RF 질화갈륨(GaN) 시장 - 세계 시장 규모, 점유율, 동향 분석, 기회, 예측 보고서(2019-2029년)
RF Gallium Nitride Market - Global Size, Share, Trend Analysis, Opportunity and Forecast Report, 2019-2029, Segmented By Type ; By Application ; By Region
상품코드 : 1391791
리서치사 : Blueweave Consulting
발행일 : 2023년 11월
페이지 정보 : 영문 400 Pages
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한글목차

세계 RF 질화갈륨(GaN) 시장 규모, CAGR 13.53%로 크게 성장하여 2029년 30억 4,000만 달러에 달할 것

세계 RF 질화갈륨(GaN) 시장은 5G 인프라, 레이더 시스템, 위성 통신과 같은 애플리케이션에서 고주파, 고출력 전자기기에 대한 수요가 증가함에 따라 급성장하고 있으며, GaN의 우수한 성능, 에너지 효율성 및 신뢰성으로 인해 GaN은 무선 통신 및 방위 산업에서 중요한 기술이 되었습니다.

세계 전략 컨설팅 및 시장 조사 기관인 BlueWeave Consulting은 최근 조사에서 2022년 세계 RF(무선 주파수) 질화갈륨(GaN) 시장 규모를 14억 2,000만 달러로 추산했으며, 2023-2029년 예측 기간 동안 세계 RF 질화갈륨(GaN) 시장 규모는 13.53%의 높은 CAGR로 성장하여 2029년에는 30억 4,000만 달러에 달할 것으로 예측했습니다. 세계 RF 질화갈륨(GaN) 시장은 몇 가지 주요 촉진요인의 영향을 받고 있습니다. 무선 통신 및 레이더 시스템과 같은 애플리케이션에서 고주파 및 고출력 RF 디바이스에 대한 수요 증가가 시장 성장의 원동력이 되고 있습니다. 또한, 높은 전자 이동도와 전력 밀도를 포함한 질화갈륨(GaN)의 우수한 성능 특성은 RF 애플리케이션에 매력적인 선택이 되고 있으며, 5G 네트워크 인프라의 확대와 국방 및 항공우주 응용 분야에서 질화갈륨(GaN)의 사용 확대도 시장 확대에 기여하고 있습니다. 질화갈륨(GaN) 기술의 지속적인 발전과 비용 효율성은 세계 RF 질화갈륨(GaN) 시장의 성장을 더욱 촉진할 것입니다.

이 보고서는 세계 RF 질화갈륨(GaN) 시장의 성장 잠재력, 향후 동향 및 통계에 대한 정보를 제공합니다. 또한 전체 시장 규모 예측을 촉진하는 요인도 다루고 있습니다. 이 보고서는 세계 RF 질화갈륨(GaN) 시장의 최신 기술 동향과 의사결정자가 정확한 전략적 의사결정을 내릴 수 있는 업계 인사이트를 제공할 것입니다. 또한, 시장 성장 촉진요인, 도전 과제, 경쟁력에 대해서도 분석합니다.

목차

제1장 조사 체계

제2장 주요 요약

제3장 세계의 RF 질화갈륨(GaN) 시장 인사이트

제4장 세계의 RF 질화갈륨(GaN) 시장 개요

제5장 북미의 RF 질화갈륨(GaN) 시장

제6장 유럽의 RF 질화갈륨(GaN) 시장

제7장 아시아태평양의 RF 질화갈륨(GaN) 시장

제8장 라틴아메리카의 RF 질화갈륨(GaN) 시장

제9장 중동 및 아프리카의 RF 질화갈륨(GaN) 시장

제10장 경쟁 상황

제11장 세계의 RF 질화갈륨(GaN) 시장에 대한 COVID-19의 영향

제12장 기업 개요(기업 개요, 재무 매트릭스, 경쟁 상황, 주요 인재, 주요 경쟁, 연락처 주소, 전략적 전망, SWOT 분석)

제13장 주요 전략적 추천사항

제14장 조사 방법

ksm
영문 목차

영문목차

Global RF Gallium Nitride (GaN) Market Size Set to Grow at Significant CAGR of 13.53% Touching USD 3.04 Billion by 2029.

Global RF gallium nitride (GaN) market is flourishing due to an increasing demand for high-frequency, high-power electronic devices in applications like 5G infrastructure, radar systems, and satellite communications. GaN's superior performance, energy efficiency, and reliability make it a key technology in the thriving wireless communication and defense industries.

