와이드 밴드 갭 반도체 시장 규모, 점유율, 성장 및 세계 산업 분석 : 유형별 및 용도별, 지역별 인사이트와 예측(2026-2034년)
Wide Band Gap Semiconductor Market Size, Share, Growth and Global Industry Analysis By Type & Application, Regional Insights and Forecast to 2026-2034
상품코드:1930201
리서치사:Fortune Business Insights Pvt. Ltd.
발행일:2026년 01월
페이지 정보:영문 150 Pages
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와이드밴드갭(WBG) 반도체 시장의 성장 요인
세계 WBG(Wide Band Gap) 반도체 시장은 고효율 전력 및 고주파 전자소자에 대한 수요 증가로 인해 강한 성장세를 보이고 있습니다. 2025년 시장 규모는 23억 8,000만 달러로 평가되었고, 2026년 27억 2,000만 달러에서 2034년까지 77억 달러로 성장할 것으로 예측 기간 중 13.88%의 연평균 복합 성장률(CAGR)을 보일 것으로 예측됩니다. 아시아태평양은 강력한 제조 능력과 첨단 기술의 급속한 보급에 힘입어 2025년 42.02%의 점유율로 시장을 주도할 것으로 예측됩니다.
와이드 밴드갭 반도체에는 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등의 재료가 포함됩니다. 이 소재들은 기존 실리콘에 비해 높은 열 안정성, 높은 항복 전압, 낮은 전력 손실, 가혹한 조건에서의 작동 능력 등 우수한 특성을 제공합니다. 그 결과, 와이드밴드갭 반도체는 자동차, 통신, 전력전자, 가전제품, 재생에너지 시스템 등 다양한 분야에서 점점 더 많이 활용되고 있습니다.
시장 동향
시장을 형성하는 가장 두드러진 동향 중 하나는 전기자동차(EV), 재생에너지 시스템, 5G 인프라에서 SiC 및 GaN 재료의 채택이 확대되고 있다는 점입니다. 전기자동차에서 이러한 재료는 전력 인버터, 차량용 충전기, 급속 충전소 등에 널리 사용되어 에너지 효율이 높고 주행거리가 길어지고 있습니다. 마찬가지로 태양광 인버터 및 풍력발전 컨버터와 같은 재생에너지 용도에서도 WBG 반도체는 전력 변환 효율과 시스템 내구성을 향상시켜 세계 지속가능성 목표를 지원하고 있습니다.
시장 성장 촉진요인
5G 통신 인프라의 급속한 확장은 시장 성장의 주요 촉진요인입니다. 고주파 및 고전력 네트워크 구축에는 가혹한 조건에서도 작동할 수 있는 부품이 필요합니다. 질화갈륨(GaN)은 특히 이러한 용도에 적합하며, 5G 기지국, 고주파 증폭기, 신호 전송 장치에 널리 사용되고 있습니다. 2024년까지 전 세계에서 320개 이상의 상용 5G 네트워크가 출시될 것으로 예상되며, 와이드밴드갭 반도체에 대한 수요는 꾸준히 증가하고 있습니다.
시장 성장 억제요인
견고한 성장 전망에도 불구하고 시장은 높은 제조 비용과 관련된 문제에 직면해 있습니다. SiC 및 GaN 소자 제조에는 특수 장비, 복잡한 제조 공정, 숙련된 인력이 필요하며, 기존 실리콘 기반 반도체보다 더 많은 비용이 소요됩니다. 또한 공급업체의 제한된 가용성 및 기존 시스템과의 통합 문제로 인해 비용 중심의 용도에서 채택이 지연될 수 있습니다.
시장 기회
세계 전기자동차(EV) 수요의 확대는 시장 관계자들에게 큰 기회가 될 것입니다. 2023년에는 전 세계에서 약 1,400만 대의 신규 전기자동차가 추가되어 총 전기자동차 보유량이 4,000만 대에 달할 것으로 예측됩니다. 각국 정부가 보조금과 배출가스 규제를 통해 전기자동차 도입을 촉진하는 가운데, 고성능 파워 일렉트로닉스 수요는 가속화될 것으로 예상되며, 향후 수년간 와이드밴드갭 반도체 수요를 더욱 끌어올릴 것으로 전망됩니다.
부문 분석
재료 유형별로는 고출력 및 고온 응용 분야에서 우수한 성능으로 인해 실리콘 카바이드(SiC)가 2026년 57.13%의 점유율을 차지하며 시장을 주도하고 있습니다. 질화갈륨(GaN)은 5G 및 RF 용도 수요 증가에 힘입어 가장 빠른 성장을 기록할 것으로 예측됩니다.
