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세계의 탄화규소(SiC) MOSFET 칩 및 모듈 시장
Silicon Carbide (SiC) MOSFET Chips and Modules
상품코드 : 1799192
리서치사 : Market Glass, Inc. (Formerly Global Industry Analysts, Inc.)
발행일 : 2025년 08월
페이지 정보 : 영문 142 Pages
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한글목차

세계의 탄화규소(SiC) MOSFET 칩 및 모듈 시장은 2030년까지 21억 달러에 이를 전망

2024년에 6억 9,860만 달러로 추정되는 탄화규소(SiC) MOSFET 칩 및 모듈 세계 시장은 분석 기간인 2024-2030년 CAGR 20.2%로 성장하여 2030년에는 21억 달러에 이를 것으로 예측됩니다. 본 보고서에서 분석한 부문 중 하나인 SiC MOSFET 칩＆디바이스는 CAGR 18.1%를 나타내고, 분석 기간 종료시에는 12억 달러에 이를 것으로 예측됩니다. SiC MOSFET 모듈 분야의 성장률은 분석 기간에 CAGR 23.4%로 추정됩니다.

미국 시장은 1억 8,360만 달러로 추정, 중국은 CAGR 19.2%로 성장 예측

미국의 탄화규소(SiC) MOSFET 칩 및 모듈 시장은 2024년에 1억 8,360만 달러로 추정됩니다. 세계 2위 경제대국인 중국은 분석 기간인 2024-2030년간 CAGR 19.2%로 2030년까지 3억 2,480만 달러 규모에 이를 것으로 예측됩니다. 기타 주목해야 할 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있으며, 분석 기간중 CAGR은 각각 18.1%와 17.6%를 보일 것으로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 약 14.0%를 보일 전망입니다.

세계의 탄화규소(SiC) MOSFET 칩 및 모듈 시장 - 주요 동향과 촉진요인 정리

SiC MOSFET 칩과 모듈이 파워 일렉트로닉스의 차세대 프론티어로 부상하고 있는 이유는 무엇인가?

실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 칩과 모듈은 기존 실리콘 기반 부품보다 더 높은 전압, 온도, 주파수에서 작동할 수 있는 능력으로 인해 차세대 파워 일렉트로닉스의 핵심으로 빠르게 자리 잡고 있습니다. 이 디바이스는 견고하고 신뢰할 수 있는 전력 솔루션이 필요한 용도에서 효율성과 소형화를 크게 향상시켜 산업 전반에 걸쳐 에너지 관리 및 변환 방식을 혁신적으로 변화시키고 있습니다. 기존 실리콘 MOSFET과 달리 SiC MOSFET은 낮은 온 저항, 빠른 스위칭 속도, 높은 항복 전압 등 우수한 특성을 나타내어 고전력, 고온 환경에 이상적입니다. 전기자동차, 재생에너지 시스템, 산업용 모터 드라이브, 항공우주, 전력망 등 다양한 분야에 적용되어 에너지 손실 감소, 성능 향상, 시스템 수명 연장에 기여하고 있습니다. 전기자동차에서 SiC MOSFET은 배터리 사용률 향상, 주행거리 연장, 컴팩트한 인버터 설계를 지원하는 데 도움이 되고 있습니다. 태양전지 및 풍력 발전 설비에서는 전력 변환 효율 향상과 열 손실 감소에 기여합니다. 에너지 절약과 탈탄소에 대한 전 세계의 관심이 높아지면서 SiC 기반 솔루션에 대한 수요가 급증하고 있습니다. SiC MOSFET 칩과 모듈은 고유한 재료 특성과 기존 기술을 능가하는 능력으로 인해 보다 스마트하고 효율적이며 지속 가능한 에너지 시스템으로의 전환에 필수적인 구성 요소로 자리매김하고 있습니다.

기술 혁신은 SiC MOSFET의 성능과 확장성을 어떻게 향상시키고 있는가?

