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세계의 RF 질화갈륨 시장 : 디바이스 종류별(개별 RF 디바이스, 집적 RF 디바이스), 웨이퍼 사이즈별, 최종사용자별(통신 인프라, 위성통신, 군 및 방위), 지역별 예측(-2028년)
RF Gallium Nitride Market by Device (Discrete RF Device, Integrated RF Device), wafer size, end user (Telecom Infrastructure, Satellite Communications, Military & Defense) and Region - Global Forecast to 2028
상품코드 : 1309766
리서치사 : MarketsandMarkets
발행일 : 2023년 07월
페이지 정보 : 영문 209 Pages
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한글목차

세계 RF 질화갈륨(RF GaN) 시장은 2022년 13억 달러로 평가되고 2028년에는 28억 달러에 달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 12.9%의 CAGR을 기록할 것으로 예상됩니다. GaN이 기존 Si에 비해 우위를 점하고, 개인, 기업 및 자동차 산업에서 전력 전자 장치에 대한 수요 증가, GaN 생태계에서 GaN 기술의 지속적인 출현, RF(고주파) 응용 분야에서 GaN의 적합성, 군사, 방위 및 항공우주 응용 분야에서 GaN RF 반도체 소자의 RF GaN 시장 성장을 견인하는 반면, 고전압 반도체 애플리케이션에서 실리콘 카바이드(SiC)와 같은 대체 재료의 높은 효율성은 RF GaN 시장 성장을 억제하고 있습니다.

"예측 기간 동안 집적 RF 디바이스 부문은 더 높은 CAGR로 성장할 것"

집적 RF 디바이스 부문은 예측 기간 동안 더 높은 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다. 집적 RF GaN 디바이스는 전력 밀도, 효율성 및 선형성을 개선하여 RF/마이크로파 전자공학 분야를 혁신했습니다. 무선 통신, 레이더 시스템, 위성 통신, 국방 등 다양한 산업에 적용되고 있습니다. 집적 RF 소자는 게이트 드라이버, 보호 회로 및 기타 보조 기능을 위한 별도의 부품이 필요하지 않기 때문에 더 작고 가벼우며, RF용 GaN 집적 소자 시장은 이러한 소자에 대한 수요 증가에 힘입어 향후 몇 년 동안 크게 성장할 것으로 예상됩니다.

"웨이퍼 사이즈 200mm 이상 부문이 더 높은 CAGR로 성장할 것"

200mm 이상의 웨이퍼 사이즈 부문은 예측 기간 동안 더 높은 CAGR로 성장할 것으로 예상되며, 200mm 이상의 웨이퍼 사이즈는 더 작은 웨이퍼 사이즈보다 더 빠르고 효율적으로 처리할 수 있습니다. 이는 수율 향상과 비용 절감으로 이어집니다. 또한, 고전류 정격의 대형 소자를 처리할 수 있기 때문에 고출력 RF GaN 소자 생산에 적합합니다.

"위성통신 분야가 가장 높은 CAGR로 성장할 것"

위성 통신 분야는 예측 기간 동안 가장 높은 CAGR로 성장할 것으로 예상되며, RF GaN 기술은 미래의 위성 통신 시스템에 확장성을 제공하며, RF GaN은 데이터 속도와 시스템 용량을 향상시키기 위한 고주파 대역과 같은 진화하는 표준을 지원할 수 있습니다. GaN 장치의 다양성은 새로운 통신 프로토콜과 신기술에 대한 적응을 용이하게 하여 위성 네트워크의 장기적인 호환성과 미래를 보장합니다.

"북미 지역이 가장 높은 CAGR을 기록할 것"

북미 지역은 예측 기간 동안 가장 높은 CAGR을 보일 것으로 예상됩니다. 북미 정부도 다양한 노력을 통해 RF GaN 시장 성장을 지원하고 있습니다. 예를 들어, 2022년 10월 미국 상원의원 Patrick Leahy와 기능이 풍부한 반도체 제조의 세계 리더인 GlobalFoundries는 차세대 질화갈륨(GaN) 개발 및 생산을 촉진하기 위해 연방 정부로부터 3,000만 달러의 자금을 지원받겠다고 선언했습니다. 이 자금으로 GlobalFoundries는 공구를 구입하고 200mm GaN 웨이퍼 제조의 개발 및 구현을 확장할 수 있습니다. 이 지역에서의 이러한 노력은 RF GaN 디바이스에 대한 수요를 확대하고 있습니다.

