세계의 EUV 마스크 결함 검사 장비 시장 규모는 2024년에 18억 6,400만 달러로 추정되며, 2025년부터 2031년까지 예측 기간 동안 CAGR 12.5%로 성장하여 2031년까지 38억 4,600만 달러로 확대될 것으로 예측됩니다.
본 보고서는 EUV 마스크 결함 검사 장비에 대한 최근 관세 조정 및 국제 전략적 대응 조치에 대해 국경 간 산업 발자국, 자본 배분 패턴, 지역 경제의 상호 의존성, 공급망 재구축을 종합적으로 평가합니다.
마스크(포토마스크 또는 레티클이라고도 함)는 마이크로일렉트로닉스 가공 기술에서 일반적으로 사용되는 리소그래피 공정의 그래픽 마스터입니다. 마스크는 그래픽 정보의 담체로서 노광 과정을 통해 그래픽을 기판에 전사하여 그래픽의 전사를 실현합니다.
마스크 결함 검사는 반도체 리소그래피 공정에서 중요한 공정으로, 마스크를 검사하고 결함을 식별하고 수리하는 것을 목적으로 합니다. 리소그래피 공정의 중요한 구성요소인 마스크는 회로 패턴을 웨이퍼에 정확하게 전사하는 역할을 하며, 그 품질은 웨이퍼 패턴의 정확도와 최종 디바이스의 성능에 직접적인 영향을 미칩니다. 결함에는 입자 오염, 패턴 파손, 브리징 문제, 마스크 재료 자체의 결함 등 다양한 종류가 있습니다.
EUV 마스크 결함 검출 장비는 첨단 반도체 공정 기술에서 중요한 역할을 하는 특수 장비입니다. EUV 리소그래피 기술이 요구하는 높은 정밀도를 고려할 때, 마스크의 미세한 결함조차도 웨이퍼의 회로 패턴 품질에 심각한 영향을 미쳐 칩의 성능과 수율에 악영향을 미칠 수 있습니다. 따라서 특수 검출 장비를 사용하여 EUV 마스크를 엄격하게 검사하는 것은 반도체 제조의 품질을 보장하는 데 필수적인 중요한 공정입니다.
현재 반도체 검사 기술에서는 광학 검사가 주류를 이루고 있습니다. 반도체 광학 검사의 종류에는 패턴 결함 검사, 비패턴 검사, 마스크 검사 등이 있습니다. 이 중 패턴 결함 검사는 명시 검사 및 암시 검사로 분류됩니다. 모두 광학 신호를 통해 분석되지만, 명시야는 수직 반사광 신호인 반면 암시야는 산란광 신호라는 점에서 차이가 있습니다.
반도체 리소그래피 공정에서는 각기 다른 마스크에 따라 해당 광원을 사용해야 합니다. 마스크의 용도는 매우 다양하며, 일반적으로 바이너리 마스크, 위상변환 마스크, EUV 마스크로 분류됩니다. EUV 마스크는 EUV(극자외선) 리소그래피 기술 전용으로 설계된 신형 마스크입니다. EUV의 파장이 매우 짧고 다양한 물질에 흡수되기 쉽기 때문에 렌즈와 같은 기존의 굴절소자를 사용할 수 없습니다. 대신 Bragg의 법칙에 따라 다층(ML) 구조에 의한 광빔 반사를 실현합니다(EUV와 달리 DUV는 투과광을 사용합니다). 이러한 종류의 마스크는 7nm, 5nm, 3nm, 2nm(TSMC는 2025년 양산 계획)와 같은 첨단 제조 공정에서 널리 사용되고 있습니다.
현재 마스크 검사 기술은 주로 광학 검사와 SEM 검사입니다. 이 중 광학 검사 장비 제조업체는 주로 Lasertec와 KLA, SEM 검사 장비는 Advantest가 담당하고 있습니다. 다운스트림 공정의 응용 측면에서 볼 때, 마스크에 페리클을 사용하는 경우 EUV 마스크 검사 장비가 필요합니다(즉, EUV 노광 장비가 도입 된 한 EUV 검사 장비의 사용은 필수입니다). 그러나 현재 다운스트림의 최종 제조업체가 사용하는 모든 EUV 마스크에 페리클이 채택된 것은 아닙니다.
DUV 노광 및 광학 마스크 기술에서 페리클은 중요한 역할을 합니다. 마스크 검사 장비는 193nm의 노출 파장으로 작동하며, 이 필름 층을 통해 검사가 이루어집니다. 웨이퍼 공장의 경우, 이것은 직접적이고 효율적인 프로세스입니다. 그러나 극자외선(EUV) 노출 기술에서는 마스크 제조 공정이 전용 마스크 공장에서 이루어져야 합니다. 이 단계에서는 고해상도 시스템이 필요하기 때문에 마스크 검사가 더 복잡해집니다. 웨이퍼 제조 환경에서 이상적인 상황은 페리클 층을 사용하여 마스크를 입자 오염으로부터 보호하면서 검사 시스템이 이 페리클 층을 통해 작동할 수 있도록 하는 것입니다. 결함이 없으면 공정을 계속할 수 있으며, 결함이 발견되면 페리클을 제거하고 마스크를 마스크 작업장으로 보내 세척해야 합니다.