재료 공정, 디바이스 아키텍처, 패키징 기술의 지속적인 혁신은 실리콘 카바이드 MOSFET의 성능, 신뢰성, 제조성 향상에 중요한 역할을 하고 있습니다. 제조업체들은 고순도 SiC 웨이퍼를 생산하기 위해 첨단 결정 성장 기술을 활용하여 결함을 줄이고 소자 수율을 향상시키고 있습니다. 새로운 트렌치 및 플래너 게이트 구조는 온 저항과 게이트 전하를 더욱 낮추고, 고속 스위칭과 전도 손실을 줄이기 위해 구현되었습니다. 이러한 강화는 에너지 효율을 높일 뿐만 아니라 부피가 큰 냉각 시스템 및 수동 부품의 필요성을 줄여 더 작고 가벼운 설계를 가능하게 합니다. 패키징 분야에서는 양면 냉각, 소결 접합, 저인덕턴스 레이아웃 등의 기술 혁신으로 SiC 모듈의 열적, 기계적 성능이 향상되고 있습니다. 이는 EV 트랙션 인버터 및 유틸리티 규모의 에너지 저장과 같은 고전류 용도에 특히 중요합니다. 가혹한 조건에서 안정적인 작동을 보장하고 시스템 설계를 단순화하기 위해 통합 게이트 드라이버 및 고장 보호 메커니즘이 추가되었습니다. 또한, 웨이퍼 크기가 4인치에서 6인치, 그리고 8인치의 가능성으로 개선됨에 따라 제조 비용이 낮아져 SiC 솔루션이 대중 시장 용도에 더 쉽게 접근할 수 있게 되었습니다. 이러한 기술 발전으로 SiC MOSFET은 비용 효율적이고 에너지 효율적인 반도체 소자에 대한 수요 증가에 부응하는 동시에 더 높은 성능을 발휘할 수 있게 되었습니다.

SiC MOSFET 칩 및 모듈의 세계 보급을 주도하는 최종 사용 산업은?

SiC MOSFET 칩과 모듈의 채택은 고효율 전력 변환과 컴팩트한 시스템 설계를 요구하는 다양한 산업에 의해 추진되고 있습니다. 전기자동차 분야는 가장 중요한 원동력으로 부각되고 있으며, 자동차 제조업체와 부품 공급업체들은 SiC 기반 장치를 트랙션 인버터, 차량용 충전기, DC-DC 컨버터에 통합하여 효율을 높이고 배터리 항속거리를 연장하기 위해 노력하고 있습니다. 재생에너지는 또 다른 중요한 분야이며, 특히 태양광 인버터 및 풍력 터빈 시스템에서 SiC MOSFET은 에너지 수확을 개선하고 구성 요소의 열 응력을 줄일 수 있습니다. 산업 자동화 분야에서는 고성능 모터 드라이브 및 로봇에 SiC 모듈의 채택이 증가하고 있으며, 더 빠른 스위칭과 우수한 열 관리로 인해 응답성과 가동 시간이 향상되고 있습니다. 철도 및 항공우주 응용 분야, 특히 배전 및 추진 시스템에서 SiC 장치의 경량 및 고온 성능의 이점을 누릴 수 있습니다. 데이터센터와 통신 인프라는 고밀도, 고효율, 고신뢰성을 필요로 하는 전원장치와 배터리 백업 시스템에 SiC 파워 모듈을 채택하고 있습니다. 또한, 그리드 현대화 노력과 스마트 에너지 시스템에서 SiC 기술은 양방향 에너지 흐름과 효율적인 전력 컨디셔닝을 지원하기 위해 사용되고 있습니다. 더 많은 산업이 전기화되고 디지털화된 시스템으로 전환하는 가운데, SiC MOSFET은 다양한 고성장 분야의 혁신을 뒷받침하는 기반 기술이 되고 있습니다.

SiC MOSFET 산업의 성장을 가속화하는 시장 역학 및 세계 동향은?

