세계의 파워 트랜지스터 시장은 2025년 169억 3,000만 달러에서 2031년까지 254억 6,000만 달러로 확대되어 CAGR 7.04%를 기록할 것으로 예측됩니다.
에너지 효율을 확보하기 위한 전력의 스위칭과 증폭에 필수적인 이들 반도체 소자는 자동차 분야의 급속한 전동화 및 태양광 인버터 등 재생에너지 인프라의 세계적 발전을 배경으로 수요가 증가할 것으로 예상됩니다. 또한, SEMI의 제조 데이터에 따르면, 2024년 전 세계 개별 반도체 생산능력은 7% 증가하여월 440만 개에 달할 것으로 예상되며, 산업 자동화에 있어 효율적인 전력 변환의 필요성도 이러한 성장세를 뒷받침하고 있습니다.
| 시장 개요 | |
|---|---|
| 예측 기간 | 2027-2031년 |
| 시장 규모 : 2025년 | 169억 3,000만 달러 |
| 시장 규모 : 2031년 | 254억 6,000만 달러 |
| CAGR : 2026-2031년 | 7.04% |
| 가장 빠르게 성장하는 부문 | 양극성 접합 트랜지스터 |
| 최대 시장 | 북미 |
그러나 시장은 공급망의 복잡성과 특히 실리콘 카바이드(SiC)와 같은 첨단 재료의 부족이라는 심각한 장벽에 직면해 있습니다. 지정학적 무역 마찰, 원자재 가격 변동 등의 문제는 생산의 안정성을 위협하고 핵심 부품의 부족을 유발할 수 있습니다. 또한, 이러한 첨단 소재를 생산 라인에 통합하는 데 있어 높은 자본 집약도와 기술적 장벽은 공급량을 제한하여 급증하는 세계 수요를 완전히 충족시킬 수 있는 업계의 능력을 제한할 수 있습니다.
전기자동차 및 하이브리드 자동차의 파워트레인의 급속한 보급은 파워 트랜지스터 분야의 주요 촉진요인으로 작용하여 자동차 제조업체의 부품 수요를 근본적으로 변화시키고 있습니다. 내연기관과 달리 전기자동차는 트랙션 인버터, 차량용 충전기 및 배터리 관리 시스템에서 전력 흐름을 관리하기 위해 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 및 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)가 훨씬 더 많이 필요합니다. 이러한 변화로 인해 자동차 보급 확대와 반도체 수요가 직접적으로 연결되고 있습니다. 국제에너지기구(IEA)의 'Global EV Outlook 2024'에 따르면, 2023년 세계 전기자동차 판매량은 약 1,400만 대에 달할 것으로 예상되며, 이는 자동차용 파워디바이스의 대상 시장이 크게 확대되고 있음을 보여줍니다.
동시에 업계는 고효율 실리콘 카바이드(SiC) 및 질화갈륨(GaN) 기술로 전환하고 있습니다. 기존 실리콘에 비해 우수한 스위칭 속도와 열전도율을 제공합니다. 이러한 광대역 갭 재료는 급속 충전소 및 산업용 전원 공급 장치와 같은 고전압 애플리케이션에서 에너지 손실을 최소화하는 데 필수적입니다. 이 전환의 상업적 성공은 탄탄한 수익원이 뒷받침하고 있습니다. 예를 들어, ST마이크로일렉트로닉스는 2024년 1월, 2023년 한 해 동안 11억 4,000만 달러의 실리콘 카바이드 관련 매출을 달성했다고 보고했습니다. 반도체산업협회(SIA)는 2023년 세계 반도체 매출액이 5,268억 달러에 달할 것으로 예상하고 있으며, 이러한 성장은 안정적인 산업 환경에 힘입어 차세대 파워 일렉트로닉스에 대한 추가 투자를 촉진하고 있습니다.
