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세계의 IGBT 및 초접합 MOSFET 시장
IGBT and Super Junction MOSFET
상품코드 : 1765397
리서치사 : Market Glass, Inc. (Formerly Global Industry Analysts, Inc.)
발행일 : 2025년 07월
페이지 정보 : 영문 189 Pages
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한글목차

IGBT 및 초접합 MOSFET 세계 시장은 2030년까지 211억 달러에 달할 전망

2024년에 117억 달러로 추정되는 IGBT 및 초접합 MOSFET 세계 시장은 2030년에는 211억 달러에 달하고, 분석 기간인 2024-2030년 CAGR은 10.3%로 성장할 것으로 예측됩니다. 이 보고서에서 분석한 부문 중 하나인 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)는 CAGR 10.4%를 기록하며 분석 기간 종료시에는 191억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 초접합 MOSFET 부문의 성장률은 분석 기간 동안 CAGR 9.3%로 추정됩니다.

미국 시장은 33억 달러, 중국은 CAGR 9.5%로 성장할 것으로 예측

미국의 IGBT 및 초접합 MOSFET 시장은 2024년에 33억 달러로 추정됩니다. 세계 2위 경제 대국인 중국은 2030년까지 32억 달러의 시장 규모에 달할 것으로 예측되며, 분석 기간인 2024-2030년 CAGR은 9.5%를 기록할 것으로 예상됩니다. 기타 주목할 만한 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있고, 분석 기간 동안 CAGR은 각각 9.7%와 8.1%로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 약 8.2%로 성장할 것으로 예측됩니다.

세계의 IGBT 및 초접합 MOSFET 시장 - 주요 동향과 촉진요인 정리

IGBT 및 초접합 MOSFET이란?

절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)와 초접합 금속-산화막-반도체 전계 효과 트랜지스터(SJ MOSFET)는 전력 전자공학에서 중요한 반도체 소자이며, 고전력 애플리케이션을 효율적으로 관리하기 위해 널리 사용되고 있습니다. IGBT는 전기 신호의 스위칭 및 증폭에 매우 효과적이며, 재생에너지, 자동차, 산업 기계 등의 산업에서 필수 불가결한 요소입니다. 반면, 초접합 MOSFET은 전력 손실을 줄이면서 고속 스위칭 능력을 발휘하기 때문에 고효율과 저발열을 필요로 하는 애플리케이션에서 그 위력을 발휘합니다. 이들 부품은 에너지 효율이 우수하고 컴팩트한 고성능 솔루션을 가능하게함으로써 다양한 분야의 전원 관리를 최적화하는 데 매우 중요한 역할을 합니다.

기술 발전은 IGBT와 SJ MOSFET 애플리케이션을 어떻게 형성하고 있는가?

기술의 발전은 IGBT와 SJ MOSFET의 성능, 효율성 및 응용 범위가 크게 향상되었습니다. 반도체 재료 과학의 혁신, 특히 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)의 개발은 이들 소자의 내구성, 내열성 및 작동 효율을 향상시켰으며, SiC 기반 IGBT와 SJ MOSFET은 전력 손실이 적고 열전도율이 뛰어나 전기자동차(EV) 및 산업 자동화 등 고수요 환경에 적합합니다. 전기자동차(EV) 및 산업용 자동화 등 고수요 환경에 적합합니다. 또한, 폼팩터의 소형화와 첨단 패키징 기술을 통해 이들 부품을 소형 고전력 모듈에 통합할 수 있어 전력 전자 시스템의 전반적인 효율을 향상시키고, 가전, 에너지 저장, 항공우주 분야에서의 사용이 확대되고 있습니다.

IGBT와 SJ MOSFET이 신흥 에너지 기술에 필수적인 이유는 무엇인가?

전 세계가 재생에너지와 전기화를 향해 나아가고 있는 가운데, IGBT와 SJ MOSFET은 태양광 인버터, 풍력 터빈, 전기자동차(EV) 등의 시스템에서 중요한 부품으로 자리 잡고 있습니다. IGBT는 효율적인 전력 변환을 촉진하고 재생에너지 관리 및 배터리 저장에 필수적이며, EV에서 IGBT는 모터와 충전 시스템을 제어하여 에너지 사용을 최적화하고, SJ MOSFET은 빠르고 효율적인 전력 관리를 실현합니다. 또한, 안정적이고 효율적인 전력 분배를 필요로 하는 스마트 그리드 기술의 채택이 증가함에 따라 이러한 부품의 중요성이 더욱 부각되고 있습니다. 청정에너지 솔루션에 대한 수요가 증가함에 따라 첨단 IGBT 및 MOSFET 기술에 대한 의존도가 높아지고 있습니다.

IGBT 및 초접합 MOSFET 시장의 성장은 몇 가지 요인에 의해 발생합니다.

IGBT 및 초접합 MOSFET 시장의 성장은 반도체 재료의 발전, 에너지 효율이 높은 디바이스에 대한 수요 증가, 전 세계 전기화로의 전환 등 여러 요인에 의해 이루어지고 있으며, EV, 재생에너지 시스템, 산업 자동화의 보급은 대규모 전력을 효율적으로 관리하고 변환하는 데 필수적인 부품이기 때문에 이들 부품에 대한 수요를 크게 증가시키고 있습니다. 효율적으로 관리하고 변환하는 데 필수적인 부품이기 때문에 이들 부품에 대한 수요가 크게 증가하고 있습니다. 스마트 인프라의 증가와 가전 및 통신 분야에서 전력 소모가 많은 애플리케이션의 채택은 소형 고성능 반도체 솔루션의 필요성을 더욱 높이고 있습니다. 또한, 에너지 효율과 배출량 감소를 촉진하기 위한 정부의 인센티브와 의무가 다양한 분야에서 이러한 기술의 채택을 가속화하고 시장 성장을 뒷받침하고 있습니다.

