts는 검증된 전문가 컨텐츠와 AI 툴을 통해 시장 정보와 경쟁 정보를 혁신하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 일반적인 LLM 및 업계별 SLM 쿼리를 따르는 대신 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 방대한 양의 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사 소재지, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기준으로 기업의 경쟁력 변화를 예측하고 있습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 매출원가(COGS) 증가, 수익성 하락, 공급망 재편 등 미시적, 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예상됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

ksm
영문 목차

영문목차

Global High Electron Mobility Transistor Market to Reach US$9.5 Billion by 2030

The global market for High Electron Mobility Transistor estimated at US$6.3 Billion in the year 2024, is expected to reach US$9.5 Billion by 2030, growing at a CAGR of 7.0% over the analysis period 2024-2030. Gallium Nitride Type, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 8.5% CAGR and reach US$4.4 Billion by the end of the analysis period. Growth in the Silicon Carbide Type segment is estimated at 4.9% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$1.7 Billion While China is Forecast to Grow at 11.2% CAGR

The High Electron Mobility Transistor market in the U.S. is estimated at US$1.7 Billion in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$2.0 Billion by the year 2030 trailing a CAGR of 11.2% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 3.4% and 6.8% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 4.6% CAGR.

Global High Electron Mobility Transistor Market - Key Trends & Drivers Summarized

What Makes High Electron Mobility Transistors (HEMTs) Stand Out in Modern Electronics?

High Electron Mobility Transistors (HEMTs) have revolutionized the semiconductor industry by enabling high-speed, high-frequency, and low-noise performance across various applications. Unlike conventional MOSFETs, HEMTs leverage the heterojunction between two semiconductor materials, such as gallium nitride (GaN) and aluminum gallium nitride (AlGaN), to achieve exceptional electron mobility. This unique structure minimizes carrier scattering and enhances signal amplification, making HEMTs indispensable in radio frequency (RF) and microwave applications. With increasing demand for ultra-fast electronic components, HEMTs are gaining traction in satellite communication, radar systems, and even 5G infrastructure. Another distinguishing feature of HEMTs is their superior thermal stability and ability to operate at high voltages, making them ideal for power electronics, including electric vehicle (EV) inverters and renewable energy systems. The performance advantage of HEMTs is also evident in their ability to reduce energy losses, which is crucial in aerospace and defense applications where efficiency and reliability are paramount. Moreover, advancements in material science, particularly in wide-bandgap semiconductors such as gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC), have further elevated the performance benchmarks of HEMTs. As the world moves towards higher-frequency operations and power-efficient technologies, the role of HEMTs is expanding, making them a critical component in the semiconductor market. The increasing adoption of 6G wireless communication and millimeter-wave (mmWave) technologies further underscores the significance of HEMTs in the next-generation electronics landscape.

How Are Industry Advancements Pushing HEMTs to the Forefront of Innovation?

HEMTs have become a focal point of semiconductor innovation due to their unparalleled speed and efficiency, with research and development (R&D) efforts accelerating across multiple domains. One of the most notable advancements in recent years is the transition from GaAs-based HEMTs to GaN-based variants, which offer significantly higher breakdown voltage and power density. GaN HEMTs are increasingly preferred in military and commercial radar systems due to their ability to operate efficiently at high temperatures while maintaining signal integrity. Another major breakthrough is the development of enhancement-mode (E-mode) HEMTs, which eliminate the need for a negative gate voltage, simplifying circuit design and improving reliability. In power electronics, HEMTs are being integrated into high-efficiency power conversion systems, where their low switching losses contribute to substantial energy savings. Moreover, researchers are exploring hybrid HEMT architectures that combine the advantages of GaN and SiC to further enhance performance metrics. The rise of monolithic microwave integrated circuits (MMICs) has also driven demand for HEMTs, as these transistors serve as the backbone for compact, high-performance RF amplifiers. With increasing interest in terahertz (THz) technology for ultra-fast data transmission, HEMTs are being optimized for frequencies beyond 100 GHz, unlocking new possibilities in wireless communications and imaging applications. Additionally, efforts to improve HEMT reliability and longevity are leading to innovations in device passivation techniques and thermal management solutions. As HEMTs continue to evolve, their application scope is broadening, paving the way for enhanced semiconductor performance across multiple industries.