세계 파워 트랜지스터 시장을 가로막는 심각한 문제는 공급망의 복잡성과 특히 실리콘 카바이드(SiC)와 같은 첨단 소재의 부족이 복합적으로 작용하고 있습니다. 전기자동차 및 재생에너지 분야의 고전압 응용 분야에서 업계가 이러한 특수 재료에 대한 의존도가 높아짐에 따라 원료 공급원의 집중화는 심각한 취약성을 초래하고 있습니다. 이러한 취약한 생태계는 지정학적 무역 마찰과 비용 변동으로 인해 더욱 불안정해지고 있으며, 부품 공급이 예측 불가능해짐에 따라 제조업체는 리드 타임이 길어지고 생산 비용 증가를 흡수해야 하며, 이는 성장을 저해할 뿐만 아니라 최종사용자에 대한 도입이 지연되고 있습니다.
첨단 소재의 안정적인 공급을 확보할 수 없는 상황은 업계의 적극적인 생산능력 확대와 직접적으로 상충되어 제조 인프라의 가동률 저하를 초래하고 있습니다. 생산 잠재력과 자재 가용성의 괴리는 수요 증가에 대응하기 위한 시장의 효율적인 확장 능력을 제약하고 있습니다. 이러한 제조 투자 규모는 위험을 강조하고 있습니다. SEMI의 예측에 따르면, 2024년 세계 반도체 생산능력은 6% 증가하여월 3,370만 개로 사상 최고치를 기록할 것으로 예상됩니다.
이러한 확장된 생산능력을 뒷받침하는 강력한 공급망이 없다면, 시장은 수익 잠재력을 제한하고 에너지 절약 기술의 보급을 지연시키는 병목현상에 직면하게 될 것입니다.
300mm 웨이퍼 제조로의 전환은 생산 효율의 최적화와 규모의 경제를 통한 단가 절감을 목표로 하는 제조사들이 생산 구조를 재구축하고 있습니다. 표준 200mm 기판에서 대형 300mm 웨이퍼로의 전환은 제조시설이 1회 공정 사이클당 칩 수율을 크게 높일 수 있어 시설 면적을 비례적으로 늘리지 않고도 대량 생산 수요에 대응할 수 있다는 점에서 매우 중요한 의미를 갖습니다. 이러한 전환은 특히 질화갈륨(GaN) 소자에 큰 영향을 미칠 것입니다. 인피니언 테크놀러지스의 2025년 7월 보도자료에 따르면, 300mm 웨이퍼로 칩을 생산하면 200mm 기판 대비 웨이퍼당 2.3배의 칩을 생산할 수 있어 자본 효율성을 크게 향상시킬 수 있다고 합니다.
동시에 인공지능 인프라가 전례 없는 전력 밀도와 에너지 효율을 요구하는 가운데, 고밀도 데이터센터 및 AI 서버용 전원 공급장치에 GaN 기술의 적용이 가속화되고 있습니다. AI 서버는 기존 산업용 애플리케이션과 달리 제한된 공간에서 발열을 최소화하면서 대규모 부하 변동에 대응할 수 있는 전원 공급 장치가 필요하며, 이는 실리콘에서 광대역 갭 재료로의 대체를 촉진하고 있습니다. 이 분야는 중요한 수익원으로 부상하고 있으며, 인피니언 테크놀러지스는 2025년 11월 실적 발표에서 고성능 컴퓨팅 하드웨어 도입률의 급격한 증가를 반영하여 2026년 AI 데이터센터용 전원 솔루션의 매출 목표를 약 15억 유로로 상향 조정했습니다. 인상했습니다.
The Global Power Transistor Market is projected to expand from USD 16.93 Billion in 2025 to USD 25.46 Billion by 2031, registering a CAGR of 7.04%. These semiconductor devices, which are vital for switching or amplifying electrical power to ensure energy efficiency, are witnessing increased demand driven by the rapid electrification of the automotive sector and the global development of renewable energy infrastructure like solar inverters. Additionally, the need for efficient power conversion in industrial automation further supports this growth, a trend evidenced by manufacturing data from SEMI, which projected that global discrete semiconductor capacity would rise by 7% to 4.4 million wafers per month in 2024.
| Market Overview | |
|---|---|
| Forecast Period | 2027-2031 |
| Market Size 2025 | USD 16.93 Billion |
| Market Size 2031 | USD 25.46 Billion |
| CAGR 2026-2031 | 7.04% |
| Fastest Growing Segment | Bipolar Junction Transistors |
| Largest Market | North America |
However, the market faces a substantial obstacle regarding supply chain complexity and the scarcity of advanced materials, notably Silicon Carbide. Issues such as geopolitical trade tensions and volatile raw material costs threaten production stability, potentially causing shortages of critical components. Furthermore, the high capital intensity and technical barriers associated with integrating these advanced materials into production lines may restrict supply availability, thereby limiting the industry's capacity to fully satisfy the surging global requirements.