EUV 마스크 결함 검출 장비는 주로 마스크 샵과 팹에서 사용됩니다. 팹에는 마스크 제조 라인과 웨이퍼 제조 라인이 포함됩니다. 팹에서 EUV 마스크 결함 검출 장비를 채택하는 주요 이유는 두 가지입니다. 첫째, 페리클이 마스크에 부착되면 EUV 검출 장치 이외의 장치(전자선, DUV 장치 등)로는 고감도 검출이 어려워집니다. 페리클의 존재는 이러한 장비의 검출 능력을 방해하여 미세한 결함을 정확하게 식별할 수 없기 때문입니다. 둘째, EUV 검출 장치는 검출 정확도가 높고, 기존의 DUV 마스크 검출 방법으로는 포착할 수 없는 결함이나 입자를 검출할 수 있습니다. 마스크샵은 전통적으로 비교적 큰 점유율을 차지하고 있으며, 2023년에는 약 61%에 달했습니다. 그러나 미세한 첨단 공정 노드의 상용화가 가속화되면서 팹의 점유율은 2030년까지 42%에 달할 것으로 예상됩니다.
현재 EUV 마스크 결함 검사 장비 시장은 주로 KLA와 Lasertec이 독점하고 있습니다. EUV 마스크 결함 검사 장비는 높은 정밀도와 첨단 장비이며, 납기가 긴 것이 특징입니다. 예를 들어, Lasertec의 납기는 2년입니다. 향후 몇 년 동안 이 두 회사는 EUV 마스크 결함 검사 시장에서 독점적 지위를 유지할 것으로 예상됩니다.
이 보고서는 EUV 마스크 결함 검사 장비 세계 시장에 대해 총 판매량, 매출액, 가격, 주요 기업의 시장 점유율 및 순위에 초점을 맞추고 지역별, 국가별, 유형별, 용도별 분석을 종합적으로 제시하는 것을 목적으로 합니다.
이 보고서는 EUV 마스크 결함 검사 장비의 시장 규모, 추정치, 예측치를 판매량(대수) 및 매출액(백만 달러)으로 제시하고, 2024년을 기준 연도, 2020년에서 2031년까지의 과거 데이터와 예측 데이터를 포함하는 시장 규모를 조사했습니다. 정량적, 정성적 분석을 통해 독자들이 EUV 마스크 결함 검사 장비에 대한 사업 전략 및 성장 전략 수립, 시장 경쟁 평가, 현재 시장에서의 자사 포지셔닝 분석, 정보에 입각한 사업 판단을 할 수 있도록 도와드립니다.
시장 세분화
기업별
유형별 부문
용도별 부문
지역별
The global market for EUV Mask Defect Inspection Equipment was estimated to be worth US$ 1864 million in 2024 and is forecast to a readjusted size of US$ 3846 million by 2031 with a CAGR of 12.5% during the forecast period 2025-2031.
This report provides a comprehensive assessment of recent tariff adjustments and international strategic countermeasures on EUV Mask Defect Inspection Equipment cross-border industrial footprints, capital allocation patterns, regional economic interdependencies, and supply chain reconfigurations.
Mask, also known as Photomask or Reticle, is a graphic master used in the lithography process commonly used in microelectronics processing technology. As a carrier of graphic information, Mask transfers the graphic to the base material through the exposure process, thereby realizing the transfer of the graphic.
Mask defect detection is a key link in the semiconductor lithography process, which aims to check the Mask and identify and repair the defects on it. As a critical component in the lithography process, Mask is responsible for accurately transferring the circuit pattern to the wafer, and its quality is directly related to the accuracy of the wafer pattern and the performance of the final device. There are various types of defects, including particle contamination, pattern breakage, bridging problems, and defects in the mask material itself.
EUV Mask defect detection equipment is a special equipment that plays an important role in the high-end semiconductor process technology. Given the high precision required by EUV lithography technology, even the smallest defect on the Mask may significantly affect the quality of the circuit pattern on the wafer, and thus adversely affect the performance and yield of the chip. Therefore, the use of special detection equipment to strictly inspect the EUV Mask is an indispensable key link to ensure the quality of semiconductor manufacturing.
At present, optical detection is the mainstream in semiconductor detection technology. The types of semiconductor optical detection include pattern, non-pattern and mask detection. Among them, pattern defect detection is divided into bright field and dark field detection. Both are analyzed through optical signals. The difference is that the bright field is a vertically reflected light signal, while the dark field is a scattered light signal.
