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세계의 SiC 온 인슐레이터 및 기타 기판 시장
SiC-On-Insulator and Other Substrates
상품코드 : 1777555
리서치사 : Global Industry Analysts, Inc.
발행일 : 2025년 07월
페이지 정보 : 영문 373 Pages
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한글목차

SiC 온 인슐레이터 및 기타 기판 세계 시장은 2030년까지 1억 5,130만 달러에 달할 전망

2024년에 9,600만 달러로 추정되는 SiC 온 인슐레이터 및 기타 기판 세계 시장은 2030년에는 1억 5,130만 달러에 달하고, 분석 기간인 2024-2030년 CAGR은 7.9%로 성장할 것으로 예측됩니다. 이 보고서에서 분석한 부문 중 하나인 반절연성 SiC 기판은 CAGR 9.0%를 기록하며 분석 기간 종료까지 1억 1,010만 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 전도성 SiC 기판 부문의 성장률은 분석 기간 동안 CAGR 5.1%로 추정됩니다.

미국 시장은 2,620만 달러로 추정, 중국은 CAGR 12.5%로 성장 예측

미국의 SiC 온 인슐레이터 및 기타 기판 시장은 2024년에는 2,620만 달러로 추정됩니다. 세계 2위 경제 대국인 중국은 분석 기간 2024년부터 2030년까지 CAGR 12.5%를 더듬어, 2030년에는 예측 시장 규모 3,270만 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 기타 주목할 만한 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있고, 분석 기간 동안 CAGR은 각각 3.9%와 7.6%로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 5.2%로 성장할 것으로 예측됩니다.

세계 SiC 온 인슐레이터 및 기타 기판 시장 - 주요 동향 및 촉진요인 요약

SiC 온 인슐레이터 및 기타 기판에 대한 수요가 증가하는 이유는 무엇인가? 반도체 애플리케이션에서 SiC 온 인슐레이터 및 기타 기판의 역할이 확대되고 있습니다.

반도체 업계는 고성능 전자제품, 전력 디바이스, 차세대 반도체 부품에 대한 수요를 주요 원동력으로 탄화규소-절연막(SiC-OI) 및 기타 첨단 기판의 채택이 증가하면서 패러다임의 전환이 일어나고 있습니다. 전기자동차(EV), 통신, 항공우주, 신재생에너지 등의 산업이 지속적으로 확대되면서 우수한 열전도율, 고전압 내성, 에너지 효율을 제공하는 소재에 대한 요구가 증가하고 있습니다. SiC 온 인슐레이터 기술은 전력 효율 향상, 방열 감소, 소자 수명 연장으로 기존 실리콘 기반 반도체에 비해 큰 이점을 제공합니다. 또한, 5G 인프라, 고주파 RF 애플리케이션, 산업 자동화 분야의 파워 일렉트로닉스에 대한 수요가 증가함에 따라 첨단 기판 재료의 필요성이 더욱 커지고 있습니다. 와이드 밴드갭 반도체로의 전환은 SiC-OI를 에너지 효율이 높은 고성능 전자제품의 중요한 원동력으로 자리매김하여 반도체 제조의 전망을 재구성하고 있습니다.

기술 발전은 SiC 온 인슐레이터 및 기타 기판 재료를 어떻게 향상시키고 있는가? 반도체 제조의 혁신을 탐구

최근 재료 과학, 에피택셜 성장 기술 및 웨이퍼 제조의 발전으로 SiC 온 인슐레이터 및 기타 특수 기판의 성능, 확장성 및 비용 효율성이 크게 향상되었습니다. 200mm 기판과 같은 대형 SiC 웨이퍼의 개발로 제조 효율이 향상되고 제조 비용이 절감되어 고전력 애플리케이션에 대량 채용이 가능해졌습니다. 또한, 접합 기술 및 박막화 기술의 혁신으로 SiC 기반 기판의 기계적 안정성과 전기적 성능이 향상되어 고전압 및 고온 환경에 적합하게 되었습니다. 웨이퍼 제조에 AI 기반 공정 제어를 통합하여 수율을 더욱 최적화하고, 결함을 줄이며, 재료의 일관성을 향상시켰습니다. 또한, 실리콘 위에 질화갈륨(GaN), 사파이어, 다이아몬드 기반 반도체와 같은 대체 기판의 발전으로 인해 고주파 및 전력 애플리케이션에 사용할 수 있는 선택의 폭이 넓어지고 있습니다. 반도체 제조업체들이 재료공학의 한계에 계속 도전하는 가운데, SiC-OI 및 기타 첨단 기판은 고효율 전자제품의 진화에 필수적인 요소로 자리 잡고 있습니다.

