3D 낸드플래시 메모리 시장은 예측 기간(2024-2031) 중 CAGR 19.4%로 크게 성장할 것으로 예측됩니다. 3D NAND는 셀을 수직으로 쌓아 올려 더 많은 메모리를 담을 수 있으며, 스마트폰, 노트북 등 디바이스의 저장 용량과 효율성을 높입니다. 기존 기술에 비해 용량이 더 큽니다. 또한 전력 소모가 적고 내구성이 뛰어나 미래 데이터 저장의 발전을 위한 길을 열어줍니다. 시장 성장의 원동력은 전 세계 디지털화의 발전과 데이터 저장에 대한 수요 증가입니다. 또한 제조 장비에 대한 투자 증가도 시장 성장에 긍정적인 영향을 미치고 있습니다. 또한 인공지능(AI) 및 머신러닝(ML) 기술 도입으로 인한 대규모 데이터 처리 수요가 증가함에 따라 3D 낸드플래시 메모리 스토리지에 대한 수요는 계속 진화할 것으로 보입니다.
시장 역학
3D NAND 플래시메모리: 디지털 시대의 데이터 홍수에 대한 해결책
오늘날의 디지털 환경에서 데이터 생성의 급격한 증가는 3D 낸드플래시 메모리 시장을 주도하고 있습니다. 이러한 급증은 스마트폰의 고해상도 카메라, 노트북 PC의 용도 및 멀티미디어 파일 크기 증가, 데이터센터의 데이터세트 확대 등 다양한 원인으로 인해 발생합니다. 예를 들어 구글은 2024년 1월 기술 인프라를 강화하고 혁신을 지원하기 위해 영국 하트퍼드셔 주 월섬크로스에 위치한 새로운 데이터센터에 10억 달러를 투자했습니다. 이 33에이커 규모의 부지는 컴퓨팅 능력을 강화하여 영국 및 전 세계 기업과 Google Cloud 고객에게 혜택을 제공할 것이며, 3D NAND 플래시메모리는 동일한 설치 공간에서 스토리지 밀도를 크게 향상시켜 스마트폰, 노트북 및 기타 장비가, 더 많은 데이터를 저장할 수 있게 해줍니다. 데이터센터는 용량 강화의 혜택을 받아 방대한 데이터세트를 효율적으로 관리하고 클라우드 컴퓨팅과 빅데이터 분석을 지원할 수 있습니다.
3D NAND 플래시메모리의 성능 및 효율성 향상
3D NAND 플래시메모리는 성능과 효율성을 크게 향상시킵니다. 빠른 읽기 및 쓰기 속도는 원활한 사용자 경험으로 이어지며, 저전력 소비는 모바일 기기의 배터리 수명을 연장하고 데이터센터의 에너지 비용을 절감합니다. 또한 향상된 내구성은 스토리지 솔루션의 수명 연장으로 이어져 사용자와 제조업체 모두에게 혜택을 가져다 줍니다. 전반적으로 3D NAND의 뛰어난 성능과 효율성은 사용자 경험과 운영 효율을 향상시키는 데 기여하고 있습니다.
시장 세분화
트리플 레벨 셀이 가장 높은 성장률을 보일 것으로 예상
트리플 레벨 셀(TLC)은 비용 효율성이 높아 3D 낸드플래시 메모리 시장에서 가장 빠르게 성장하고 있는 분야로 부상하고 있습니다. 예를 들어 Samsung Electronics는 2022년 11월 1테라비트(Tb) 트리플 레벨 셀(TLC) 8세대 수직형 낸드(V-NAND)의 양산을 시작한다고 발표했습니다. V-NAND는 업계에서 가장 높은 비트 밀도와 저장 용량을 구현해 차세대 기업 서버 시스템에서 전 세계에서 더 큰 저장 용량을 제공할 수 있게 되었습니다. 단일 레벨 셀(SLC)이나 멀티 레벨 셀(MLC)에 비해 셀당 저장 용량이 가장 큰 TLC 기술은 소비자와 제조업체 모두에게 큰 비용적 이점을 제공합니다. 예산이 넉넉한 사용자들은 스마트폰이나 노트북과 같은 저렴한 가격의 대용량 디바이스의 혜택을 누릴 수 있고, 제조업체는 보다 광범위한 시장을 위한 경쟁력 있는 스토리지 솔루션을 생산할 수 있습니다. 이러한 경제적 이점은 데이터 스토리지에 대한 수요 증가와 함께 TLC를 시장 성장의 선두에 올려놓았습니다.