세계 실리콘 카바이드 MOSFET 시장은 정책 전환, 기술 발전, 산업 변화의 수렴으로 인해 가속화된 성장세를 보이고 있습니다. 이산화탄소 배출량 감축을 위한 규제 강화로 인해 산업계는 전동화를 추진하고 있으며, SiC MOSFET과 같은 고효율 파워 반도체를 전략적 우선순위로 삼고 있습니다. 전기자동차, 청정에너지 도입, 스마트그리드 개발에 대한 정부의 우대정책은 전력전자 인프라에 대한 투자를 촉진하고 수요를 더욱 촉진하고 있습니다. 주요 반도체 제조업체들공급망 확장 및 수직적 통합은 생산 능력의 향상과 비용 장벽을 낮추고, 더 큰 확장성을 가능하게 합니다. 자동차 OEM, 반도체 기업, 연구기관과의 전략적 파트너십을 통해 용도에 특화된 SiC 솔루션의 공동 개발을 촉진하고, 성능 및 규제 요건에 부합하는 SiC 솔루션 개발을 보장하고 있습니다. 에너지 비용의 상승과 에너지 자립의 세계 추진으로 인해, 성능의 저하 없이 더 큰 에너지 절감을 실현하는 기술 개발이 시급한 상황입니다. 이와 함께, 와이드 밴드갭 반도체로의 전환이 업계 전반에 걸쳐 가속화되고 있으며, SiC는 고전압 및 고전력 용도에서 질화갈륨(GaN)을 능가하는 기술적 우위를 확보하고 있습니다. 경제가 코로나19 이후 경기 둔화에서 벗어나면서 교통, 에너지, 산업 자동화에 대한 인프라 투자는 SiC 시장 성장의 강력한 기반이 되고 있습니다. 이러한 추세는 SiC MOSFET 칩과 모듈을 프리미엄 솔루션뿐만 아니라 미래 지향적인 파워일렉트로닉스의 주류 표준으로 자리매김하고 있습니다.

부문

유형(SiC MOSFET 칩＆디바이스, SiC MOSFET 모듈), 용도(자동차 용도, 산업 용도, 태양광발전 용도, 기타 용도)

조사 대상 기업 예

AI 통합

당사는 유효한 전문가 컨텐츠와 AI툴에 의해 시장과 경쟁 정보를 변혁하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 일반적인 LLM나 업계별 SLM 쿼리에 따르는 대신에, 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 방대한 양의 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등, 전 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사 소재지, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기준으로 기업의 경쟁력 변화를 예측했습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 수익원가(COGS) 증가, 수익성 하락, 공급망 재편 등 미시적, 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예측됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

LSH
영문 목차

영문목차

Global Silicon Carbide (SiC) MOSFET Chips and Modules Market to Reach US$2.1 Billion by 2030

The global market for Silicon Carbide (SiC) MOSFET Chips and Modules estimated at US$698.6 Million in the year 2024, is expected to reach US$2.1 Billion by 2030, growing at a CAGR of 20.2% over the analysis period 2024-2030. SiC MOSFET Chip & Device, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 18.1% CAGR and reach US$1.2 Billion by the end of the analysis period. Growth in the SiC MOSFET Module segment is estimated at 23.4% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$183.6 Million While China is Forecast to Grow at 19.2% CAGR

The Silicon Carbide (SiC) MOSFET Chips and Modules market in the U.S. is estimated at US$183.6 Million in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$324.8 Million by the year 2030 trailing a CAGR of 19.2% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 18.1% and 17.6% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 14.0% CAGR.

Global Silicon Carbide (SiC) MOSFET Chips and Modules Market - Key Trends & Drivers Summarized

Why Are SiC MOSFET Chips and Modules Emerging as the Next Frontier in Power Electronics?

Silicon carbide (SiC) MOSFET chips and modules are rapidly becoming the cornerstone of next-generation power electronics due to their ability to operate at higher voltages, temperatures, and frequencies than traditional silicon-based components. These devices are revolutionizing how energy is managed and converted across industries, offering significant efficiency gains and size reductions in applications that demand robust and reliable power solutions. Unlike conventional silicon MOSFETs, SiC MOSFETs exhibit superior characteristics such as lower on-resistance, faster switching speeds, and higher breakdown voltage, making them ideal for high-power, high-temperature environments. Their application spans across electric vehicles, renewable energy systems, industrial motor drives, aerospace, and power grids, where they help reduce energy loss, enhance performance, and extend system life. In electric mobility, SiC MOSFETs are instrumental in improving battery usage, increasing driving range, and supporting compact inverter designs. In solar and wind energy installations, these modules contribute to better power conversion efficiency and lower thermal losses. With the growing global focus on energy conservation and decarbonization, the demand for SiC-based solutions is rising sharply. Their unique material properties and ability to outperform legacy technologies are positioning SiC MOSFET chips and modules as essential components in the shift toward smarter, more efficient, and more sustainable energy systems.

