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에피택시 장비 시장
Epitaxy Equipment
상품코드 : 1758219
리서치사 : Market Glass, Inc. (Formerly Global Industry Analysts, Inc.)
발행일 : 2025년 06월
페이지 정보 : 영문 274 Pages
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한글목차

세계의 에피택시 장비 시장은 2030년까지 22억 달러에 도달

2024년에 17억 달러로 추정되는 세계의 에피택시 장비 시장은 2024-2030년에 CAGR 4.1%로 성장하며, 2030년에는 22억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 이 리포트에서 분석한 부문의 하나인 MOCVD 유형은 CAGR 3.3%를 기록하며, 분석 기간 종료까지 14억 달러에 달할 것으로 예측됩니다. HT CVD 유형 부문의 성장률은 분석 기간에 CAGR 5.5%로 추정됩니다.

미국 시장은 4억 7,630만 달러로 추정, 중국은 CAGR 7.3%로 성장 예측

미국의 에피택시 장비 시장은 2024년에 4억 7,630만 달러로 추정됩니다. 세계 2위의 경제대국인 중국은 분석 기간인 2024-2030년의 CAGR을 7.3%로 2030년까지 4억 4,880만 달러의 시장 규모에 달할 것으로 예측됩니다. 기타 주목할 만한 지역별 시장으로는 일본과 캐나다가 있으며, 분석 기간 중 CAGR은 각각 1.7%와 3.1%로 예측됩니다. 유럽에서는 독일이 CAGR 2.3%로 성장할 것으로 예측됩니다.

세계의 에피택시 장비 시장 - 주요 동향과 촉진요인 정리

최첨단 에피택시 기술은 반도체 제조를 어떻게 변화시키고 있는가?

에피택시 장비는 기판 웨이퍼 위에 고도로 제어된 결정층을 성막함으로써 반도체 산업에서 기초적인 역할을 담당하고 있습니다. 이 분야는 괄목할 만한 기술 진화를 이루고 있으며, 특히 채택되고 있는 방식은 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)과 분자선 에피택시법(MBE)에서 화학적 에피택시법(CBE)과 하이브리드 기상 성장법(HVPE)에 이르기까지 다양합니다. 이 중 MOCVD는 특히 질화갈륨(GaN)이나 비화갈륨(GaAs)과 같은 화합물 반도체의 에피택셜 성장에서 광전자, RF 부품, 파워 디바이스에 널리 사용되고 있으며, 현재도 대량 생산의 주류 기술로 자리 잡고 있습니다.

최근 에피택시 장비의 기술 혁신은 처리량, 웨이퍼 균일성, 결함 밀도, 재료 수율의 개선에 초점을 맞추었습니다. 최신 장비는 반사율 측정, 파이로메트리, 분광 엘립소메트리와 같은 첨단 in-situ 모니터링 기술을 통합하여 실시간 공정 피드백을 제공하고 성장 파라미터를 정밀하게 제어할 수 있도록 합니다. 장비 제조업체들은 현재 차세대 로직 및 메모리 디바이스의 엄격한 품질 기준을 충족하기 위해 챔버 설계 강화, 가스 흐름 최적화, 다중 웨이퍼 배치 구성에 집중하고 있습니다. 7nm 이하의 첨단 노드에서 FinFET, GAA(Gate All Around), 헤테로 접합 트랜지스터 아키텍처로 업계가 이동함에 따라 도핑 프로파일을 제어하는 초박막 및 고순도 에피택셜 층에 대한 수요가 크게 증가하고 있습니다.

장비의 커스터마이징과 성장을 가속하는 용도별 수요는 어디에 있는가?

