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전 세계 고온용 반도체 소자 시장 규모는 2024년 118억 달러에서 예측 기간 동안 CAGR 9.4%로 성장하여 2029년에는 185억 달러에 달할 것으로 예상됩니다.

실리콘 시장은 2024년 84억 달러에서 예측 기간 동안 8.9%의 CAGR로 2029년에는 128억 달러에 달할 것으로 예상됩니다. III-V족 재료 시장은 2024년 34억 달러에서 예측 기간 동안 10.6%의 CAGR로 2029년에는 57억 달러에 달할 것으로 예상됩니다.

세계의 고온용 반도체 소자 시장을 조사했으며, 시장 개요, 시장 영향요인 및 시장 기회 분석, 시장 규제 환경, 신기술 및 기술개발 동향, 시장 규모 추정과 예측, 각종 부문별·지역별 상세 분석, 경쟁 상황, 주요 기업 개요 등의 정보를 정리하여 전해드립니다.

목차

제1장 주요 요약

• 시장 전망
• 조사 범위
• 시장 요약
• 시장 역학과 성장 촉진요인
• 신기술
• 부문 분석
• 지역별 인사이트와 신흥 시장
• 결론

제2장 시장 개요

• 현재 시장 시나리오와 향후 기대
• 거시경제 요인 분석
• 인플레이션 상승과 노동력 부족의 영향
• 환율 변동
• 지정학적 긴장과 무역 동향
• Porter's Five Forces 분석
• 밸류체인 분석
• 규제 상황

제3장 시장 역학

• 중요 포인트
• 시장 성장 촉진요인
• UWBG 재료의 출현
• 고온 전자기기 수요 증가
• 전기항공기와 EV 수요 증가
• 시장 성장 억제요인
• 반도체 소자 설계, 테스트, 제조의 복잡성
• 특수 재료 비용 상승
• 패키징 제한과 표준화된 테스트의 결여
• 시장 기회
• 정부 이니셔티브와 협력 확대
• 초고온 일렉트로닉스의 진보
• 세계의 우주 탐사 증가

제4장 최신 동향과 기술

• 개요
• 최신 동향
• 고온 SiC 기술과 제조의 진보
• 실리콘 이상의 초고온 반도체 재료에 대한 주목 상승
• 신기술
• 신뢰성 높은 고온 반도체 동작을 가능하게 하는 패키징의 혁신
• 강유전체 비휘발성 메모리(NVM)와 열관리의 혁신
• 특허 분석
• 지리적 패턴
• 주요 조사 결과

제5장 시장 세분화 분석

• 세분화 내역
• 시장 내역 : 재료별
• 중요 포인트
• 실리콘
• III-V족 재료
• 갈륨비소(GaAs)
• 질화갈륨(GaN)
• 탄화규소(SiC)
• 기타
• 시장 내역 : 소자 유형별
• 중요 포인트
• 마이크로컨트롤러 & 프로세싱
• 전력 반도체
• 전력 관리·제어
• 기타
• 시장 내역 : 동작 온도별
• 중요 포인트
• 126°C-250°C
• 250°C 이상
• 시장 내역 : 산업별
• 중요 포인트
• 산업·계측 기기
• 자동차
• 항공우주 및 방위
• 에너지·전력
• 기타
• 지역적 내역
• 시장 내역 : 지역별
• 중요 포인트
• 북미
• 유럽
• 아시아태평양
• 기타 지역

제6장 경쟁 정보

• 중요 포인트
• 시장 생태계 분석
• 주요 기업 분석
• Infineon Technologies AG
• NXP Semiconductors
• TDK Corp.
• 전략 분석

제7장 고온용 반도체 소자 산업의 지속가능성 : ESG 관점

• 중요 포인트
• 고온용 반도체 소자 시장의 주요 ESG 문제
• 고온용 반도체 소자의 주요 환경 문제
• 고온용 반도체 소자의 사회적 책임
• 고온용 반도체 소자 거버넌스
• ESG 퍼포먼스 분석
• 환경 퍼포먼스
• 사회적 퍼포먼스
• 거버넌스 퍼포먼스
• 고온용 반도체 소자 시장의 ESG 현황
• BCC의 결론

제8장 부록

• 조사 방법
• 약어
• 기업 개요
• ALLEGRO MICROSYSTEMS INC.
• ANALOG DEVICES INC.
• CISSOID
• FUJITSU
• GENERAL ELECTRIC CO.
• HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
• INFINEON TECHNOLOGIES AG
• LATTICE SEMICONDUCTOR
• MITSUBISHI ELECTRIC CORP.
• NXP SEMICONDUCTORS
• QORVO INC.
• RENESAS ELECTRONICS CORP.
• RTX
• TDK CORP.
• TEXAS INSTRUMENTS INC.
• TOSHIBA CORP.
• WOLFSPEED INC.

영문목차

The global market for semiconductor devices for high-temperature applications is estimated to increase from $11.8 billion in 2024 to reach $18.5 billion by 2029, at a compound annual growth rate (CAGR) of 9.4% from 2024 through 2029.

The silicon market for semiconductor devices for high-temperature applications is estimated to increase from $8.4 billion in 2024 to reach $12.8 billion by 2029, at a CAGR of 8.9% from 2024 through 2029.

The III-V materials market for semiconductor devices for high-temperature applications is estimated to increase from $3.4 billion in 2024 to reach $5.7 billion by 2029, at a CAGR of 10.6% from 2024 through 2029.