How Are Technological Innovations Enhancing the Performance and Scalability of SiC MOSFETs?

Ongoing innovations in material processing, device architecture, and packaging technologies are playing a crucial role in improving the performance, reliability, and manufacturability of silicon carbide MOSFETs. Manufacturers are leveraging advanced crystal growth techniques to produce higher-purity SiC wafers, which reduce defects and improve device yields. New trench and planar gate structures are being implemented to further lower on-resistance and gate charge, enabling faster switching and reduced conduction losses. These enhancements not only increase energy efficiency but also reduce the need for bulky cooling systems and passive components, resulting in more compact and lightweight designs. In the area of packaging, innovations such as double-sided cooling, sintered joints, and low-inductance layouts are extending the thermal and mechanical performance of SiC modules. This is especially important for high-current applications like EV traction inverters or utility-scale energy storage. Integrated gate drivers and fault protection mechanisms are being added to ensure stable operation under harsh conditions and to simplify system design. Moreover, improvements in wafer size from 4-inch to 6-inch and potentially 8-inch are helping drive down production costs, making SiC solutions more accessible to mass-market applications. These technological strides are enabling SiC MOSFETs to deliver greater performance while meeting the growing demand for cost-effective, energy-efficient semiconductor devices.

Which End-Use Industries Are Driving the Global Adoption of SiC MOSFET Chips and Modules?

The adoption of SiC MOSFET chips and modules is being propelled by a broad spectrum of industries that demand high-efficiency power conversion and compact system design. The electric vehicle sector stands out as the most significant driver, with automakers and component suppliers integrating SiC-based devices into traction inverters, onboard chargers, and DC-DC converters to increase efficiency and extend battery range. Renewable energy is another key area, particularly in photovoltaic inverters and wind turbine systems, where SiC MOSFETs improve energy harvesting and reduce thermal stress on components. The industrial automation sector is increasingly adopting SiC modules for high-performance motor drives and robotics, where faster switching and better thermal management enhance responsiveness and uptime. Rail and aerospace applications benefit from the lightweight and high-temperature capabilities of SiC devices, especially in power distribution and propulsion systems. Data centers and telecommunications infrastructure are turning to SiC power modules for power supply units and battery backup systems that require high-density, efficient, and reliable performance. Additionally, grid modernization efforts and smart energy systems are using SiC technology to support bidirectional energy flow and efficient power conditioning. As more industries transition to electrified and digitalized systems, SiC MOSFETs are becoming a foundational technology that supports innovation across a range of high-growth sectors.

What Market Dynamics and Global Trends Are Accelerating SiC MOSFET Industry Growth?

The global silicon carbide MOSFET market is experiencing accelerated growth due to a convergence of policy shifts, technological progress, and industry transformation. Increasing regulations aimed at reducing carbon emissions are pushing industries toward electrification, making high-efficiency power semiconductors like SiC MOSFETs a strategic priority. Government incentives for electric vehicles, clean energy adoption, and smart grid development are driving investment into power electronics infrastructure, further supporting demand. Supply chain expansion and vertical integration by major semiconductor manufacturers are improving capacity and reducing cost barriers, enabling greater scalability. Strategic partnerships between automotive OEMs, semiconductor companies, and research institutions are facilitating co-development of application-specific SiC solutions, ensuring alignment with performance and regulatory requirements. The rising cost of energy and the global push for energy independence are creating urgency for technologies that can deliver greater energy savings without compromising performance. In parallel, the shift to wide bandgap semiconductors is gaining industry-wide momentum, with SiC gaining a technological edge over gallium nitride (GaN) in high-voltage, high-power applications. As economies emerge from post-pandemic slowdowns, infrastructure investments in transportation, energy, and industrial automation are providing a strong foundation for SiC market growth. These converging trends are establishing SiC MOSFET chips and modules not only as a premium solution but increasingly as a mainstream standard for future-proof power electronics.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the Silicon Carbide (SiC) MOSFET Chips and Modules market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Type (SiC MOSFET Chip & Device, SiC MOSFET Module); Application (Car Application, Industrial Application, Photovoltaic Application, Other Applications)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; and Rest of Europe); Asia-Pacific; Rest of World.

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