BlueWeave Consulting, a leading strategic consulting and market research firm, in its recent study, estimated the global RF (radio frequency) gallium nitride (GaN) market size at USD 1.42 billion in 2022. During the forecast period between 2023 and 2029, BlueWeave expects the global RF gallium nitride (GaN) market size to grow at a significant CAGR of 13.53% reaching a value of USD 3.04 billion by 2029. The global RF gallium nitride (GaN) market is influenced by several key driving factors. The increasing demand for high-frequency, high-power RF devices in applications, such as wireless communication and radar systems, fuels market growth. Also, the superior performance characteristics of gallium nitride (GaN), including high electron mobility and power density, make it an attractive choice for RF applications. The expanding 5G network infrastructure and the growing use of gallium nitride (GaN) in defense and aerospace applications also contribute to the expansion of the market. Ongoing advancements in gallium nitride (GaN) technology and its cost-effectiveness further propel the growth of the global RF gallium nitride (GaN) market.

RF Gallium Nitride (GaN) - Overview

Radio frequency (RF) gallium nitride (GaN) is a semiconductor technology widely used in high-frequency and high-power electronic applications. It leverages the unique properties of gallium nitride (GaN) to deliver superior performance compared to traditional materials like silicon. RF GaN devices excel in applications such as radar systems, wireless communication, and power amplifiers. They offer higher power density, efficiency, and bandwidth, making them essential in the development of advanced, compact, and energy-efficient electronics. RF GaN technology continues to advance, driving innovations in telecommunications, defense, and emerging technologies, enabling faster data transmission, longer-range radar capabilities, and more robust wireless networks.

Impact of COVID-19 on Global RF Gallium Nitride (GaN) Market

Global RF gallium nitride (GaN) market, while initially affected by COVID-19 pandemic disruptions, demonstrated resilience and adaptability. The pandemic accelerated the demand for high-frequency and high-power RF devices, particularly in telecommunications and defense sectors, boosting market growth. Supply chain interruptions and workforce limitations temporarily hampered production, leading to price fluctuations. However, increased remote work and the 5G rollout provided sustained opportunities. The market witnessed a shift toward remote monitoring and communication technologies, further emphasizing the importance of RF gallium nitride (GaN) components. As the world emerges from the pandemic, the market remains on a growth trajectory, driven by innovation and evolving market dynamics.

Global RF Gallium Nitride (GaN) Market - By Application

By application, global RF gallium nitride (GaN) market is divided into Telecom Infrastructure, Satellite Communication, and Military & Defense segments. Telecom Infrastructure is the largest application segment in the global RF gallium nitride (GaN) market. The segment encompasses the use of gallium nitride (GaN) technology in various telecommunications applications, such as base stations and network infrastructure. It is a crucial component in the expansion of wireless and mobile communication networks. While satellite communication and military & defense segments are also significant, the telecom infrastructure segment is prominent due to the ongoing demand for improved connectivity and the rapid expansion of 5G networks worldwide. This growth is driving the adoption of gallium nitride (GaN) technology to enhance the performance and efficiency of telecommunications systems.

Competitive Landscape

Global RF gallium nitride (GaN) market is fiercely competitive. Major companies in the market include Sumitomo Electric Device Innovations, Inc., MACOM, Qorvo, Inc., WOLFSPEED, INC., STMicroelectronics NV, NXP Semiconductors, Infineon Technologies, ROHM Co., Ltd, Texas Instruments Incorporated, and Toshiba Corporation. These companies use various strategies, including increasing investments in their R&D activities, mergers, and acquisitions, joint ventures, collaborations, licensing agreements, and new product and service releases to further strengthen their position in Global RF gallium nitride (GaN) market.

The in-depth analysis of the report provides information about growth potential, upcoming trends, and statistics of Global RF Gallium Nitride (GaN) Market. It also highlights the factors driving forecasts of total Market size. The report promises to provide recent technology trends in Global RF Gallium Nitride (GaN) Market and industry insights to help decision-makers make sound strategic decisions. Furthermore, the report also analyzes the growth drivers, challenges, and competitive dynamics of the market.

Table of Contents

1. Research Framework

2. Executive Summary

3. Global RF Gallium Nitride (GaN) Market Insights

4. Global RF Gallium Nitride (GaN) Market Overview

5. North America RF Gallium Nitride (GaN) Market

6. Europe RF Gallium Nitride (GaN) Market

7. Asia-Pacific RF Gallium Nitride (GaN) Market

8. Latin America RF Gallium Nitride (GaN) Market

9. Middle East & Africa RF Gallium Nitride (GaN) Market

10. Competitive Landscape

11. Impact of COVID-19 on Global RF Gallium Nitride (GaN) Market

12. Company Profile (Company Overview, Financial Matrix, Competitive Landscape, Key Personnel, Key Competitors, Contact Address, Strategic Outlook, SWOT Analysis)

13. Key Strategic Recommendations

14. Research Methodology

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