Report Scope

This report provides an overview of the global semiconductor devices for high-temperature applications market and analyzes market trends. It provides the global revenue (in $ millions) for segments and regions, considering 2023 as the base year, with estimated market data for 2024 through 2029. The market is based on materials, device types, operating temperatures, industries and regions. Geographical segments covered are North America (U.S., Canada, Mexico), Europe (U.K., Germany, France, Italy, Rest of Europe), Asia-Pacific (China, Japan, South Korea, Rest of Asia-Pacific) and the Rest of the World (RoW), which includes South America, Middle East and Africa. The report also focuses on emerging technologies and vendor landscape. It concludes with profiles of the major players in the market.

Report Includes

• 59 data tables and 54 additional tables
• An analysis of the global market for semiconductor devices for high-temperature applications
• Analyses of the global market trends, with data from 2023, estimates for 2024, forecasts for 2025 and 2026, and projections of compound annual growth rates (CAGRs) through 2029
• Evaluation of the market potential for semiconductor devices for high- temperature applications, industry growth drivers, and forecasts for this market's segments and sub-segments
• Estimates of the actual market size and revenue forecast for the global market for semiconductor devices for high-temperature applications, and a corresponding market share analysis by material type, device type, operating temperature, industry and region
• Description of gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC) and gallium arsenide (GaAs); their products and applications
• Discussion of the market dynamics and shifts, and the regulations, industry challenges, and macroeconomic factors affecting the demand for semiconductor devices for high-temperature applications
• Discussion on the industry's ESG challenges and practices
• Identification of the companies that are best positioned to meet this demand because of their proprietary technologies, strategic alliances or other advantages
• Insights into the industry structure for semiconductor devices for high-temperature applications, and the competitive landscape
• Company profiles of major players within the industry, including Infineon Technologies AG, NXP Semiconductors, TDK Corp., Wolfspeed Inc., and Allegro MicroSystems LLC.

Table of Contents

Chapter 1 Executive Summary

• Market Outlook
• Scope of Report
• Market Summary
• Market Dynamics and Growth Factors
• Emerging Technologies
• Segmental Analysis
• Regional Insights and Emerging Markets
• Conclusion

Chapter 2 Market Overview

• Current Market Scenario and Future Expectations
• Macro-Economic Factors Analysis
• Impact of Rising Inflation and Labor Shortages
• Currency Exchange Rate Fluctuations
• Geopolitical Tension and Trade Dynamics
• Porter's Five Force Analysis
• Value Chain Analysis
• Regulatory Landscape

Chapter 3 Market Dynamics

• Key Takeaways
• Market Drivers
• Emergence of UWBG Materials
• Growing Demand for High-Temperature Electronics
• Growing Demand for Electric Aircraft and EVs
• Market Restraints
• Complexity in Design, Testing and Manufacturing for Semiconductor Devices
• Higher Cost of Specialized Materials
• Packaging Limitations and Absence of Standardized Testing
• Market Opportunities
• Growing Government Initiatives and Collaborative Efforts
• Advancing Ultra-High-Temperature Electronics
• Increasing Global Space Exploration

Chapter 4 Emerging Trends and Technologies

• Overview
• Emerging Trends
• Advances in High-Temperature SiC Technologies and Manufacturing
• Rising Focus on Ultra-High-Temperature Semiconductors Materials Beyond Silicon
• Emerging Technologies
• Packaging Innovations Enabling Reliable High-Temperature Semiconductor Operation
• Ferroelectric Non-volatile Memory (NVM) and Thermal Management Innovations
• Patent Analysis
• Geographical Patterns
• Key Findings

Chapter 5 Market Segmentation Analysis

• Segmentation Breakdown
• Market Breakdown by Materials
• Key Takeaways
• Silicon
• III-V materials
• Gallium Arsenide (GaAs)
• Gallium Nitride (GaN)
• Silicon Carbide (SiC)
• Others
• Market Breakdown by Device Types
• Key Takeaways
• Microcontrollers and Processing
• Power Semiconductors
• Power Management and Control
• Others
• Market Breakdown by Operating Temperature
• Key Takeaways
• 126°C to 250°C
• Higher than 250°C
• Market Breakdown by Industry
• Key Takeaways
• Industrial and Instrumentation
• Automotive
• Aerospace and Defense
• Energy and Power
• Others
• Geographic Breakdown
• Market Breakdown by Region
• Key Takeaways
• North America
• Europe
• Asia-Pacific
• Rest of the World

Chapter 6 Competitive Intelligence

• Key Takeaways
• Market Ecosystem Analysis
• Analysis of Key Companies
• Infineon Technologies AG
• NXP Semiconductors
• TDK Corp.
• Strategic Analysis

Chapter 7 Sustainability in the Semiconductor Devices for High-Temperature Applications Industry: An ESG Perspective

• Key Takeaways
• Key ESG Issues in the Semiconductor Devices for High-Temperature Applications Market
• Key Environmental Issues in Semiconductor Devices for High-Temperature Applications
• Social Responsibility in Semiconductor Devices for High-Temperature Applications
• Governance in Semiconductor Devices for High-Temperature Applications
• ESG Performance Analysis
• Environmental Performance
• Social Performance
• Governance Performance
• Current Status of ESG in the Semiconductor Devices for High-Temperature Applications Market
• Concluding Remarks from BCC Research

Chapter 8 Appendix

• Methodology
• Abbreviations
• Company Profiles
• ALLEGRO MICROSYSTEMS INC.
• ANALOG DEVICES INC.
• CISSOID
• FUJITSU
• GENERAL ELECTRIC CO.
• HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
• INFINEON TECHNOLOGIES AG
• LATTICE SEMICONDUCTOR
• MITSUBISHI ELECTRIC CORP.
• NXP SEMICONDUCTORS
• QORVO INC.
• RENESAS ELECTRONICS CORP.
• RTX
• TDK CORP.
• TEXAS INSTRUMENTS INC.
• TOSHIBA CORP.
• WOLFSPEED INC.