스마트폰 및 태블릿이 가장 큰 시장 점유율을 차지합니다.
3D 낸드플래시 메모리 시장은 스마트폰 및 태블릿 시장이 가장 빠르게 성장하는 하위 부문으로 부상할 것으로 예상됩니다. 전 세계에서 스마트폰 및 태블릿의 인기는 기능의 향상과 다양한 활동에서 이들 기기에 대한 의존도가 높아짐에 따라 지속적 으로 증가하고 있습니다. 예를 들어 2023년 6월 마이크론 테크놀러지는 첨단 232단 3D 낸드 기술을 활용한 UFS 4.0 모바일 솔루션을 발표했습니다. 이 장비는 최대 1TB의 용량, 플래그십 스마트폰을 위한 독보적인 성능, 최대 4300Mbps 및 4000Mbps의 순차 읽기 및 쓰기 속도를 제공합니다. 이 솔루션은 앱 실행과 동영상 다운로드 속도를 높이고 전력 효율을 개선해 사용자 경험을 향상시키며, 2023년 하반기부터 양산에 들어갈 예정입니다. 또한 고해상도 사진 및 동영상 촬영 동향는 스토리지 용량 확대에 대한 끊임없는 수요를 창출하고 있습니다. 기존 솔루션은 멀티미디어 파일의 용량 증가에 대응하는 데 어려움을 겪고 있습니다. 그러나 뛰어난 저장 밀도를 가진 3D NAND 플래시메모리는 완벽한 솔루션을 제공합니다.
세계 3D 낸드 플래시메모리는 북미(미국, 캐나다), 유럽(영국, 이탈리아, 스페인, 독일, 프랑스, 기타 유럽), 아시아태평양(인도, 중국, 일본, 한국, 기타 아시아태평양), 기타 지역(중동 및 아프리카, 라틴아메리카) 등 지역별로 세분화됩니다. 등 지역별로 더욱 세분화되어 있습니다.
아시아태평양이 가장 큰 시장 점유율을 차지하고 있으며, 앞으로도 성장세가 지속될 것으로 예상됩니다.
3D 낸드플래시 메모리 시장은 지역적 권력 이동을 경험하고 있으며, 아시아태평양이 리더로 부상하고 있습니다. 이 지역 시장 성장의 배경에는 급속한 경제 성장으로 인해 IT 지출이 증가하고, 기업과 정부가 데이터 스토리지 솔루션에 많은 투자를 하고 있기 때문입니다. 예를 들어 인도는 138개의 데이터센터를 보유한 세계 13위의 데이터센터 시장으로, 2025년 말까지 45개의 데이터센터가 추가로 건설되어 총 면적 1,300만 평방피트, 용량 1,015MW에 달할 것으로 예상되며, 2021년 인도 데이터센터 산업은 44억 달러로 평가됩니다. 2027년에는 132.0% 성장하여 101억 달러에 달할 것으로 예상되며, 3D 낸드플래시 메모리의 뛰어난 밀도와 효율성은 이러한 수요 증가에 이상적인 선택이 될 것입니다. 또한 아시아태평양의 정부 구상은 디지털 전환을 적극적으로 추진하고 있습니다. 이러한 구상에는 클라우드 컴퓨팅과 가상화 기술에 대한 대규모 투자가 포함되며, 3D NAND와 같은 대용량 스토리지 솔루션에 크게 의존하고 있습니다. 마지막으로 아시아태평양이 스마트폰 및 전자기기 제조의 주요 거점이라는 점도 3D 낸드 플래시메모리 시장에서의 우위를 더욱 강화시키고 있습니다. 이러한 디바이스는 3D NAND에 대한 의존도가 높기 때문에 이 지역의 제조 강점은 이 지역 시장의 성장을 가속하고 가장 큰 점유율을 차지하는데 기여하고 있습니다.