디바이스 유형별로는 파워 디바이스가 2026년 48.38%의 점유율로 시장을 주도할 것으로 예측됩니다. 이는 전기자동차(EV), 재생에너지, 산업 시스템에서 광범위하게 활용되고 있기 때문입니다. RF 디바이스는 예측 기간 중 가장 높은 CAGR로 성장할 것으로 예측됩니다.
최종사용자별로는 자동차 부문이 EV의 급속한 보급으로 가장 큰 점유율(2026년 기준 29.48%)을 차지할 것으로 예측됩니다. 소비자용 전자기기 분야는 GaN 기반 급속 충전기 및 소형 전원 어댑터의 이용 확대에 힘입어 견고한 성장이 예상됩니다.
지역별 전망
2026년 아시아태평양은 11억 6,000만 달러로 평가되었고, 중국, 일본, 한국, 인도의 강력한 반도체 제조 생태계에 힘입어 가장 높은 CAGR로 성장할 것으로 예측됩니다. 북미는 기술 혁신과 전기자동차 보급에 힘입어 2026년 7억 5,000만 달러로 그 뒤를 이을 것으로 예측됩니다. 유럽은 친환경 에너지 정책과 자동차 전동화를 배경으로 2026년에는 5억 8,000만 달러에 달할 것으로 예측됩니다.
목차
제1장 도입
제2장 개요
제3장 시장 역학
거시 및 미시경제 지표
촉진요인, 억제요인, 기회 및 동향
제4장 경쟁 구도
주요 기업이 채택하는 사업 전략
주요 기업의 통합 SWOT 분석
세계의 와이드 밴드 갭 반도체 주요 기업(상위 3-5사)의 시장 점유율/순위(2025년)
제5장 세계의 와이드 밴드 갭 반도체 시장 규모 추정·예측 : 부문별(2021-2034년)
주요 조사 결과
재료 유형별
탄화규소(SiC)
질화갈륨(GaN)
기타(질화 알루미늄(AIN), 다이아몬드 등)
디바이스 유형별
파워 디바이스
고주파 디바이스
광전자 디바이스
최종사용자별
자동차
가전제품
통신
항공우주·방위
에너지·전력
기타(의료 등)
지역별
북미
남미
유럽
중동 및 아프리카
아시아태평양
제6장 북미의 와이드 밴드 갭 반도체 시장 추산·예측(부문별, 2021-2034년)
국가별
미국
캐나다
멕시코
제7장 남미의 와이드 밴드 갭 반도체 시장 추산·예측(부문별, 2021-2034년)
국가별
브라질
아르헨티나
기타 남미 국가
제8장 유럽의 와이드 밴드 갭 반도체 시장 추산·예측(부문별, 2021-2034년)
국가별
영국
독일
프랑스
이탈리아
스페인
러시아
베네룩스
북유럽 국가
기타 유럽
제9장 중동 및 아프리카의 와이드 밴드 갭 반도체 시장 추산·예측(부문별, 2021-2034년)
국가별
튀르키예
이스라엘
GCC
북아프리카
남아프리카공화국
기타 중동 및 아프리카
제10장 아시아태평양의 와이드 밴드 갭 반도체 시장 추산·예측(부문별, 2021-2034년)
국가별
중국
인도
일본
한국
ASEAN
오세아니아
기타 아시아태평양
제11장 주요 10사의 기업 개요
Infineon Technologies AG
STMicroelectronics
NXP Semiconductors
ROHM Co., Ltd.
Macom Technology Solutions
TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES &STORAGE CORPORATION
Mitsubishi Electric
Fuji Electric Co., Ltd.
Vishay Intertechnology, Inc.
Nexperia
KSA
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Growth Factors of wide band gap (WBG) semiconductor Market
The global wide band gap (WBG) semiconductor market is witnessing strong momentum due to the rising demand for high-efficiency power and high-frequency electronic devices. In 2025, the market was valued at USD 2.38 billion and is projected to grow from USD 2.72 billion in 2026 to USD 7.70 billion by 2034, registering a compound annual growth rate (CAGR) of 13.88% during the forecast period. Asia Pacific dominated the market with a share of 42.02% in 2025, driven by strong manufacturing capabilities and rapid adoption of advanced technologies.
Wide band gap semiconductors include materials such as silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminum nitride (AlN), and others. These materials offer superior properties compared to conventional silicon, including high thermal stability, high breakdown voltage, low power loss, and the ability to operate under extreme conditions. As a result, WBG semiconductors are increasingly used across automotive, telecommunications, power electronics, consumer electronics, and renewable energy systems.
Market Trends
One of the most prominent trends shaping the market is the growing adoption of SiC and GaN materials across electric vehicles (EVs), renewable energy systems, and 5G infrastructure. In EVs, these materials are widely used in power inverters, onboard chargers, and fast-charging stations, enabling higher energy efficiency and longer driving ranges. Similarly, in renewable energy applications such as solar inverters and wind power converters, WBG semiconductors enhance power conversion efficiency and system durability, supporting global sustainability goals.
Market Drivers
The rapid expansion of 5G telecommunications infrastructure is a major driver of market growth. The deployment of high-frequency, high-power networks requires components capable of operating under demanding conditions. Gallium nitride (GaN) is particularly suited for these applications and is widely used in 5G base stations, RF amplifiers, and signal transmission equipment. With over 320 commercial 5G networks launched globally by 2024, demand for WBG semiconductors continues to rise steadily.
Market Restraints
Despite strong growth prospects, the market faces challenges related to high production costs. Manufacturing SiC and GaN devices requires specialized equipment, complex fabrication processes, and skilled labor, making them more expensive than traditional silicon-based semiconductors. Additionally, limited supplier availability and integration challenges with existing systems may slow adoption in cost-sensitive applications.
Market Opportunities
The growing global demand for electric vehicles presents a significant opportunity for market players. In 2023, nearly 14 million new electric cars were added worldwide, increasing the total EV population to 40 million. As governments promote EV adoption through incentives and emission regulations, the need for high-performance power electronics is expected to accelerate, further boosting demand for WBG semiconductors in the coming years.
Segmentation Analysis
By material type, silicon carbide (SiC) dominates the market, accounting for 57.13% share in 2026, due to its superior performance in high-power and high-temperature applications. Gallium nitride (GaN) is expected to record the fastest growth, driven by increasing demand in 5G and RF applications.
By device type, power devices lead the market with a 48.38% share in 2026, owing to their widespread use in EVs, renewable energy, and industrial systems. RF devices are projected to grow at the highest CAGR during the forecast period.
By end-user, the automotive segment holds the largest share (29.48% in 2026) due to rapid EV adoption. Consumer electronics is expected to witness strong growth, supported by increasing use of GaN-based fast chargers and compact power adapters.
Regional Outlook
In 2026, Asia Pacific is valued at USD 1.16 billion and is expected to grow at the highest CAGR, supported by strong semiconductor manufacturing ecosystems in China, Japan, South Korea, and India. North America follows with USD 0.75 billion in 2026, driven by technological innovation and EV adoption. Europe is projected to reach USD 0.58 billion in 2026, supported by green energy initiatives and automotive electrification.
Conclusion
The wide band gap semiconductor market is poised for sustained growth from 2025 to 2034, driven by the transition toward electric mobility, renewable energy, and advanced communication technologies. While high production costs remain a challenge, continued technological advancements, increasing investments, and rising demand for energy-efficient solutions are expected to support long-term market expansion.
Segmentation By Material Type, Device Type, End-user, and Region
Segmentation By Material Type
Silicon Carbide (SiC)
Gallium Nitride (GaN)
Others (Aluminium Nitride (AIN), Diamond, etc.)
By Device Type
Power Devices
RF Devices
Optoelectronic Devices
By End-user
Automotive
Consumer Electronics
Telecommunications
Aerospace & Defense
Energy & Power
Others (Healthcare)
By Region
North America (By Material Type, By Device Type, By End-user, and Region)
U.S. (By End-user)
Canada (By End-user)
Mexico (By End-user)
South America (By Material Type, By Device Type, By End-user, and Region)
Brazil (By End-user)
Argentina (By End-user)
Rest of South America
Europe (By Material Type, By Device Type, By End-user, and Region)
U.K. (By End-user)
Germany (By End-user)
France (By End-user)
Italy (By End-user)
Spain (By End-user)
Russia (By End-user)
Benelux (By End-user)
Nordics (By End-user)
Rest of Europe
Middle East & Africa (By Material Type, By Device Type, By End-user, and Region)
Turkey (By End-user)
Israel (By End-user)
GCC (By End-user)
North Africa (By End-user)
South Africa (By End-user)
Rest of the Middle East & Africa
Asia Pacific (By Material Type, By Device Type, By End-user, and Region)
China (By End-user)
Japan (By End-user)
India (By End-user)
South Korea (By End-user)
ASEAN (By End-user)
Oceania (By End-user)
Rest of Asia Pacific
Companies Profiled in the Report * Infineon Technologies AG (Germany)