부문

용도(무정전전원장치(UPS), 풍력 터빈, 태양광발전(PV) 인버터, 철도 견인, 소비자용, 전기자동차/하이브리드 전기자동차(EV/HEV), 모터 드라이브, 산업용, 컨버터, 어댑터 및 충전기, 조명, 기타 용도), 제품 유형(절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT), 초접합 MOSFET)

조사 대상 기업 사례

AI 통합

Global Industry Analysts는 검증된 전문가 컨텐츠와 AI 툴을 통해 시장 정보와 경쟁 정보를 혁신하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 LLM 및 업계 고유의 SLM을 조회하는 일반적인 규범에 따르는 대신 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 방대한 양의 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사의 국가, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기반으로 기업의 경쟁력 변화를 예측하고 있습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 매출원가(COGS) 증가, 수익성 감소, 공급망 재편 등 미시적 및 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예상됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 주요 요약

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

ksm
영문 목차

영문목차

Global IGBT and Super Junction MOSFET Market to Reach US$21.1 Billion by 2030

The global market for IGBT and Super Junction MOSFET estimated at US$11.7 Billion in the year 2024, is expected to reach US$21.1 Billion by 2030, growing at a CAGR of 10.3% over the analysis period 2024-2030. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 10.4% CAGR and reach US$19.1 Billion by the end of the analysis period. Growth in the Super junction MOSFET segment is estimated at 9.3% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$3.3 Billion While China is Forecast to Grow at 9.5% CAGR

The IGBT and Super Junction MOSFET market in the U.S. is estimated at US$3.3 Billion in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$3.2 Billion by the year 2030 trailing a CAGR of 9.5% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 9.7% and 8.1% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 8.2% CAGR.

Global IGBT and Super Junction MOSFET Market - Key Trends & Drivers Summarized

What Are IGBT and Super Junction MOSFETs, and Why Are They Important?

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) and Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (SJ MOSFETs) are crucial semiconductor devices in power electronics, widely used to manage high-power applications efficiently. IGBTs are highly effective in switching and amplifying electric signals, making them essential in industries like renewable energy, automotive, and industrial machinery. Super Junction MOSFETs, on the other hand, deliver high-speed switching capabilities with reduced power loss, making them invaluable in applications requiring high efficiency and low heat dissipation. Together, these components play a pivotal role in optimizing power management across numerous sectors by enabling energy-efficient, compact, and high-performing solutions.

How Are Technological Advancements Shaping IGBT and SJ MOSFET Applications?

Technological advancements have led to significant improvements in the performance, efficiency, and application range of IGBTs and SJ MOSFETs. Innovations in semiconductor material science, especially with the development of silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN), have enhanced the durability, thermal tolerance, and operational efficiency of these devices. SiC-based IGBTs and SJ MOSFETs offer lower power loss and better thermal conductivity, making them ideal for high-demand environments like electric vehicles (EVs) and industrial automation. Additionally, smaller form factors and advanced packaging techniques have enabled the integration of these components in compact, high-power modules, improving the overall efficiency of power electronic systems and expanding their use in consumer electronics, energy storage, and aerospace.

Why Are IGBTs and SJ MOSFETs Critical in Emerging Energy Technologies?

As the world pivots toward renewable energy and electrification, IGBTs and SJ MOSFETs have become critical components in systems like solar inverters, wind turbines, and EVs. These devices facilitate efficient power conversion, which is essential for managing renewable energy sources and storing energy in batteries. In EVs, IGBTs control the motor and charging system, optimizing energy usage, while SJ MOSFETs ensure fast, efficient power management. Moreover, the rising adoption of smart grid technologies, which require reliable and efficient power distribution, has further highlighted the importance of these components. As the demand for cleaner energy solutions grows, so too does the reliance on advanced IGBT and MOSFET technologies.

The Growth in the IGBT and Super Junction MOSFET Market Is Driven by Several Factors

The growth in the IGBT and Super Junction MOSFET market is driven by several factors, including advancements in semiconductor materials, increased demand for energy-efficient devices, and the global shift toward electrification. The widespread adoption of EVs, renewable energy systems, and industrial automation has significantly bolstered demand for these components, as they are integral to managing and converting high power efficiently. The rise in smart infrastructure and the adoption of power-hungry applications in consumer electronics and telecommunications have further driven the need for compact, high-performance semiconductor solutions. Moreover, government incentives and mandates promoting energy efficiency and reduced emissions have accelerated the adoption of these technologies in multiple sectors, supporting market growth.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the IGBT and Super Junction MOSFET market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Application (Uninterrupted Power Supply (UPS), Wind Turbines, Photovoltaic (PV) Inverter, Rail Traction, Consumer Applications, Electric Vehicles/Hybrid Electric Vehicles (EV/HEV), Motor Drives, Industrial Applications, Converters, Adapters and Chargers, Lighting, Other Applications); Product Type (Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), Super junction MOSFET)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; and Rest of Europe); Asia-Pacific; Rest of World.

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TABLE OF CONTENTS

I. METHODOLOGY

II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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