세계 3D NAND 플래시메모리 시장에 진출한 주요 기업으로는 HP Inc., Intel Corporation, Samsung Electronics(주), SK하이닉스(주) 등이 있습니다. 각 기업은 시장 경쟁력을 유지하기 위해 제휴, M&A, 제품 출시 등의 전략을 적용하며 사업 확대와 제품 개발에 사업 확장 및 제품 개발에 더욱 힘을 쏟고 있습니다. 예를 들어 Samsung Electronics는 2024년 4월 생산 효율을 높이기 위해 스트링 적층 기술을 적용한 290단 9세대 V-NAND를 출시할 예정이며, 300단 이상의 적층이 예상됨에도 불구하고 수율 최적화를 목표로 하고 있으며, 2025년에는 430단 10세대 V-NAND를 계획하고 있습니다. SK 하이닉스, YMTC 등 경쟁사들도 더 높은 적층 수로 개발을 진행하고 있습니다.
Global 3D NAND Flash Memory Market Size, Share & Trends Analysis Report by Type (Single-level Cell, Multi-level Cell, and Triple-level Cell), by Application (Camera, Laptops and PCs, Smartphones & Tablets, and Others), and by End User (Automotive, Consumer Electronics, Enterprise, Healthcare, and Others) Forecast Period (2024-2031)
3D NAND flash memory market is anticipated to grow at a significant CAGR of 19.4% during the forecast period (2024-2031). 3D NAND crams more memory by stacking cells vertically, boosting storage capacity and efficiency in devices such as smartphones and laptops. It has higher capacity, compared to older tech. It also features lower power usage, and better durability, paving the way for future advancements in data storage. The market growth is driven by the rising digitization globally, and the increasing demand for data storage. The growing investments in fabrication facilities are also contributing positively towards market growth. Further, as the demand for massive data processing rises, attributed to the adoption of Artificial Intelligence (AI) and Machine Learning (ML) technologies, the demand for 3D NAND flash memory storage will continue to evolve.
Market Dynamics
3D NAND Flash Memory: A Solution to the Data Deluge of the Digital Age
The exponential growth of data generation in today's digital landscape drives the 3D NAND flash memory market. This surge arises from various sources, including high-resolution cameras in smartphones, larger applications, and multimedia file sizes on laptops, and expanding datasets in data centers. For instance, in January 2024, Google invested $1.0 billion in a new UK data center in Waltham Cross, Hertfordshire, to bolster technical infrastructure and support innovation. The 33-acre site will enhance computing capacity, benefiting businesses and Google Cloud customers across the UK and globally. 3D NAND flash memory significantly boosts storage density within the same footprint, enabling devices such as smartphones and laptops to store more data without sacrificing size. Data centers benefit from enhanced capacity, efficiently managing massive datasets to support cloud computing and big data analytics.
Enhanced Performance and Efficiency of 3D NAND Flash Memory
3D NAND flash memory offers significant performance and efficiency enhancements. Faster read and write speeds lead to smoother user experiences, while lower power consumption extends battery life for mobile devices and reduces energy costs for data centers. Moreover, increased endurance results in longer-lasting storage solutions, benefiting both users and manufacturers. Overall, the superior performance and efficiency of 3D NAND contribute to improved user experiences and operational efficiency.
