세계의 질화갈륨(GaN) 전력 충전기 시장은 2025년 9억 6,000만 달러에서 2031년까지 39억 4,000만 달러에 이르고, CAGR 26.53%를 달성할 것으로 예측됩니다.
본 시장에서는 기존 실리콘 대신 질화갈륨 반도체를 채택한 전원 어댑터가 대상이며, 소형 설계이면서도 우수한 에너지 효율과 높은 전력 밀도를 실현합니다. 이러한 성장은 주로 고속 충전에 대한 소비자 수요 증가, 소형화되는 가전제품의 산업 동향, 와이드 밴드갭 기술을 권장하는 정부의 엄격한 에너지 절약 규제에 의해 주도되고 있습니다. 이러한 확장을 뒷받침하는 것은 탄탄한 공급망이며, SEMI의 2025년 데이터에 따르면, 세계 반도체 생산 능력은 2024년 말부터 2028년까지 연평균 7%의 성장률을 보일 것으로 예측됩니다.
| 시장 개요 | |
|---|---|
| 예측 기간 | 2027-2031년 |
| 시장 규모 : 2025년 | 9억 6,000만 달러 |
| 시장 규모 : 2031년 | 39억 4,000만 달러 |
| CAGR : 2026-2031년 | 26.53% |
| 가장 성장이 빠른 부문 | IT 및 통신 |
| 최대 시장 | 북미 |
이러한 성장에도 불구하고, 질화갈륨은 기존 실리콘 대체재에 비해 높은 제조 비용으로 인해 시장 진입에 큰 장벽에 직면해 있습니다. 복잡한 에피택셜 성장 공정과 특수 기판의 필요성으로 인해 최종 제품의 가격이 높아져 가격에 민감한 소비자층에서 채택이 제한되고, 개발도상국에서 시장 침투가 지연될 수 있습니다.
시장의 주요 촉진요인은 급속 충전 기능에 대한 소비자 수요 증가입니다. 사용자들이 급속 충전이 가능한 디바이스를 점점 더 중요시하는 가운데, 빠른 전력 공급의 필요성으로 인해 제조업체들은 실리콘보다 더 나은 전력 밀도를 제공하는 질화갈륨(GaN) 부품을 채택할 수밖에 없습니다. 이를 통해 더 작은 크기의 고출력 어댑터를 제조할 수 있습니다. 재무 보고서는 이러한 채용 추세를 반영하고 있으며, 예를 들어, 나비투스 반도체는 2025년 2월 발표한 '2024년 4분기 및 연간 실적'에서 모바일 및 컨슈머 분야를 중심으로 GaN 관련 수익이 전년 대비 50% 이상 증가했다고 보고했습니다. 또한, ST마이크로일렉트로닉스는 지난 3월 'ST마이크로일렉트로닉스와 이노사이언스, GaN 기술 계약 체결'을 통해 이노사이언스가 10억 개 이상의 GaN 디바이스를 출하했다고 발표하며, 제조 측면의 발전도 도입 규모를 뒷받침하고 있습니다.
동시에, 상호 운용성을 의무화하는 범용 USB-C 전력 공급 표준의 보급으로 업계가 재편되고 있습니다. 공통 충전 인터페이스에 대한 요구는 여러 장치를 효율적으로 구동할 수 있는 다용도 GaN 충전기의 개발을 촉진하고, 이는 독자적인 표준 충전 어댑터를 대체할 것으로 예측됩니다. 유럽연합 집행위원회가 2024년 12월 발표한 'EU 공통 충전기 규정'에 따르면, 이러한 표준화된 규제를 통해 연간 약 1만 1,000톤의 전자폐기물 발생을 방지할 수 있을 것으로 예상하고 있습니다. 이러한 규제 전환은 효율적인 전력 변환 시스템 개발을 가속화하고, 환경 표준을 준수하고 세계 컴플라이언스 요건을 충족하는 데 있어 GaN의 역할을 확고히 하고 있습니다.
질화갈륨(GaN) 제조에 내재된 높은 생산비용은 세계 GaN 충전기 시장 확대를 제한하는 중요한 병목현상이 되고 있습니다. 풍부한 원자재와 성숙한 제조 공정을 갖춘 실리콘과 달리, GaN 소자는 복잡한 에피택셜 성장 기술과 특수 기판이 필요하기 때문에 부품 원가가 크게 상승합니다. 그 결과, 제조업체는 최종 제품 가격을 높게 책정할 수 밖에 없어 가격에 민감한 소비자를 멀리하게 되고, 비용에 민감한 개발도상국에서 시장 보급이 늦어지고 있습니다.
이러한 경제적 열위는 기존 실리콘 산업과 비교하여 규모의 경제가 부족하여 더욱 악화되고 있습니다. 실리콘 산업에서는 막대한 생산량으로 최소한의 단가를 실현하고 있지만, GaN은 현재로서는 이에 필적할 수 없습니다. SEMI의 2024년 데이터에 따르면, 전 세계 디스크리트 반도체 생산능력은월약 4억 4천만 개에 달할 것으로 예상되지만, 이는 업계 전체월3,000만 개가 넘는 총 생산능력의 극히 일부에 불과합니다. 이러한 생산량의 큰 격차는 GaN 제조업체가 대량 생산 시장에서 실리콘과 직접 경쟁하기 위해 필요한 비용 효율성을 달성하는 데 필요한 과제를 강조하고 있으며, 그 결과 이 기술은 주로 고급 전자기기 액세서리에만 국한되어 있습니다.
세계 GaN 전력 충전기 시장은 전기자동차(EV) 차량용 충전 시스템에 질화갈륨 기술 통합이 두드러진 특징입니다. 각 제조업체들은 GaN의 고주파 스위칭 특성을 활용하여 차량용 충전기(OBC)와 DC-DC 컨버터의 소형화 및 경량화를 실현하고, 차량의 항속거리와 효율을 향상시키기 위해 GaN의 고주파 스위칭 특성을 활용하여 차량용 전자기기에서 자동차용으로 확대 적용하고 있습니다. 실리콘과 실리콘 카바이드에서 GaN으로의 전환은 상업적 파이프라인에서 구체화되고 있습니다. 나비타스 반도체는 2025년 2월 발표한 '2024년 4분기 및 연간 실적 발표'에서 GaN 기반 전기차 차량용 충전기용 설계를 최초로 채택한 것을 확인했습니다. 이 제품은 2026년 양산을 계획하고 있으며, GaN이 고신뢰성 자동차 파워트레인 분야에 본격 진출하는 계기가 될 것입니다.
동시에 산업용 및 로봇 충전 분야로 시장 침투도 눈에 띄게 진행되고 있습니다. 이는 자동화 및 재생 에너지 산업에서 견고하고 컴팩트한 전원 공급 장치에 대한 수요에 힘입은 것입니다. 산업용 로봇, 드론, 태양광 인버터는 가혹한 환경에서도 최소한의 열 부하로 안정적으로 작동할 수 있는 전력 변환 시스템을 필요로 하며, GaN 반도체는 이러한 요구사항을 효과적으로 충족하고 있습니다. 이러한 다각화는 상업적 관심의 확대로 입증되고 있습니다. 나비타스 세미컨덕터는 2025년 2월 '2024년 4분기 및 연간 실적 보고'에서 태양광, 가전, 산업용 분야에서 170개 이상의 고객사를 확보하며 파이프라인이 강화되고 있다고 보고했습니다. 이는 GaN 기술이 산업 자동화 및 그린 에너지 인프라의 중요한 원동력이 되는 전략적 전환점을 강조하고 있습니다.
The Global GaN Powered Charger Market is projected to expand from USD 0.96 Billion in 2025 to USD 3.94 Billion by 2031, achieving a Compound Annual Growth Rate (CAGR) of 26.53%. This market involves power adapters that utilize Gallium Nitride semiconductors instead of traditional silicon, allowing for superior energy efficiency and higher power density in smaller designs. The growth is primarily fueled by rising consumer demand for fast charging and the industry's trend toward smaller consumer electronics, alongside strict government energy conservation mandates that favor wide bandgap technologies. Supporting this expansion is a robust supply chain; according to SEMI's 2025 data, global semiconductor manufacturing capacity is expected to increase at a compound annual growth rate of 7 percent between late 2024 and 2028.
| Market Overview | |
|---|---|
| Forecast Period | 2027-2031 |
| Market Size 2025 | USD 0.96 Billion |
| Market Size 2031 | USD 3.94 Billion |
| CAGR 2026-2031 | 26.53% |
| Fastest Growing Segment | IT & Telecommunication |
| Largest Market | North America |
Despite this growth, the market encounters a significant hurdle due to the high production costs of Gallium Nitride fabrication compared to established silicon alternatives. The complex epitaxial growth process and the requirement for specialized substrates result in higher prices for the final products, which can restrict adoption among price-sensitive consumers and slow market penetration in developing economies.
Market Driver
A primary catalyst driving the market is the escalating consumer demand for rapid charging capabilities, as users increasingly prioritize devices that can recharge quickly. This necessity for high-speed power delivery urges manufacturers to adopt Gallium Nitride (GaN) components, which provide superior power density over silicon, facilitating the production of smaller, more powerful adapters. Financial reports reflect this adoption; for instance, Navitas Semiconductor reported in its 'Fourth Quarter and Full Year 2024 Financial Results' in February 2025 that its GaN revenue increased by over 50 percent year-over-year, led by the mobile and consumer sectors. Furthermore, manufacturing milestones underscore the scale of deployment, with STMicroelectronics announcing in March 2025, within the 'STMicroelectronics and Innoscience sign GaN technology agreement', that Innoscience has shipped over 1 billion GaN devices.
Simultaneously, the industry is being reshaped by the widespread adoption of universal USB-C Power Delivery standards which mandate interoperability. These requirements for a common charging interface encourage the creation of versatile GaN chargers that can efficiently power multiple devices, thereby replacing proprietary charging bricks. According to a December 2024 publication by the European Commission titled 'EU common charger rules', these standardized regulations are expected to prevent approximately 11,000 tonnes of e-waste annually. This regulatory shift accelerates the development of efficient power conversion systems, solidifying GaN's role in adhering to environmental standards while meeting global compliance needs.
Market Challenge
The high production costs inherent in Gallium Nitride (GaN) fabrication act as a critical bottleneck limiting the broader expansion of the Global GaN Powered Charger Market. Unlike silicon, which benefits from abundant raw materials and mature manufacturing processes, GaN devices demand complex epitaxial growth techniques and specialized substrates that significantly increase the bill of materials. Consequently, manufacturers are compelled to price their final products higher, which effectively alienates price-sensitive consumers and retards market adoption in cost-driven developing economies.
This economic disadvantage is exacerbated by the lack of economies of scale relative to the incumbent silicon industry, where immense production volumes enable minimal unit costs that GaN cannot currently match. According to SEMI data from 2024, the global manufacturing capacity for discrete semiconductors was projected to reach about 4.4 million wafers per month, representing only a fraction of the industry's total capacity exceeding 30 million wafers per month. This vast disparity in production volume underscores the challenge GaN manufacturers face in achieving the cost efficiencies needed to compete directly with silicon in the mass market, thereby largely restricting the technology to premium electronic accessories.
Market Trends
The Global GaN Powered Charger Market is increasingly characterized by the integration of Gallium Nitride technology into Electric Vehicle (EV) On-Board Charging Systems. Manufacturers are expanding beyond consumer electronics into automotive applications, utilizing GaN's high-frequency switching capabilities to decrease the size and weight of On-Board Chargers (OBCs) and DC-DC converters, thereby improving vehicle range and efficiency. This shift from silicon and silicon carbide to GaN is becoming tangible in commercial pipelines; Navitas Semiconductor confirmed in its 'Fourth Quarter and Full Year 2024 Financial Results' in February 2025 that it secured its first design win for a GaN-based electric vehicle onboard charger, slated for production in 2026, marking GaN's viable entry into the high-reliability automotive powertrain sector.
Concurrently, the market is experiencing significant penetration into the Industrial and Robotics Charging sectors, driven by the demand for robust, compact power supplies within automation and renewable energy industries. Industrial robotics, drones, and solar inverters necessitate power conversion systems capable of reliable operation in harsh environments with minimal thermal footprints, a requirement effectively met by GaN semiconductors. This diversification is demonstrated by growing commercial interest; Navitas Semiconductor reported in February 2025, within its 'Fourth Quarter and Full Year 2024 Financial Results', a strengthening pipeline with over 170 customer wins across solar, appliance, and industrial applications, highlighting a strategic pivot where GaN technology becomes a critical enabler for industrial automation and green energy infrastructure.
Report Scope
In this report, the Global Gan Powered Charger Market has been segmented into the following categories, in addition to the industry trends which have also been detailed below:
Company Profiles: Detailed analysis of the major companies present in the Global Gan Powered Charger Market.
Global Gan Powered Charger Market report with the given market data, TechSci Research offers customizations according to a company's specific needs. The following customization options are available for the report: