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세계의 SOC(Spin on Carbon) 시장
Spin on Carbon
상품코드 : 1788355
리서치사 : Market Glass, Inc. (Formerly Global Industry Analysts, Inc.)
발행일 : 2025년 08월
페이지 정보 : 영문 164 Pages
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한글목차

세계의 SOC(Spin on Carbon) 시장은 2030년까지 12억 달러에 달할 전망

2024년에 2억 7,970만 달러로 추정되는 세계의 SOC(Spin on Carbon) 시장은 2024-2030년의 분석 기간에 CAGR 28.2%로 성장하며, 2030년에는 12억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 이 리포트에서 분석한 부문의 하나인 고온 SOC는 CAGR 25.3%를 기록하며, 분석 기간 종료시에는 6억 7,780만 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 상온 SOC 부문의 성장률은 분석 기간에 CAGR 32.5%로 추정됩니다.

미국 시장은 7,350만 달러로 추정, 중국은 CAGR 26.9%로 성장 예측

미국의 SOC(Spin on Carbon) 시장은 2024년에 7,350만 달러로 추정됩니다. 세계 2위의 경제대국인 중국은 2030년까지 1억 8,950만 달러의 시장 규모에 달할 것으로 예측되며, 분석 기간인 2024-2030년의 CAGR은 26.9%입니다. 기타 주목할 만한 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있으며, 분석 기간 중 CAGR은 각각 25.4%와 24.7%로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 약 19.8%로 성장할 것으로 예측됩니다.

세계의 SOC(Spin on Carbon) 시장 - 주요 동향과 촉진요인 정리

SOC(Spin on Carbon)이 반도체 제조에서 전략적 중요성이 커지고 있는 이유는 무엇인가?

특히 업계가 미세화, 고종횡비 에칭, 멀티패터닝 공정의 경계를 넓혀감에 따라 SOC는 첨단 반도체 제조에 없어서는 안 될 재료로 자리 잡아가고 있습니다. 주로 리소그래피에서 하드 마스크 또는 희생층으로 사용되는 SOC(Spin on Carbon)은 고해상도 디바이스 제조에서 정확한 패턴 전사 및 공정 제어를 개선할 수 있습니다. 칩 제조업체들이 10nm 이하 노드로 전환하고 3D NAND 및 FinFET 아키텍처를 채택함에 따라 SOC와 같이 평탄화하기 쉽고 열적으로 안정적이며 에칭에 강한 재료에 대한 요구가 빠르게 증가하고 있습니다. 우수한 갭 충진 특성을 가진 컨포멀 코팅을 형성할 수 있는 이 소재는 기존의 화학기상증착(CVD) 방식으로는 균일성과 비용 문제로 어려움을 겪는 다층 반도체 스택에 필수적입니다. AI, 자동차, 데이터센터, CE(Consumer Electronics) 분야에서 고밀도 메모리와 강력한 로직 칩에 대한 수요가 급증하는 가운데, SOC는 더 까다로운 형상과 더 빠른 디바이스 성능을 지원하는 공정에 필수적인 재료로 부상하고 있습니다. 제조업체들이 수율 향상, 결함 감소, 비용 절감에 대한 압박에 직면하고 있는 가운데, 차세대 리소그래피를 가능하게 하는 SOC(Spin on Carbon)의 역할은 그 어느 때보다 중요한 의미를 갖습니다.

재료 및 공정 혁신이 SOC(Spin on Carbon)의 능력을 어떻게 발전시키고 있는가?

SOC(Spin on Carbon)을 둘러싼 환경은 고분자 화학, 증착 기술, 첨단 에칭 및 클린 프로세스와의 통합에 대한 혁신을 통해 형성되고 있습니다. 새로운 SOC 배합은 멀티패터닝 및 고종횡비 에칭에서 견고한 하드마스크로 사용하기 위한 중요한 특성인 높은 필름 밀도, 향상된 열 안정성, 더 나은 에칭 선택성을 제공하도록 설계되었습니다. 공급업체는 복잡한 3D 구조에서도 초박막으로 균일한 코팅을 실현하는 저점도 SOC 소재를 개발하여 최소한의 결함과 우수한 평탄도를 동시에 보장합니다. SOC(Spin on Carbon)과 스핀온 글래스 또는 스핀온 유전체 스택을 결합한 이중층 시스템도 인기를 끌고 있으며, 로직 및 메모리 장치의 설계 유연성을 높이고 있습니다. 제형 개선으로 기판과의 접착력이 향상되어 다양한 플라즈마 및 습식 클린 케미스트리와의 호환성이 향상되었습니다. 공정 엔지니어는 스핀 속도, 베이킹 조건, 코팅 균일성을 보다 엄격하게 제어할 수 있는 첨단 트랙 시스템을 사용하여 SOC를 리소그래피 플로우에 통합하고 있습니다. 극자외선(EUV) 리소그래피의 보급과 함께 SOC를 중간 마스크 및 패턴 전사층으로 사용하는 하이브리드 공정 흐름에 대한 요구가 계속 증가하고 있습니다. 이러한 발전으로 SOC는 차세대 반도체 노드 증가하는 요구사항을 충족할 수 있으며, 성능의 확장성과 공정 통합의 실행 가능성을 모두 보장할 수 있습니다.

시장 수요가 가장 빠르게 성장하고 있는 곳은 어디이며, 어떤 부문이 전환을 주도하고 있는가?

스핀온카본에 대한 수요는 나노 스케일 디바이스 제조의 최전선에 있는 첨단 주조, 집적 디바이스 제조업체(IDM), 메모리 공장에서 가장 빠르게 성장하고 있습니다. 대만, 한국, 일본, 일본, 미국의 일류 반도체 기업은 7nm, 5nm, 그리고 현재 3nm 이하의 로직 칩과 메모리 칩 제조에 SOC를 채택하는 데 앞장서고 있습니다. 특히 3D 낸드플래시 제조에서는 SOC의 활용이 두드러지며, 100단 이상의 적층에서는 수율을 유지하기 위해 정확한 성막과 패턴 제어가 요구됩니다. DRAM 제조업체들도 스페이서 패터닝과 더블 패터닝 플로우로 SOC를 활용하여 커패시터와 셀 구조를 미세화하고 있습니다. 로직 칩 제조업체들은 특히 게이트 올 어라운드(GAA)와 나노 시트 아키텍처가 FinFET을 대체하기 시작하면서 복잡한 인터커넥트 패터닝과 접점 홀 수축을 위해 SOC를 사용하고 있습니다. AI 가속기, 자동차용 프로세서, 엣지 컴퓨팅 디바이스, 5G 인프라 등 반도체에 대한 전 세계적인 수요 증가로 SOC의 고해상도 패터닝에 대한 필요성이 더욱 커지고 있습니다. 또한 대형 파운드리 업체로의 웨이퍼 제조 아웃소싱이 증가함에 따라 전 세계 고객을 위해 SOC 프로세스를 표준화하고 확장하는 것이 더욱 중요해지고 있습니다.

세계 SOC(Spin on Carbon) 시장의 장기적인 성장 동력은?