Market Segmentation
The triple-level cell is anticipated to grow at the highest rate
Triple-Level Cell (TLC) emerges as the fastest-growing segment in the 3D NAND flash memory market due to its cost-effectiveness. For instance, in November 2022, Samsung Electronics announced the commencement of mass production for a 1-terabit (Tb) triple-level cell (TLC) eighth-generation Vertical NAND (V-NAND). This V-NAND has the highest bit density and storage capacity in the industry, facilitating larger storage space in next-generation enterprise server systems globally. Offering the highest storage capacity per cell compared to Single-Level Cell (SLC) and Multi-Level Cell (MLC), TLC technology provides a significant cost advantage for both consumers and manufacturers. Budget-conscious users benefit from affordable high-capacity devices such as smartphones and laptops, while manufacturers can produce competitive storage solutions catering to a broader market. This economic advantage, coupled with increasing demand for data storage, positions TLC at the forefront of market growth.
Smartphones & tablets segment to hold the largest market share
The 3D NAND flash memory market is anticipated to witness the smartphones & tablets segment emerge as its fastest-growing subsegment. The global popularity of smartphones and tablets continues to rise, fueled by advancements in functionality and our increasing reliance on these devices for various activities. For instance, in June 2023, Micron Technology, Inc. introduced its UFS 4.0 mobile solution, leveraging advanced 232-layer 3D NAND technology. The device offers capacities of up to 1TB, unparalleled performance for flagship smartphones, sequential read and write speeds of up to 4300 and 4000 Mbps, respectively. The solution enhances user experience with faster app launches, video downloads, and improved power efficiency, set for high-volume production in late 2023. Additionally, the trend toward capturing high-resolution photos and videos creates a constant demand for expanding storage capacities. Traditional solutions struggle to keep pace with the growing size of multimedia files. However, 3D NAND flash memory, with its superior storage density, offers a perfect solution.
The global 3D NAND flash memory is further segmented based on geography including North America (the US, and Canada), Europe (the UK, Italy, Spain, Germany, France, and the Rest of Europe), Asia-Pacific (India, China, Japan, South Korea, and Rest of Asia-Pacific), and the Rest of the World (the Middle East & Africa, and Latin America).
Asia Pacific holds the largest market share and is anticipated to grow in the future
The 3D NAND flash memory market is experiencing a geographical power shift, with Asia Pacific emerging as the leader. The regional market growth is attributed to the rapid economic growth that translates to increased IT spending, with businesses and governments investing heavily in data storage solutions. For instance, India ranks as the 13th largest data center market globally, with 138 data centers. By the end of 2025, an additional 45 data centers will be constructed, encompassing a total area of 13 million square feet with a capacity of 1,015 MW. In 2021, India's data center industry was valued at $ 4.4 billion, expecting a 132.0% growth to $ 10.1 billion by 2027. 3D NAND flash memory's superior density and efficiency make it the ideal choice for these growing demands. Additionally, government initiatives across the Asia Pacific actively promote digital transformation. These initiatives often involve significant investments in cloud computing and virtualization technologies, both heavily reliant on high-capacity storage solutions such as 3D NAND. Finally, Asia Pacific's position as a major hub for smartphone and electronics manufacturing further strengthens its dominance in the 3D NAND flash memory market. Since these devices rely heavily on 3D NAND for storage, the region's manufacturing strength fuels the regional market growth, also attributing to its largest share.
The major companies serving the global 3D NAND Flash Memory market include HP Inc., Intel Corporation, Samsung Electronics Co., Ltd., SK Hynix Semiconductor, Inc., and Toshiba Corporation, among others. The market players are increasingly focusing on business expansion and product development by applying strategies such as collaborations, mergers and acquisitions, product launches, to stay competitive in the market. For instance, in April 2024, Samsung Electronics plans to launch its 9th generation V-NAND with 290 layers, using a string stacking technique to enhance production efficiency. Despite expectations for over 300 layers, Samsung aims to optimize yields. Plans include a 430-layer 10th generation V-NAND in 2025. Competitors such as SK Hynix and YMTC are also advancing with higher layer counts.