LED 제조, CMOS 이미지 센서, 파워 일렉트로닉스, 마이크로 LED 디스플레이, RF 증폭기, 양자 컴퓨팅 등 용도의 수직적 방향에 따라 크게 달라집니다. 각 용도는 장비의 설계 파라미터를 재정의하는 고유한 재료 및 구조적 요구 사항을 가져옵니다. 예를 들어 실리콘 기반 파워 일렉트로닉스에서는 전기자동차 및 재생에너지 인버터의 고전압 작동을 위해 두꺼운 드리프트 영역과 초저 도핑 농도를 가진 에피택셜 층이 점점 더 선호되고 있습니다. 이러한 용도에 사용되는 장비는 대구경 웨이퍼에서 높은 결정 품질을 보장하면서 뒤틀림과 오염을 최소화해야 합니다.

포토닉스 및 디스플레이 분야, 특히 마이크로 LED 및 VCSEL(수직 공진기면 발광 레이저)에서는 네이티브 기판과 외래 기판 모두에서 균일하고 결함 없는 에피택셜 층에 대한 요구가 증가하고 있습니다. 마이크로 LED에서는 GaN-on-silicon 또는 GaN-on-sapphire 층을 정확한 두께로 성장시켜야 하므로, 원자 수준에서 층 적층을 제어할 수 있는 차세대 MOCVD 리액터 개발이 진행되고 있습니다. 마찬가지로 5G 및 위성 통신에 사용되는 RF GaAs 및 GaN-on-SiC 디바이스의 경우, 에피택시 시스템은 급격한 계면 전이 및 양자 우물이 내장된 복잡한 이종 구조에 대응해야 합니다. 이러한 최종 사용 요구사항의 진화로 인해 장비 OEM은 대량 생산과 R&D 수준의 유연성을 모두 충족할 수 있는 모듈식 용도별 에피택시 플랫폼을 개발해야 하는 상황에 직면해 있습니다.

지역 역학 및 공급망 변화가 시장 상황에 어떤 영향을 미치고 있는가?

지정학적 발전과 각국의 반도체 전략은 전 세계 에피택시 장비의 유통과 조달에 큰 영향을 미치고 있습니다. 미국, 중국, 한국, 일본, EU 회원국 등의 국가들은 미국 CHIPS법, 중국의 "Made in China 2025" 구상, EU 칩스법 등의 정책에 따라 국내 반도체 제조 인프라에 많은 투자를 하고 있습니다. 이러한 구상은 에피택셜 가공을 포함한 중요한 반도체 제조 역량을 국산화하고 국경 간 공급망에 대한 의존도를 줄이는 것을 목표로 하고 있습니다. 그 결과, 장비 공급업체들은 민관 파트너십에 의해 지원되는 신규 파운드리 공장 및 확장 프로젝트에 대한 수요가 급증하는 것을 목격하고 있습니다.

특히 중국은 LED, 디스플레이, 파워 일렉트로닉스 분야를 지원하기 위해 국내 에피택시 역량을 빠르게 향상시키고 있으며, 이는 현지 조달 또는 중국산 에피택시 장비에 대한 수요 증가로 이어지고 있습니다. 한편, 미국과 유럽의 공장들은 특히 실리콘 카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 기술에서 대량 생산 및 고성능 역량을 강화하기 위해 기존 세계 OEM에 주문을 하고 있습니다. 리쇼어링 노력은 또한 현지 기술 지원, 교육 인프라 및 장비 서비스 능력에 대한 필요성을 증가시키고 있습니다. 이를 위해 세계 기업은 각 지역에 R&D 센터와 고객 용도 센터를 설립하고 있습니다. 이와 함께 OEM 업체들은 재료 제조업체, 기판 제조업체, 학술기관과 기술 제휴를 맺어 제품 개발을 가속화하고 경쟁 구도에서 기술 리더십을 유지하기 위해 노력하고 있습니다.

에피택시 장비의 세계 수요 증가 요인은 무엇인가?