스핀온카본 시장의 성장은 반도체 설계의 진화, 제조 공정의 복잡성, 디바이스의 고성능화 및 고밀도화의 끊임없는 추진에 뿌리를 둔 여러 가지 연동된 힘에 의해 이루어지고 있습니다. 주요 원동력은 업계 전체가 첨단 노드 및 3D 아키텍처로 전환하면서 원자 규모에서 중요한 치수 및 프로파일 충실도를 유지할 수 있는 보다 정교한 패터닝 솔루션이 요구되고 있다는 점입니다. 스핀온카본은 셀프 얼라인드 더블 패터닝, 쿼드 러플 패터닝 등 비용 효율적이고 확장 가능한 멀티 패터닝 기술을 가능하게 하는 역할을 하며, 리소그래피의 진보를 실현하는 중요한 기술로 자리매김하고 있습니다. 또한 EUV 및 고개구수(High-NA) 리소그래피 장비에 대한 지속적인 투자로 인해 진화하는 공정 흐름에 대응할 수 있는 SOC와 같은 신뢰성이 높고 통합에 적합한 하드 마스크 재료에 대한 요구도 증가하고 있습니다. 또한 수율 최적화 및 결함 제어를 중시하는 반도체 산업은 우수한 갭 필, 표면 평활도, 에칭 선택성 요건과 호환성을 제공하는 SOC 재료의 가치를 높이고 있습니다. 팹리스 기업이 적극적인 기술 혁신을 지속하는 가운데, 화학물질 공급업체와 장비 제조업체에서 파운드리 및 OSAT(반도체 조립 및 테스트 위탁업체)에 이르기까지 공급망 전반에 걸쳐 고성능의 확장 가능한 SOC 솔루션에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 공정 노드의 미세화, 이종 집적화, 칩렛 설계의 지속적인 발전과 함께 스핀온카본은 반도체의 다음 단계의 비약적인 발전을 가능하게 하는 중요한 재료가 될 것으로 예측됩니다.

부문

재료 유형(고온 SOC, 상온 SOC), 용도(로직 디바이스 용도, 메모리 디바이스 용도, 파워 디바이스 용도, MEMS 용도, 기타 용도), 최종사용자(주조 최종사용자, IDM 및 OSAT 벤더 최종사용자)

조사 대상 기업의 예

AI 통합

당사는 유효한 전문가 컨텐츠와 AI 툴에 의해 시장 정보와 경쟁 정보를 변혁하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 LLM나 업계 고유 SLM를 조회하는 일반적인 규범에 따르는 대신에, 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 방대한 양 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등, 전 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사 소재지, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기준으로 기업의 경쟁력 변화를 예측했습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 수입원가(COGS) 증가, 수익성 하락, 공급망 재편 등 미시적, 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예측됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 개요

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

KSA
영문 목차

영문목차

Global Spin on Carbon Market to Reach US$1.2 Billion by 2030

The global market for Spin on Carbon estimated at US$279.7 Million in the year 2024, is expected to reach US$1.2 Billion by 2030, growing at a CAGR of 28.2% over the analysis period 2024-2030. Hot Temperature SOC, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 25.3% CAGR and reach US$677.8 Million by the end of the analysis period. Growth in the Normal Temperature SOC segment is estimated at 32.5% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$73.5 Million While China is Forecast to Grow at 26.9% CAGR

The Spin on Carbon market in the U.S. is estimated at US$73.5 Million in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$189.5 Million by the year 2030 trailing a CAGR of 26.9% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 25.4% and 24.7% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 19.8% CAGR.

Global Spin-on Carbon Market - Key Trends & Drivers Summarized

Why Is Spin-on Carbon Gaining Strategic Significance in Semiconductor Manufacturing?

Spin-on carbon (SOC) is becoming an essential material in advanced semiconductor manufacturing, especially as the industry pushes the boundaries of miniaturization, high-aspect-ratio etching, and multi-patterning processes. Used primarily as a hardmask or sacrificial layer during lithography, spin-on carbon enables precise pattern transfer and improved process control in high-resolution device fabrication. As chipmakers shift to nodes below 10nm and increasingly adopt 3D NAND and FinFET architectures, the need for planarization-friendly, thermally stable, and etch-resistant materials like SOC is growing rapidly. The material’s ability to create conformal coatings with excellent gap-filling properties makes it indispensable in multi-layer semiconductor stacks, where traditional chemical vapor deposition (CVD) methods struggle with uniformity and cost. With the demand for higher-density memory and more powerful logic chips surging across AI, automotive, data center, and consumer electronics applications, SOC is emerging as a process-critical material that supports tighter geometries and faster device performance. As manufacturers face mounting pressure to enhance yield, reduce defectivity, and control costs, spin-on carbon’s role in enabling next-generation lithography is more relevant than ever.

How Are Material and Process Innovations Advancing the Capabilities of Spin-on Carbon?

The spin-on carbon landscape is being shaped by innovations in polymer chemistry, deposition techniques, and integration with advanced etch and clean processes. New SOC formulations are being designed to deliver higher film density, improved thermal stability, and better etch selectivity-key properties for use as robust hardmasks in multi-patterning and high-aspect-ratio etching. Suppliers are developing low-viscosity SOC materials to achieve ultra-thin and uniform coatings, even in complex 3D structures, while ensuring minimal defects and excellent planarization. Dual-layer systems combining spin-on carbon with spin-on glass or spin-on dielectric stacks are also gaining traction, offering greater design flexibility for logic and memory devices. Formulation enhancements are allowing better adhesion to underlying films and compatibility with various plasma and wet clean chemistries. Process engineers are integrating SOC into lithography flows using advanced track systems that provide tighter control over spin speed, baking conditions, and coating uniformity. As extreme ultraviolet (EUV) lithography gains adoption, the need for hybrid process flows using SOC as an intermediate mask or pattern transfer layer continues to rise. These advances are enabling SOC to meet the escalating demands of next-gen semiconductor nodes, ensuring both performance scalability and process integration viability.

Where Is Market Demand Growing Fastest, and Which Segments Are Leading the Transition?

Demand for spin-on carbon is growing most rapidly in advanced foundries, integrated device manufacturers (IDMs), and memory fabs that are pushing the frontiers of nanoscale device production. Tier-one semiconductor companies in Taiwan, South Korea, Japan, and the United States are at the forefront of adopting SOC in the fabrication of logic and memory chips at 7nm, 5nm, and now sub-3nm nodes. SOC use is particularly prominent in the manufacturing of 3D NAND flash, where the stacking of more than 100 layers requires precise deposition and patterning control to maintain yield. DRAM producers are also utilizing SOC in spacer patterning and double-patterning flows to scale capacitor and cell structures. Logic chipmakers are using SOC in complex interconnect patterning and contact hole shrinking, especially as gate-all-around (GAA) and nanosheet architectures begin to replace FinFETs. The rising global demand for semiconductors across AI accelerators, automotive processors, edge computing devices, and 5G infrastructure is further driving the need for high-resolution patterning enabled by SOC. In addition, the growing outsourcing of wafer fabrication to leading foundries has increased the importance of standardizing and scaling SOC processes for global customers.

What’s Driving the Long-term Growth of the Spin-on Carbon Market Globally?

The growth in the spin-on carbon market is driven by several interlinked forces rooted in the evolution of semiconductor design, the complexity of manufacturing processes, and the relentless push toward higher device performance and density. A key driver is the industry-wide transition to advanced nodes and 3D architectures, which demand more sophisticated patterning solutions that can maintain critical dimensions and profile fidelity at atomic scales. Spin-on carbon’s role in enabling cost-effective and scalable multi-patterning techniques-such as self-aligned double or quadruple patterning-is positioning it as a key enabler of lithographic advancement. The ongoing investment in EUV and high-numerical aperture (High-NA) lithography tools is also increasing the need for reliable, integration-friendly hardmask materials like SOC that can support evolving process flows. Furthermore, the semiconductor industry’s growing emphasis on yield optimization and defect control is amplifying the value of SOC materials that offer superior gap-fill, surface smoothness, and compatibility with etch selectivity requirements. As fabless companies continue to innovate aggressively, demand for high-performance, scalable SOC solutions is rising across the supply chain-from chemical suppliers and equipment manufacturers to foundries and OSATs (outsourced semiconductor assembly and test providers). With continued advancements in process node scaling, heterogeneous integration, and chiplet design, spin-on carbon is expected to remain a critical material in enabling the next wave of semiconductor breakthroughs.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the Spin on Carbon market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Material Type (Hot Temperature SOC, Normal Temperature SOC); Application (Logic Devices Application, Memory Devices Application, Power Devices Application, MEMS Application, Other Applications); End-User (Foundries End-User, IDMs & OSAT Vendors End-User)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; and Rest of Europe); Asia-Pacific; Rest of World.

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II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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