SiC 온 인슐레이터 및 기타 기판의 성장을 저해하는 요인은 무엇인가? 시장 억제요인과 생산 한계에 대한 대응

SiC 온 인슐레이터 및 기타 첨단 기판의 채택은 유망한 잠재력에도 불구하고 높은 제조 비용, 복잡한 제조 공정, 공급망 제약 등 몇 가지 도전 과제에 직면해 있습니다. 고품질 SiC 웨이퍼를 제조하기 위해서는 정밀한 엔지니어링과 특수 장비가 필요하며, 기존 실리콘 기반 기판에 비해 비용이 더 많이 듭니다. 또한, 원재료의 가용성이 제한적이고 웨이퍼 가공이 복잡하여 공급망의 병목현상이 발생하여 생산 확장성에 영향을 미치고 있습니다. 또한, SiC 기반 기판을 기존 반도체 제조 공정에 통합하기 위해서는 기술적 적응이 필요하며, 이는 반도체 제조업체의 개발 시간과 비용을 증가시킬 수 있습니다. 또 다른 도전 과제는 GaN이나 다이아몬드 기반 반도체와 같이 특정 응용 분야에서 뚜렷한 이점을 제공하는 대체 재료와의 경쟁입니다. 이러한 과제를 극복하기 위해서는 연구개발, 공정 최적화, 반도체 생태계 전반에 걸친 전략적 협력에 대한 지속적인 투자가 필요합니다.

SiC 온 인슐레이터 및 기타 기판 시장 성장의 원동력은? 주요 성장 요인 파악

SiC 온 인슐레이터 및 기타 기판 시장의 성장은 전력 효율이 높은 전자제품의 채택 확대, 전기자동차 시장의 확대, 5G 및 고주파 통신 기술의 발전 등 여러 가지 요인에 의해 이루어질 것입니다. 자동차 분야의 전동화 추진은 EV 파워트레인 및 충전 시스템에서 효율성 향상과 에너지 손실 감소를 제공하는 SiC 기반 파워 디바이스에 대한 강력한 수요를 창출하고 있습니다. 또한, 5G 네트워크와 고주파 RF 애플리케이션의 확산으로 더 빠른 데이터 전송과 저전력 소비를 지원하는 첨단 기판의 채택이 가속화되고 있습니다. 태양광 인버터, 풍력발전 컨버터 등 재생에너지 시스템의 부상도 SiC 기반 부품이 더 높은 에너지 변환 효율을 가능하게함으로써 시장 확대에 기여하고 있습니다. 반도체 연구와 국내 생산에 대한 정부의 노력과 자금 지원은 첨단 기판 기술의 성장을 더욱 촉진하고 있습니다. 반도체 재료의 기술 혁신이 진행되고 차세대 전자제품에 대한 투자가 증가함에 따라 SiC 온 인슐레이터 시장은 강력한 성장세를 보이며 고성능 반도체 제조의 미래를 형성할 것으로 보입니다.

부문

기판 유형(반절연성 SiC 기판, 전도성 SiC 기판), 웨이퍼 사이즈(100mm 사이즈, 150mm 사이즈, 200mm 사이즈), 애플리케이션(파워 디바이스 애플리케이션, RF 디바이스 애플리케이션, 기타 애플리케이션)

조사 대상 기업 사례

AI 통합

우리는 검증된 전문가 컨텐츠와 AI 툴을 통해 시장 정보와 경쟁 정보를 혁신하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 LLM 및 업계 고유의 SLM을 조회하는 일반적인 규범을 따르는 대신 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 방대한 양의 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사 소재지, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기준으로 기업의 경쟁력 변화를 예측하고 있습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 매출원가(COGS) 증가, 수익성 하락, 공급망 재편 등 미시적, 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예상됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

ksm
영문 목차

영문목차

Global SiC-On-Insulator and Other Substrates Market to Reach US$151.3 Million by 2030

The global market for SiC-On-Insulator and Other Substrates estimated at US$96.0 Million in the year 2024, is expected to reach US$151.3 Million by 2030, growing at a CAGR of 7.9% over the analysis period 2024-2030. Semi-insulating SiC Substrates, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 9.0% CAGR and reach US$110.1 Million by the end of the analysis period. Growth in the Conductive SiC Substrates segment is estimated at 5.1% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$26.2 Million While China is Forecast to Grow at 12.5% CAGR

The SiC-On-Insulator and Other Substrates market in the U.S. is estimated at US$26.2 Million in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$32.7 Million by the year 2030 trailing a CAGR of 12.5% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 3.9% and 7.6% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 5.2% CAGR.