목차

제1장 서론

제2장 조사 방법

제3장 주요 요약

제4장 주요 인사이트

제5장 시장 개요

제6장 RF 질화갈륨 시장 : 디바이스 종류별

제7장 RF 질화갈륨 시장 : 웨이퍼 사이즈별

제8장 RF 질화갈륨 시장 : 최종사용자별

제9장 RF 질화갈륨 시장 : 지역별

제10장 경쟁 상황

제11장 기업 개요

제12장 부록

ksm
영문 목차

영문목차

The global RF gallium nitride market was valued at USD 1.3 billion in 2022 and is projected to reach USD 2.8 billion by 2028; it is expected to register a CAGR of 12.9% during the forecast period. Advantages of GaN over traditional SI, heightened demand from consumers and enterprises and automotive vertical for power electronics devices, continuous emergence of technologies in GaN ecosystem, suitability of GaN in RF applications, and increasing adoption of GaN RF semiconductor devices for military, defense, and aerospace applications are driving the growth of the RF GaN market, whereas higher efficacy of alternative such as Silicon Carbide (SiC) for high-voltage semiconductor applications restraining the growth of the RF GaN market.

The Integrated RF device segment is expected to grow at a higher CAGR during the forecast period

The Integrated RF device segment is also expected to grow at a higher CAGR during the forecast period. RF GaN integrated devices have reformed the field of RF and microwave electronics, offering improved power density, efficiency, and linearity. They find applications in various industries, including wireless communications, radar systems, satellite communications, and defense. Integrated RF devices are made smaller and lighter as they do not require separate components for the gate driver, protection circuitry, and other auxiliary functions. The RF GaN integrated devices market is expected to grow significantly in the coming years, driven by the increasing demand for these devices.

200 and above segment by deployment to register growth at a higher CAGR

Additionally, the 200 and above segment is expected to grow at a higher CAGR during the forecast period. A wafer size of 200 mm and above can be processed more quickly and efficiently than smaller wafer sizes. This can lead to higher yields and lower costs. Also, they can accommodate larger devices with higher current ratings, hence are suitable for well-suited production of high-power RF GaN devices.

The satellite communication segment is likely to grow at the highest CAGR

The satellite communication segment is expected to grow at a highest CAGR during the forecast period. RF GaN technology provides scalability for future satellite communication systems. It can support evolving standards, such as higher-frequency bands for increased data rates and system capacities. The versatility of RF GaN devices allows for easy adaptation to new communication protocols and emerging technologies, ensuring long-term compatibility and future-proofing of satellite networks.

North America to register growth at highest CAGR

North America is also expected to witness the highest CAGR during the forecast period. Governments in North America are also supporting the growth of the RF GaN market through various initiatives. For instance, in October 2022, US Senator Patrick Leahy and GlobalFoundries, a global leader in feature-rich semiconductor manufacturing, declared USD 30 million in federal funding to advance the development and production of next-generation gallium nitride (GaN). This funding will enable GlobalFoundries to purchase tools and extend the development and implementation of 200mm GaN wafer manufacturing. Such initiatives in the region are growing the demand for RF GaN devices.

Breakdown of primaries

The study contains insights from various industry experts, ranging from component suppliers to Tier 1 companies and OEMs. The break-up of the primaries is as follows:

The RF GaN market is dominated by a few globally established players such as Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (Japan), Qorvo, Inc. (US), WOLFSPEED, INC. (US), NXP Semiconductors (Netherlands), MACOM (US). The study includes an in-depth competitive analysis of these key players in the RF GaN market, with their company profiles, recent developments, and key market strategies.

Research Coverage:

The report segments the RF GaN market and forecasts its size by device type, wafer size, end-use, and region. The report also discusses the drivers, restraints, opportunities, and challenges pertaining to the market. It gives a detailed view of the market across four main regions-North America, Europe, Asia Pacific, and RoW. Supply chain analysis has been included in the report, along with the key players and their competitive analysis in the RF GaN ecosystem.

Key Benefits to Buy the Report:

TABLE OF CONTENTS

1 INTRODUCTION

2 RESEARCH METHODOLOGY

3 EXECUTIVE SUMMARY

4 PREMIUM INSIGHTS

5 MARKET OVERVIEW

6 RF GALLIUM NITRIDE MARKET, BY DEVICE TYPE

7 RF GALLIUM NITRIDE MARKET, BY WAFER SIZE

8 RF GALLIUM NITRIDE MARKET, BY END USER

9 RF GALLIUM NITRIDE MARKET, BY REGION

10 COMPETITIVE LANDSCAPE

11 COMPANY PROFILES

12 APPENDIX

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