에피택시 장비 시장의 성장은 기술적, 경제적, 용도 중심의 여러 요인에 의해 주도되고 있습니다. 가장 큰 성장 요인 중 하나는 고효율 화합물 반도체 소자에 대한 폭발적인 수요로, 5G 네트워크, 자율주행차, 스마트 에너지 그리드, IoT 지원 인프라의 확산과 함께 GaN 및 SiC 기반 반도체에 대한 수요가 급증하고 있습니다. 이들 재료는 최적의 전자 및 열 성능을 얻기 위해 정확한 에피택셜 적층에 크게 의존하고 있으며, 이를 제조하기 위해서는 높은 처리량과 낮은 결함의 에피택셜 성장 툴이 필수적입니다. 또한 나노시트 및 GAA FET와 같은 5nm 이하 로직 노드에서 첨단 트랜지스터 아키텍처로의 전환이 진행됨에 따라 실리콘 기판 상에 왜곡된 실리콘, 게르마늄, III-V족 물질을 고도로 에피택셜 성장하며야 합니다.

또 다른 중요한 요인은 광전자 분야, 특히 고휘도 LED, 마이크로 LED, 포토닉스 IC 수요 회복이며, AR/VR 헤드셋, LiDAR 시스템, 바이오 센서, 웨어러블 기술의 새로운 용도는 소자 소형화 및 재료 품질에 대한 엄격한 요구를 요구하고 있습니다. 품질에 대한 까다로운 요구사항을 부과하고 있으며, 모두 에피택셜 성장 공정에 크게 의존하고 있습니다. 또한 교통수단의 전기화로 인해 차량용 파워 모듈에 사용되는 SiC 기반 에피택셜 층의 전체 시장(TAM)이 크게 확대되고 있으며, 이를 위해서는 우수한 신뢰성을 갖춘 대면적 및 후막의 에피택셜 성장이 필요합니다.

반도체 자립과 친환경 에너지 기술에 대한 정부 투자도 시장 성장의 구조적 원동력으로 작용하고 있습니다. 국내 반도체 장비 생산에 대한 보조금, 첨단 소재 채택 공장에 대한 세제 혜택, 대학 주도의 에피택시 연구센터에 대한 보조금 등이 확대를 위한 비옥한 토양을 조성하고 있습니다. 또한 화합물 반도체 스타트업과 팹라이트 비즈니스 모델에 대한 벤처캐피털의 유입이 증가하고 있으며, 이는 추후 양산 규모로 확장 가능한 R&D 규모의 에피택시 장비에 대한 수요를 자극하고 있습니다. 칩 제조업체들이 에피택시를 단순한 재료 준비 단계가 아닌 디바이스 성능 차별화를 위한 초석으로 인식하고 있으므로 반도체 밸류체인에서 에피택시 장비의 전략적 중요성은 더욱 커질 것으로 보입니다.

부문

유형(MOCVD 유형, HT CVD 유형); 애플리케이션(포토닉스 애플리케이션, 반도체 애플리케이션, 와이드 밴드 갭 재료 애플리케이션, 기타 애플리케이션)

조사 대상 기업의 예(주목 37사)

AI 통합

우리는 유효한 전문가 컨텐츠와 AI 툴에 의해 시장과 경쟁 정보를 변혁하고 있습니다.

Global Industry Analysts는 LLM 및 업계 고유 SLM을 조회하는 일반적인 규범을 따르는 대신에 비디오 기록, 블로그, 검색 엔진 조사, 방대한 양 기업, 제품/서비스, 시장 데이터 등 전 세계 전문가로부터 수집한 컨텐츠 리포지토리를 구축했습니다.

관세 영향 계수

Global Industry Analysts는 본사의 국가, 제조거점, 수출입(완제품 및 OEM)을 기반으로 기업의 경쟁력 변화를 예측했습니다. 이러한 복잡하고 다면적인 시장 역학은 수입원가(COGS) 증가, 수익성 감소, 공급망 재편 등 미시적 및 거시적 시장 역학 중에서도 특히 경쟁사들에게 영향을 미칠 것으로 예측됩니다.

목차

제1장 조사 방법

제2장 개요

제3장 시장 분석

제4장 경쟁

KSA
영문 목차

영문목차

Global Epitaxy Equipment Market to Reach US$2.2 Billion by 2030

The global market for Epitaxy Equipment estimated at US$1.7 Billion in the year 2024, is expected to reach US$2.2 Billion by 2030, growing at a CAGR of 4.1% over the analysis period 2024-2030. MOCVD Type, one of the segments analyzed in the report, is expected to record a 3.3% CAGR and reach US$1.4 Billion by the end of the analysis period. Growth in the HT CVD Type segment is estimated at 5.5% CAGR over the analysis period.

The U.S. Market is Estimated at US$476.3 Million While China is Forecast to Grow at 7.3% CAGR

The Epitaxy Equipment market in the U.S. is estimated at US$476.3 Million in the year 2024. China, the world's second largest economy, is forecast to reach a projected market size of US$448.8 Million by the year 2030 trailing a CAGR of 7.3% over the analysis period 2024-2030. Among the other noteworthy geographic markets are Japan and Canada, each forecast to grow at a CAGR of 1.7% and 3.1% respectively over the analysis period. Within Europe, Germany is forecast to grow at approximately 2.3% CAGR.

Global Epitaxy Equipment Market - Key Trends & Drivers Summarized

How Are Cutting-Edge Epitaxy Technologies Reshaping Semiconductor Fabrication?

Epitaxy equipment plays a foundational role in the semiconductor industry by enabling the deposition of highly controlled crystalline layers on substrate wafers, a process essential for the performance and efficiency of advanced semiconductor devices. The field has witnessed significant technological evolution, particularly in the methods employed-ranging from Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) and Molecular Beam Epitaxy (MBE) to Chemical Beam Epitaxy (CBE) and Hybrid Vapor Phase Epitaxy (HVPE). Among these, MOCVD remains the dominant epitaxial technique for mass production, especially in compound semiconductors like gallium nitride (GaN) and gallium arsenide (GaAs), which are widely used in optoelectronics, RF components, and power devices.

Recent innovations in epitaxy systems are centered around improving throughput, wafer uniformity, defect density, and material yield. Modern tools integrate advanced in-situ monitoring technologies such as reflectometry, pyrometry, and spectroscopic ellipsometry to provide real-time process feedback and enable precise control of growth parameters. Equipment manufacturers are now focusing on chamber design enhancements, gas flow optimization, and multi-wafer batch configurations to meet the rigorous quality standards of next-generation logic and memory devices. The demand for ultra-thin, high-purity epitaxial layers with controlled doping profiles has increased significantly with the industry’s shift toward FinFET, gate-all-around (GAA), and heterojunction transistor architectures in advanced nodes below 7nm.

Where Are Application-Specific Demands Driving Equipment Customization and Growth?

The market for epitaxy equipment is not monolithic; it varies sharply across application verticals including LED manufacturing, CMOS image sensors, power electronics, microLED displays, RF amplifiers, and quantum computing. Each application brings unique material and structural requirements that are redefining equipment design parameters. For instance, in silicon-based power electronics, there is an increasing preference for epitaxial layers with thick drift regions and ultra-low doping concentrations to support high-voltage operations in electric vehicles and renewable energy inverters. Equipment used in such applications must ensure high crystalline quality over large-diameter wafers while minimizing bow and contamination.

In the realm of photonics and displays, particularly for microLEDs and VCSELs (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers), there is heightened demand for uniform and defect-free epitaxial layers on both native and foreign substrates. For microLEDs, the need to grow GaN-on-silicon or GaN-on-sapphire layers at precise thicknesses has prompted the development of next-generation MOCVD reactors with atomically controlled layer stacking. Similarly, in RF GaAs and GaN-on-SiC devices used in 5G and satellite communications, epitaxy systems must accommodate complex heterostructures with abrupt interface transitions and embedded quantum wells. These evolving end-use demands are pushing equipment OEMs to develop modular, application-specific epitaxy platforms that can cater to both volume production and R&D-level flexibility.

How Are Regional Dynamics and Supply Chain Shifts Influencing the Market Landscape?

Geopolitical developments and national semiconductor strategies are significantly influencing the global distribution and procurement of epitaxy equipment. Countries like the United States, China, South Korea, Japan, and members of the EU are heavily investing in domestic semiconductor manufacturing infrastructure under policy umbrellas such as the U.S. CHIPS Act, China's "Made in China 2025" initiative, and the EU Chips Act. These initiatives aim to localize critical semiconductor manufacturing capabilities, including epitaxial processing, and reduce dependency on cross-border supply chains. Consequently, equipment vendors are witnessing a surge in demand from new foundries and expansion projects backed by public-private partnerships.

China, in particular, is rapidly increasing its domestic epitaxy capabilities to support its LED, display, and power electronics sectors, leading to increased demand for locally sourced or China-compliant epitaxy equipment. Meanwhile, U.S. and European fabs are placing orders with established global OEMs to enhance high-volume and high-performance capabilities, especially in silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) technologies. The reshoring efforts are also amplifying the need for local technical support, training infrastructure, and equipment servicing capabilities. This has prompted global players to set up regional R&D and customer application centers. In parallel, OEMs are forming technology alliances with materials providers, substrate manufacturers, and academic institutions to accelerate product development and maintain technological leadership in a competitive global landscape.

What Is Fueling the Rising Global Demand for Epitaxy Equipment?

The growth in the epitaxy equipment market is driven by several factors that span technological, economic, and application-driven dimensions. One of the foremost growth drivers is the explosive demand for high-efficiency compound semiconductor devices. With the proliferation of 5G networks, autonomous vehicles, smart energy grids, and IoT-enabled infrastructure, the need for GaN- and SiC-based semiconductors has surged. These materials rely heavily on precise epitaxial layering for optimal electronic and thermal performance, making high-throughput, low-defect epitaxy tools indispensable to their fabrication. Additionally, the ongoing shift to advanced transistor architectures in sub-5nm logic nodes-such as nanosheet and GAA FETs-necessitates sophisticated epitaxial deposition of strained silicon, germanium, and III-V materials on silicon substrates.

Another pivotal factor is the resurgence of demand in optoelectronic segments, particularly in high-brightness LEDs, microLEDs, and photonics ICs. Emerging applications in AR/VR headsets, LiDAR systems, biosensors, and wearable tech are placing stringent demands on device miniaturization and material quality, both of which are heavily reliant on epitaxial growth processes. Furthermore, the electrification of transport is significantly expanding the TAM (total addressable market) for SiC-based epitaxial layers used in automotive power modules, which require large-area, thick epitaxy with exceptional reliability.

Government investments in semiconductor self-reliance and green energy technologies are also acting as structural enablers for market growth. Subsidies for domestic semiconductor equipment production, tax incentives for fabs adopting advanced materials, and grants for university-led epitaxy research centers are creating fertile ground for expansion. In addition, increasing venture capital flow into compound semiconductor start-ups and fab-lite business models is stimulating demand for R&D-scale epitaxy systems that can later scale to production volumes. As chip manufacturers increasingly view epitaxy not just as a material preparation step but as a cornerstone for device performance differentiation, the strategic significance of epitaxy equipment in the semiconductor value chain is set to rise exponentially.

SCOPE OF STUDY:

The report analyzes the Epitaxy Equipment market in terms of units by the following Segments, and Geographic Regions/Countries:

Segments:

Type (MOCVD Type, HT CVD Type); Application (Photonics Application, Semiconductor Application, Wide band-gap Material Application, Other Applications)

Geographic Regions/Countries:

World; United States; Canada; Japan; China; Europe (France; Germany; Italy; United Kingdom; Spain; Russia; and Rest of Europe); Asia-Pacific (Australia; India; South Korea; and Rest of Asia-Pacific); Latin America (Argentina; Brazil; Mexico; and Rest of Latin America); Middle East (Iran; Israel; Saudi Arabia; United Arab Emirates; and Rest of Middle East); and Africa.

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TABLE OF CONTENTS

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II. EXECUTIVE SUMMARY

III. MARKET ANALYSIS

IV. COMPETITION

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