Where Are HEMTs Making the Biggest Impact Across Industries?

The influence of HEMTs extends beyond traditional semiconductor applications, finding new opportunities in various high-growth industries. One of the most significant sectors benefiting from HEMTs is the telecommunications industry, where they enable ultra-high-frequency signal transmission for 5G base stations, satellite links, and fiber-optic networks. In automotive electronics, HEMTs are playing a critical role in the electrification movement, where they enhance the efficiency of EV powertrains and enable fast-charging technologies. The aerospace and defense sector remains a major consumer of HEMTs, leveraging their capabilities for electronic warfare, missile guidance systems, and next-generation radar technologies. Medical imaging and diagnostics are also witnessing the advantages of HEMTs, particularly in positron emission tomography (PET) scanners and advanced ultrasound systems, where high-frequency signal processing is essential for precision imaging. Additionally, HEMTs are gaining traction in quantum computing, where their high-speed switching characteristics support advanced computing architectures. The expansion of smart grid technologies and renewable energy solutions has further accelerated the adoption of HEMTs in high-voltage power conversion applications. In consumer electronics, these transistors are being integrated into high-performance audio amplifiers and RF front-end modules for smartphones, ensuring superior signal clarity and efficiency. Furthermore, emerging applications such as unmanned aerial vehicles (UAVs) and high-speed rail systems are leveraging HEMT-based power solutions to enhance operational efficiency and reliability. The ongoing miniaturization trend in electronics has also spurred the development of compact HEMT modules, making them more accessible for integration into next-generation devices. As industry requirements continue to evolve, the versatility and adaptability of HEMTs are proving to be instrumental in shaping the future of electronic innovation.

What’s Driving the Rapid Growth of the HEMT Market?

The growth in the global HEMT market is driven by several factors, including the rising demand for high-frequency and high-power electronics across multiple industries. The expansion of 5G and upcoming 6G networks is a primary driver, as HEMTs are essential for enabling efficient signal transmission and amplification at millimeter-wave frequencies. The increasing adoption of electric vehicles and advancements in fast-charging infrastructure are also fueling demand for HEMTs in power conversion applications. Additionally, the rapid development of space and satellite communication systems, driven by increasing government and private investments, is further propelling market growth. Military and defense applications remain a crucial sector, with heightened investments in radar, surveillance, and electronic warfare technologies where HEMTs offer unmatched performance. The push for energy-efficient power electronics in industrial automation and smart grids is another critical growth driver, as industries strive to minimize energy losses and improve system efficiency. The growing emphasis on high-performance computing and data centers, where HEMTs are used for ultra-fast switching applications, is further contributing to market expansion. Additionally, the rise of artificial intelligence (AI) and machine learning (ML) workloads is driving the need for advanced semiconductor components, including HEMTs, to meet the processing demands of next-generation computing platforms. The medical sector is also experiencing increased adoption of HEMTs in high-precision imaging technologies, further diversifying their application scope. Increasing R&D investments and collaborations between semiconductor manufacturers, research institutions, and government agencies are fostering continuous innovation in HEMT technology, ensuring steady market growth. With ongoing advancements in material science, particularly in GaN and SiC-based HEMTs, the market is poised for sustained expansion, catering to the growing demands of high-frequency, high-power, and energy-efficient electronic applications.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the High Electron Mobility Transistor market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Type (Gallium Nitride Type, Silicon Carbide Type, Gallium Arsenide Type, Other Types); End-Use (Consumer Electronics End-Use, Automotive End-Use, Industrial End-Use, Aerospace & Defense End-Use, Other End-Uses)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; Spain; Russia; and Rest of Europe); Asia-Pacific (Australia; India; South Korea; and Rest of Asia-Pacific); Latin America (Argentina; Brazil; Mexico; and Rest of Latin America); Middle East (Iran; Israel; Saudi Arabia; United Arab Emirates; and Rest of Middle East); and Africa.

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