Global SiC-On-Insulator and Other Substrates Market - Key Trends & Drivers Summarized

Why Is the Demand for SiC-On-Insulator and Other Substrates Increasing? Understanding Their Growing Role in Semiconductor Applications

The semiconductor industry is witnessing a paradigm shift with the increasing adoption of silicon carbide-on-insulator (SiC-OI) and other advanced substrates, primarily driven by the demand for high-performance electronics, power devices, and next-generation semiconductor components. As industries such as electric vehicles (EVs), telecommunications, aerospace, and renewable energy continue to expand, the need for materials that offer superior thermal conductivity, high voltage resistance, and energy efficiency has intensified. SiC-on-insulator technology provides significant advantages over traditional silicon-based semiconductors by enhancing power efficiency, reducing heat dissipation, and improving device longevity. Additionally, the rising demand for 5G infrastructure, high-frequency RF applications, and power electronics in industrial automation has further propelled the need for advanced substrate materials. The transition toward wide-bandgap semiconductors is reshaping the semiconductor manufacturing landscape, positioning SiC-OI as a key enabler of energy-efficient and high-performance electronics.

How Are Technological Advancements Enhancing SiC-On-Insulator and Other Substrate Materials? Exploring Innovations in Semiconductor Fabrication

Recent advancements in material science, epitaxial growth techniques, and wafer fabrication have significantly improved the performance, scalability, and cost-effectiveness of SiC-on-insulator and other specialized substrates. The development of larger SiC wafers, such as 200mm substrates, has increased manufacturing efficiency and reduced production costs, enabling mass adoption in high-power applications. Additionally, innovations in bonding and thinning techniques have enhanced the mechanical stability and electrical performance of SiC-based substrates, making them more suitable for high-voltage and high-temperature environments. The integration of AI-driven process control in wafer fabrication has further optimized yield rates, reducing defects and improving material consistency. Additionally, advancements in alternative substrates, such as gallium nitride (GaN) on silicon, sapphire, and diamond-based semiconductors, have expanded the range of options available for high-frequency and power applications. As semiconductor manufacturers continue to push the limits of material engineering, SiC-OI and other advanced substrates are becoming critical components in the evolution of high-efficiency electronics.

What Challenges Are Hindering the Growth of SiC-On-Insulator and Other Substrates? Addressing Market Constraints and Production Limitations

Despite their promising potential, the adoption of SiC-on-insulator and other advanced substrates faces several challenges, including high manufacturing costs, complex fabrication processes, and supply chain constraints. The production of high-quality SiC wafers requires precision engineering and specialized equipment, leading to higher costs compared to traditional silicon-based substrates. The limited availability of raw materials and the complexity of wafer processing have also resulted in supply chain bottlenecks, affecting the scalability of production. Additionally, the integration of SiC-based substrates into existing semiconductor manufacturing processes requires technological adaptations, increasing development time and costs for semiconductor manufacturers. Another challenge is the competition from alternative materials, such as GaN and diamond-based semiconductors, which offer distinct advantages in specific applications. Overcoming these challenges will require continued investments in research and development, process optimization, and strategic collaborations across the semiconductor ecosystem.

What’s Driving the Growth of the SiC-On-Insulator and Other Substrates Market? Identifying Key Expansion Factors

The growth in the SiC-on-insulator and other substrates market is driven by several factors, including the increasing adoption of power-efficient electronics, the expansion of the electric vehicle market, and advancements in 5G and high-frequency communication technologies. The push toward electrification in the automotive sector has created a strong demand for SiC-based power devices, which offer improved efficiency and reduced energy losses in EV powertrains and charging systems. Additionally, the deployment of 5G networks and high-frequency RF applications has accelerated the adoption of advanced substrates that support faster data transmission and lower power consumption. The rise of renewable energy systems, such as solar inverters and wind power converters, has also contributed to market expansion, as SiC-based components enable higher energy conversion efficiency. Government initiatives and funding for semiconductor research and domestic production have further bolstered the growth of advanced substrate technologies. With ongoing innovations in semiconductor materials and increasing investments in next-generation electronics, the SiC-on-insulator market is poised for strong growth, shaping the future of high-performance semiconductor manufacturing.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the SiC-On-Insulator and Other Substrates market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Substrate Type (Semi-insulating SiC Substrates, Conductive SiC Substrates); Wafer Size (100mm Size, 150mm Size, 200mm Size); Application (Power Devices Application, RF Devices Application, Other Applications)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; Spain; Russia; and Rest of Europe); Asia-Pacific (Australia; India; South Korea; and Rest of Asia-Pacific); Latin America (Argentina; Brazil; Mexico; and Rest of Latin America); Middle East (Iran; Israel; Saudi Arabia; United Arab Emirates; and Rest of Middle East); and Africa.

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