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세계의 질화갈륨(GaN) RF 디바이스 시장
Gallium Nitride (GaN) RF Devices
상품코드 : 1561844
리서치사 : Market Glass, Inc. (Formerly Global Industry Analysts, Inc.)
발행일 : 2024년 09월
페이지 정보 : 영문 369 Pages
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한글목차

세계의 질화갈륨(GaN) RF 디바이스 시장은 2030년까지 30억 달러에 도달

2023년에 14억 달러로 평가된 세계의 질화갈륨(GaN) RF 디바이스 시장은 분석 기간 2023년부터 2030년까지 CAGR 11.4%로 성장할 전망이며, 2030년에는 30억 달러에 이를 것으로 예측됩니다. 이 보고서에서 분석한 부문 중 하나인 통합 디바이스는 CAGR 12.0%로 성장을 지속하고, 분석 기간이 끝날 때 18억 달러에 도달할 것으로 예측됩니다. 이산 소자 분야의 성장률은 분석 기간 동안 CAGR 10.5%로 추정됩니다.

미국 시장은 3억 8,800만 달러로 추정, 중국은 CAGR 15.5%로 성장 예측

미국의 질화갈륨(GaN) RF 디바이스 시장은 2023년 3억 8,800만 달러로 평가되었습니다. 세계 2위 경제대국인 중국은 2030년까지 6억 5,620만 달러 규모에 이를 것으로 예측되며, 분석 기간 2023년부터 2030년까지 CAGR은 15.5%로 전망됩니다. 기타 주목할 만한 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있으며, 분석 기간 중 CAGR은 각각 8.5%와 9.9%로 예측되고 있습니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 약 9.0%로 성장할 것으로 예측됩니다.

세계의 질화갈륨(GaN) RF 디바이스 시장-주요 동향 및 촉진요인 요약

GaN RF 디바이스와 그 시장 의의 이해

질화갈륨(GaN) RF 디바이스는 탁월한 효율과 높은 전력 밀도로 알려져 있으며, 무선 주파수(RF) 용도에서 사용하기에 이상적입니다. 이러한 장치는 특히 고주파 및 고전력 환경에서 기존의 실리콘 기반 구성 요소를 능가합니다. GaN RF 디바이스는 높은 전압과 온도에서 높은 효율과 신뢰성으로 작동할 수 있기 때문에 군사, 위성 및 통신 용도에 널리 사용됩니다.

GaN RF 디바이스의 능력을 높이는 기술 개발

GaN RF 디바이스의 기술 개발은 성능을 높이고 용도 범위를 넓히는 데 매우 중요합니다. GaN 반도체 기술의 지속적인 개선은 전자 이동도를 향상시키고 보다 작고 효율적인 디바이스를 가능하게 했습니다. 다양한 시스템에 GaN 디바이스를 통합하는 것은 RF 용도에서 중요한 요소인 열 관리와 디바이스의 내구성을 향상시키는 패키징 기술의 발전으로 더욱 촉진되고 있습니다.

퍼지는 GaN RF 디바이스의 용도

레이더 시스템, 위성 통신 및 5G 네트워크에서 고성능 RF 구성요소 수요에 견인해 GaN RF 디바이스의 용도는 기존 분야를 넘어 상용 통신 및 자동차 산업으로 확대되고 있습니다. 자동차 분야에서는 충돌 회피 시스템 및 기타 레이더 용도에서 GaN RF 디바이스의 사용이 증가하고 있으며, 높은 출력과 효율은 시스템 성능을 크게 향상시킵니다.

GaN RF 디바이스 시장 성장의 원동력은?

GaN RF 디바이스 시장의 성장은 여러 요인에 의해 야기됩니다. 특히 고출력 및 고주파 컴포넌트를 필요로 하는 5G 인프라의 확장은 GaN RF 디바이스의 필요성을 강조합니다. 레이더와 통신 시스템을 위해 보다 견고하고 신뢰할 수 있는 RF 컴포넌트를 요구하는 군사 분야에 대한 수요도 중요한 역할을 합니다. 게다가 GaN 디바이스의 고성능에 의존하는 위성 기술의 진보는 시장 성장을 더욱 강화하고 있습니다. 통신 및 기타 분야에서는 보다 에너지 효율적인 기술을 요구하는 환경 규제가 GaN RF 디바이스의 채택을 뒷받침하고 있습니다. 이러한 추진 요인을 종합하면 최신 RF 용도에서 GaN의 기술적 중요성이 강조될 뿐만 아니라, 진화하는 기술 요구에 부응하는 이 시장 부문의 역동적인 성장도 부각됩니다.

조사 대상 기업 예(전 39건)

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

AJY
영문 목차

영문목차

Global Gallium Nitride (GaN) RF Devices Market to Reach US$3.0 Billion by 2030

The global market for Gallium Nitride (GaN) RF Devices estimated at US$1.4 Billion in the year 2023, is expected to reach US$3.0 Billion by 2030, growing at a CAGR of 11.4% over the analysis period 2023-2030. Integrated Devices, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 12.0% CAGR and reach US$1.8 Billion by the end of the analysis period. Growth in the Discrete Devices segment is estimated at 10.5% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$388.0 Million While China is Forecast to Grow at 15.5% CAGR

The Gallium Nitride (GaN) RF Devices market in the U.S. is estimated at US$388.0 Million in the year 2023. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$656.2 Million by the year 2030 trailing a CAGR of 15.5% over the analysis period 2023-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 8.5% and 9.9% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 9.0% CAGR.

Global Gallium Nitride (GaN) RF Devices Market - Key Trends & Drivers Summarized

Understanding GaN RF Devices and Their Market Significance

Gallium Nitride (GaN) RF devices are known for their exceptional efficiency and high power density, making them ideal for use in radio frequency (RF) applications. These devices outperform traditional silicon-based components, especially in high-frequency and high-power settings. GaN RF devices are extensively used in military, satellite, and telecommunications applications due to their ability to operate at higher voltages and temperatures with greater efficiency and reliability.

Technological Developments Enhancing GaN RF Device Capabilities

The technological development of GaN RF devices has been pivotal in enhancing their performance and broadening their application scope. Continuous improvements in GaN semiconductor technology have led to better electron mobility, allowing for more compact and efficient devices. The integration of GaN devices into various systems has been further facilitated by advancements in packaging technologies that enhance thermal management and device durability, critical factors in RF applications.

Expanding Applications of GaN RF Devices

The use of GaN RF devices has expanded beyond traditional sectors to include commercial telecommunications and automotive industries, driven by the demand for high-performance RF components in radar systems, satellite communications, and 5G networks. In the automotive sector, GaN RF devices are increasingly utilized in collision avoidance systems and other radar applications, where their high power and efficiency significantly improve system performance.

What Drives the Growth of the GaN RF Devices Market?

The growth in the GaN RF devices market is driven by several factors. The ongoing expansion of 5G infrastructure, requiring high-power and high-frequency components, particularly underscores the need for GaN RF devices. The military sector's demand for more robust and reliable RF components for radar and communication systems also plays a crucial role. Additionally, advancements in satellite technology, which depend on the high-performance capabilities of GaN devices, further propel the market growth. Environmental regulations pushing for more energy-efficient technologies in telecommunications and other sectors boost the adoption of GaN RF devices. Collectively, these drivers not only underscore the technological importance of GaN in modern RF applications but also highlight the dynamic growth of this market segment in response to evolving technological needs.

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TABLE OF CONTENTS

I. METHODOLOGY

II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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