In the semiconductor lithography process, corresponding light sources need to be used for different masks. Different mask applications vary greatly, and can be generally divided into binary masks, phase-shift masks and EUV masks. EUV Mask is a new type of mask designed specifically for EUV (extreme ultraviolet) lithography technology. Given the extremely short wavelength of EUV and its easy absorption by a variety of materials, traditional refractive elements such as lenses cannot be used. Instead, according to the Bragg law, the reflection of the light beam is achieved through a multi-layer (ML) structure (unlike EUV, DUV uses transmitted light). This type of mask is widely used in 7nm, 5nm, 3nm and 2nm (TSMC plans to mass produce in 2025) high-end manufacturing processes.
At present, mask detection technology is mainly optical detection and SEM detection. Among them, the optical inspection companies are mainly Lasertec and KLA, while SEM inspection is Advantest. From the perspective of downstream applications, as long as the mask uses Pellicle, EUV Mask inspection equipment is required (in other words, as long as there is an EUV lithography machine, EUV inspection equipment must be used), but at present, not all EUV Masks of downstream terminal manufacturers will be used with Pellicle.
In DUV lithography or optical Mask technology, Pellicle plays a key role. The Mask inspection tool operates at an exposure wavelength of 193nm, and inspection is performed through this layer of film. For the wafer fab, this is a direct and efficient process. However, in extreme ultraviolet (EUV) lithography technology, the manufacturing process of the Mask needs to be carried out in a dedicated Mask workshop. At this point, the inspection of the Mask becomes more complicated because it requires a high-resolution system. In the wafer fab environment, the ideal situation is to use a layer of Pellicle to protect the Mask from particle contamination, while allowing the inspection system to work through this layer of Pellicle. If there are no defects, you can proceed; if defects are detected, you need to remove the pellicle and send the Mask to the Mask workshop for cleaning.
EUV Mask defect detection equipment is mainly used in Mask Shop and Fab. The Fab includes the mask production line and the wafer manufacturing production line. For the Fab, there are two main reasons for using EUV Mask defect detection equipment. First, once the pellicle is attached to the Mask, other types of equipment (such as electron beam or DUV equipment) except EUV detection equipment are difficult to achieve high-sensitivity detection effects. This is because the presence of pellicles interferes with the detection capabilities of these devices, making it difficult for them to accurately identify tiny defects. Secondly, EUV detection equipment has higher detection accuracy and can detect defects and particles that traditional DUV Mask detection methods cannot capture. Mask Shop has always had a relatively large share, reaching about 61% in 2023. However, with the acceleration of commercialization of smaller advanced process nodes, it is expected that the share of Fab will reach 42% by 2030.
At present, the EUV Mask defect detection equipment market is mainly monopolized by KLA and Lasertec. EUV Mask defect detection equipment is a high-precision and advanced equipment with a long delivery time. For example, Lasertec's delivery time is two years. In the next few years, the two leading companies will still maintain a monopoly in the EUV Mask defect detection market.
This report aims to provide a comprehensive presentation of the global market for EUV Mask Defect Inspection Equipment, focusing on the total sales volume, sales revenue, price, key companies market share and ranking, together with an analysis of EUV Mask Defect Inspection Equipment by region & country, by Type, and by Application.
The EUV Mask Defect Inspection Equipment market size, estimations, and forecasts are provided in terms of sales volume (Units) and sales revenue ($ millions), considering 2024 as the base year, with history and forecast data for the period from 2020 to 2031. With both quantitative and qualitative analysis, to help readers develop business/growth strategies, assess the market competitive situation, analyze their position in the current marketplace, and make informed business decisions regarding EUV Mask Defect Inspection Equipment.
Market Segmentation
By Company
Segment by Type
Segment by Application
By Region
Chapter Outline
Chapter 1: Introduces the report scope of the report, global total market size (value, volume and price). This chapter also provides the market dynamics, latest developments of the market, the driving factors and restrictive factors of the market, the challenges and risks faced by manufacturers in the industry, and the analysis of relevant policies in the industry.
Chapter 2: Detailed analysis of EUV Mask Defect Inspection Equipment manufacturers competitive landscape, price, sales and revenue market share, latest development plan, merger, and acquisition information, etc.
Chapter 3: Provides the analysis of various market segments by Type, covering the market size and development potential of each market segment, to help readers find the blue ocean market in different market segments.
Chapter 4: Provides the analysis of various market segments by Application, covering the market size and development potential of each market segment, to help readers find the blue ocean market in different downstream markets.
Chapter 5: Sales, revenue of EUV Mask Defect Inspection Equipment in regional level. It provides a quantitative analysis of the market size and development potential of each region and introduces the market development, future development prospects, market space, and market size of each country in the world.
Chapter 6: Sales, revenue of EUV Mask Defect Inspection Equipment in country level. It provides sigmate data by Type, and by Application for each country/region.
Chapter 7: Provides profiles of key players, introducing the basic situation of the main companies in the market in detail, including product sales, revenue, price, gross margin, product introduction, recent development, etc.
Chapter 8: Analysis of industrial chain, including the upstream and downstream of the industry.
Chapter 9: Conclusion.