Market Driver
The rapid adoption of electric and hybrid vehicle powertrains acts as a primary catalyst for the power transistor sector, fundamentally transforming component needs for automotive manufacturers. Unlike internal combustion engines, electric vehicles require a significantly higher volume of insulated-gate bipolar transistors and metal-oxide-semiconductor field-effect transistors to manage power flow in traction inverters, on-board chargers, and battery management systems. This shift creates a direct link between vehicle fleet expansion and semiconductor demand; the International Energy Agency's 'Global EV Outlook 2024' reported that global electric car sales reached nearly 14 million units in 2023, signifying a major expansion in the addressable market for automotive-grade power devices.
Simultaneously, the industry is transitioning toward high-efficiency Silicon Carbide and Gallium Nitride technologies, which offer superior switching speeds and thermal conductivity compared to traditional silicon. These wide bandgap materials are essential for minimizing energy loss in high-voltage applications, such as rapid charging stations and industrial power supplies. The commercial success of this pivot is highlighted by strong revenue streams; for example, STMicroelectronics reported in January 2024 that it achieved USD 1.14 billion in Silicon Carbide revenues for the full year 2023. This growth is supported by a stable industry environment, with the Semiconductor Industry Association reporting global semiconductor sales of USD 526.8 billion for 2023, encouraging further investment in next-generation power electronics.
Market Challenge
A critical challenge hindering the Global Power Transistor Market is the complexity of supply chains combined with the scarcity of advanced materials, particularly Silicon Carbide. As the industry becomes more dependent on these specialized materials for high-voltage applications in electric vehicles and renewable energy, the concentration of raw material sources creates significant vulnerability. This fragile ecosystem is further destabilized by geopolitical trade tensions and fluctuating costs, resulting in unpredictable component availability that hampers growth by forcing manufacturers to extend lead times and absorb higher production costs, ultimately delaying end-user deployment.
This inability to secure a consistent flow of advanced materials directly counteracts the industry's aggressive capacity expansions, leaving manufacturing infrastructure underutilized. This disconnect between production potential and material availability constrains the market's ability to scale effectively to meet rising demand. The scale of this manufacturing commitment underscores the risk; SEMI projected that global semiconductor manufacturing capacity would increase by 6% to a record 33.7 million wafers per month in 2024. Without a resilient supply chain to feed this expanding capacity, the market faces a bottleneck that restricts revenue potential and slows the broader adoption of energy-efficient technologies.
Market Trends
The transition to 300mm wafer manufacturing is reshaping the production landscape as manufacturers aim to optimize output and reduce unit costs through enhanced economies of scale. Moving from standard 200mm substrates to larger 300mm wafers allows fabrication facilities to significantly increase chip yield per processing cycle, which is crucial for meeting high-volume demands without proportionally increasing facility footprints. This shift is particularly impactful for Gallium Nitride devices; according to Infineon Technologies' July 2025 press release, chip production on 300mm wafers enables the manufacturing of 2.3 times more chips per wafer compared to 200mm substrates, substantially improving capital efficiency.
Concurrently, the expansion of GaN technology into high-density data center and AI server power supplies is accelerating as artificial intelligence infrastructure demands unprecedented power density and energy efficiency. Unlike traditional industrial applications, AI servers require power supply units that can handle massive load transients while minimizing heat generation in restricted spaces, driving the replacement of silicon with wide bandgap materials. This sector has emerged as a critical revenue engine; Infineon Technologies, in a November 2025 statement regarding its fiscal results, raised its revenue target for AI data center power supply solutions to approximately €1.5 billion for the 2026 fiscal year, reflecting the surging installation rates of high-performance computing hardware.
Report Scope
In this report, the Global Power Transistor Market has been segmented into the following categories, in addition to the industry trends which have also been detailed below:
Company Profiles: Detailed analysis of the major companies present in the Global Power Transistor Market.
Global Power Transistor Market report with the given market data, TechSci Research offers customizations according to a company's specific needs. The following customization options are available for the report: